RU1314881C - Способ получени рисунка фотошаблона - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операци х при изготовлении фотошаблонов Цель изобретени  - увеличение тиражеаойкости фотошаблона На аекл нную подложку нанос т слой органического материала - полиглицидилметакри- лата с этилакрилатом толщиной от 1 до 4 мкм и облучают его ультрафиолетовым облучением в вакууме не ниже 1,3 Па Затем обрабатывают подложку в ацетоне в течение 3 мин сушат при температуре 80°С в течение 30 мин и напыл ют пленку А1 толщиной 80-120 мкм. Далее нанос т пленку фоторезиаа толщиной 05- мкм, провод т сушку последнего при температуре 130°С в течение 30 мин и экспонируют рисунок топологии После про влени  рисунка в 0,5%-иом рааворе КОН и за- дубливании его при температуре 140°С в течение 10 мин провод т травление пленки А1 и HgPO iHNO CH COOHW O I40.6:30:5 Затем провод т реактивно-ионное травление сло  органического соединени  в кислороде при давлении 2.6 Па и напыл ют огой кермета на основе двуокиси кремни  с содержанием никел  от 1 до 10 ат%. Полученную аруктуру обрабатывают в 10%-ном растворе КОН до удалени  слоев и фоторезиста промывают в воде и сушат. Полимеризаци  органического материала фазвуковым излучением с длиной волны 115 - 430 нм в вакууме не ниже 1.3 Па с последующей пабипизацией в ацетоне в течение 2-10 мин обеспечивает достижение по- аавленной цели. 1 злф-лы. 2 ил.

Description

Изобретение относитс  к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операци х при изготовлении фотошаблонов дл  полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Целью изобретени   вл етс  увеличение тиражестойкости фотошаблона.

На фиг. 1 и 2 показаны основные этапы получени  рисунка фотошаблона.

На прозрачную подложку 1 нанос т слой 2 органического материала, представл ющий собой полностью сшитый полимер с сетчатой структурой, поверх сло  2 последовательно нанос т пленку 3 алюмини  и пленку 4 фоторезиста, в которой формируют маску. Рисунок маски путем последовательного травлени  пленки 3 и сло  2 органического материала перенос т в слой 2. После нанесени  маскирующего покрыти  5 пленку 3 алюмини  удап ют.

Пример 1. На стекл нную плоскопараллельную подложку 1 размером 102x102 мм (127x127 мм или другого стандартного размера) поспе отжига ее при в течение 40 мин нанос т на центрифуге слой 2 органического материала - полиглицидил- метакрилата с этилакрилатом толщиной от 1 до 4 мкм. провод т его облучение ультрафиолетовым излучением с длинами волн 360 нм в вакууме не ниже 1,3 Па. обрабатывают подложку в ацетоне в течение 3 мин, провод т сушку при температуре в течение 30 мин и напыл ют пленку 3 алюмини  толщиной 80-120 нм. Далее нанос т пленку 4 фоторезиста ФП--РН-7 толщиной 0,5-1 мкм. провод т его сушку при температуре 130°С а течение 30 мин и экспонирование рисунка топологии на установке ЭМ-552. После про влени  рисунка в 0,5%-ном растворе КОН и задубливании его при температуре 140°С в течение 10 мин провод т травление пленки 3 алюмини  в травителе состава НзРО/i: HNOa: СНзСООН : Н20 140:6:30:5. Затем осуществл ют ре- активно-иоиное травление сло  2 сополимера полиглицидилметакрилата с этилакрилатом в кислороде на установке УВП-2 при давлении 2.6 Па на установке вакуумного напылени  УРМЗ.279.040 электронно-лучевым и термическим испарением , одновременно напыл ют покрытие 5 (слой кермета на основе двуокиси кремни  с содержанием никел  от 1 до 10 вт.%). Затем полученную структуру обрабатывают в 10%-ном растворе КОН до удалени  слоев алюмини  и фоторезиста промывают в воде

и сушат при температуре 150°С в течение 30 мин.

Пример 2. На стекл нную плоскопараллельную подложку 1 размером 127x127 мм после отжига ее при Т - 100°С в течение 40 мин нанос т на центрифуге слой 2 бута- диенстирольного каучука

(- СН2СН СНСН2 -т - (-СН2СН-) п I

СбИб

в растворе толуола толщиной от 1 до 4 мкм и провод т его облучение ультрафиолетовым излучением в диапазоне длин волн 115-360 нм в вакууме не ниже 1,3 Па со скважностью импульс/пауза 1:10 в течение 15-30 мин с дозой облучени  2-5 Дж/см.

Затем обрабатывают подложку 1 в ацетоне в течение 2-10 мин при 20-22 0.

Уменьшение дозы облучени  дл  каучука 2 Дж/см приводит к получению остаточной толщины органического сло  1 мкм, что

не у,;овлетвор ет требовани м тиражестойкости из-за увеличени  веро тности повреждени  фотошаблона частицами с размерами пор дка 0,5-1 мкм.

Увеличение дозы облучени  более 5

Дж/см дл  каучука, 10 Дж/см дл  полистирола приводит к увеличению жесткости амортизирующего сло  и по влению де- структурированных участков органического сло  вплоть до полного его разложени  с

образованием графитизироваиного сло , то есть к разрушению амортизирующей толстой прослойки между фотошаблоном и экс- понируемой подложкой со слоем фоторезиста. Обработка в ацетоне в течение 2-10 мин удовлетвор ет требовани м технологичности процесса. Уменьшение времени 2 мин приводит к неполному растворению и удалению неполимеризированных частей органического сло . Увеличение

времени обработки не улучшает амортизирующих свойств сло  и не приводит к изменению толщины сло , полученной после 10-минутной обработки.

Далее рисунок формируетс  аналогично

примеру 1.

(56) Мазель Б.З., Пресс Ф.П. Планарна  технологи  кремниевых приборов. М.: Энерги . 1974, с. 218-244, 258-264. J.Vac. Scl. and Technology, т. 1, N 4. окт брь-декабрь, 1983. с. 1225-1234.

Claims (1)

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РИСУНКА ФОТОШАБЛОНА, включающий нанесение на прозрачную подложку сло  органического материала, его полимеризацию, последовательное нанесение на него пленок алюмини  и фоторезиста, литографическое формирование фоторезистивной маски, перенос рисунка в слой органического материала путем последовательного травлени  пленки алюмини  и сло  органического материала , нанесение маскирующего покрыти  и удаление пленки алюмини .

ч

ч Ч j Ч Ч Ч Ч Ч

отличающийс  тем, что, с целью увеличени  тиражестойкости фотошаблона, пол имеризациюсло органического

материала осуществл ют путем облучени  ультрафиолетовым излучением с длиной волны 115 - 430 нм 8 вакууме не ниже 1.3 Па с последующей стабилизацией сло  в ацетоне в течение 2-10 мин, л 2, Способ по п,1, отличающийс  тем. что в качестве материала органического сло  используют полиглицидилметакрилат с этилакрилатом или бутадиенстирольный каучук,

н J

ч

j

ч

.7

Фиг.2

Редактор

Составитель О,Павлова Техред М.Моргентал

Заказ 3243

ТиражПодписное

НПО Поиск Роспатента 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб,, 4/5

Производственно-издательский комбинат Патент, г, Ужгород, ул,Гагарина, 101

Корректор А, Козориз