JPS6013432B2 - Ａｌ又はＡｌ合金パタ−ンの形成方法 - Google Patents
Ａｌ又はＡｌ合金パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS6013432B2 JPS6013432B2 JP10125580A JP10125580A JPS6013432B2 JP S6013432 B2 JPS6013432 B2 JP S6013432B2 JP 10125580 A JP10125580 A JP 10125580A JP 10125580 A JP10125580 A JP 10125580A JP S6013432 B2 JPS6013432 B2 JP S6013432B2
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- substrate
- forming
- alloy
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＡＩ基体又はＡＩ合金基体をエッチングしてパ
ターンを形成する方法に関し、更に詳細にはしジストと
してク。
ターンを形成する方法に関し、更に詳細にはしジストと
してク。
ロメチル化ポリスチレンを使用して該パターンを形成す
る方法に関する。従来、半導体集積回路などの微細パタ
ーンの形成に当り、基体上にポジ型又はネガ型のフオト
レジスト膜を設け光照射した後、現像（溶解）して所望
のフオトレジスト膜のパターンを形成し、このパターン
をマスクとして基体加工又は回路形成等を行なう手段が
採用されている。ところでクロロメチル化ポリスチレン
（以下ＣＭＳという）は例えば電子材料第１＄蓋、第１
び号第６５〜６９頁（１９７９年）に記載されているよ
うに、高解像度であると共にプラズマエッチングに対す
る耐性が良好で、微細パターン形成用のネガ型レジスト
として有用である。該レジストは遠紫外線、粒子線又は
Ｘ線の照射によって照射部の高分子化合物間に重合反応
が生起し、次の現像工程では照射部は現像液に溶解しな
くなる性質を有している。このＣＭＳを、ＡＩ基体又は
ＡＩ合金例えばＡＩ−Ｓｉ、ＡＩ−Ｃｕ、ＡＩ−Ａｇ等
の基体のパターン形成用レジストとしてこれらの基体の
表面に塗布してレジスト膜を設け、遠紫外線、粒子線又
はＸ線を該レジスト膜の所定位置に照射した後、現像を
行って照射部に該レジスト膜のパターンを形成した場合
、照射部およびその近傍の基体表面が部分的に変質させ
ることが観察された。
る方法に関する。従来、半導体集積回路などの微細パタ
ーンの形成に当り、基体上にポジ型又はネガ型のフオト
レジスト膜を設け光照射した後、現像（溶解）して所望
のフオトレジスト膜のパターンを形成し、このパターン
をマスクとして基体加工又は回路形成等を行なう手段が
採用されている。ところでクロロメチル化ポリスチレン
（以下ＣＭＳという）は例えば電子材料第１＄蓋、第１
び号第６５〜６９頁（１９７９年）に記載されているよ
うに、高解像度であると共にプラズマエッチングに対す
る耐性が良好で、微細パターン形成用のネガ型レジスト
として有用である。該レジストは遠紫外線、粒子線又は
Ｘ線の照射によって照射部の高分子化合物間に重合反応
が生起し、次の現像工程では照射部は現像液に溶解しな
くなる性質を有している。このＣＭＳを、ＡＩ基体又は
ＡＩ合金例えばＡＩ−Ｓｉ、ＡＩ−Ｃｕ、ＡＩ−Ａｇ等
の基体のパターン形成用レジストとしてこれらの基体の
表面に塗布してレジスト膜を設け、遠紫外線、粒子線又
はＸ線を該レジスト膜の所定位置に照射した後、現像を
行って照射部に該レジスト膜のパターンを形成した場合
、照射部およびその近傍の基体表面が部分的に変質させ
ることが観察された。
その原因は明らかではないが、ＣＭＳのクロロメチル基
又は塩素原子が照射により活性化され、ＡＩ又はＮ合金
と反応することによるものと予測される。この変質した
部分は現像によっては除去できず、又Ａｉ又はＮ合金基
体のエッチングにおいて、変質した部分のエッチング速
度が変質を生じていない部分のそれに比して著しく小さ
いため、エッチング後のＭ又はＡＩ合金の所定のパター
ン形成部以外の部分にもＮ又はＡＩ合金が残留し、その
結果パターンの寸法精度が不良となり、又パターン間の
短絡の原因になる等の欠点があった。本発明は前記欠点
を解決するためになされたもので、その目的はＣＭＳを
レジスト膜とするＡＩ又はＡＩ合金基体のパターン形成
方法として「パターンの寸法精度の高いパターン形成方
法を提供することである。
又は塩素原子が照射により活性化され、ＡＩ又はＮ合金
と反応することによるものと予測される。この変質した
部分は現像によっては除去できず、又Ａｉ又はＮ合金基
体のエッチングにおいて、変質した部分のエッチング速
度が変質を生じていない部分のそれに比して著しく小さ
いため、エッチング後のＭ又はＡＩ合金の所定のパター
ン形成部以外の部分にもＮ又はＡＩ合金が残留し、その
結果パターンの寸法精度が不良となり、又パターン間の
短絡の原因になる等の欠点があった。本発明は前記欠点
を解決するためになされたもので、その目的はＣＭＳを
レジスト膜とするＡＩ又はＡＩ合金基体のパターン形成
方法として「パターンの寸法精度の高いパターン形成方
法を提供することである。
前記目的を達成する本発明のＡＩ又はＡＩ合金のパター
ン形成方法はＡＩ基体又は山合金基体上にクロロメチル
化ポリスチレンより成るレジスト膜を設け、遠紫外線、
粒子線又はＸ線を該レジスト膜の所定位置に照射した後
現像して該基体上に議しジスト腰のパターンを形成し、
次いで該パターンをマスククとして該基体をエッチング
してパターンを形成する方法において、照射後熱処理し
、次いで現像を行なうことを特徴とする。
ン形成方法はＡＩ基体又は山合金基体上にクロロメチル
化ポリスチレンより成るレジスト膜を設け、遠紫外線、
粒子線又はＸ線を該レジスト膜の所定位置に照射した後
現像して該基体上に議しジスト腰のパターンを形成し、
次いで該パターンをマスククとして該基体をエッチング
してパターンを形成する方法において、照射後熱処理し
、次いで現像を行なうことを特徴とする。
すなわち、本発明は紫外線、粒子線又はＸ線をＣＭＳレ
ジスト膜に照射した後、熱処理を行なうことにより前記
変質が発生しないという知見に基づくものであり、照射
によりＣＭＳ中に発生した活性化されたクロロメチル基
又は塩素原子が熱処理により消失するものと予測される
。
ジスト膜に照射した後、熱処理を行なうことにより前記
変質が発生しないという知見に基づくものであり、照射
によりＣＭＳ中に発生した活性化されたクロロメチル基
又は塩素原子が熱処理により消失するものと予測される
。
したがって照射後熱処理を施す迄の時間は変質を生ずる
迄の時間と関係があるが、実験上略照射後６時間以内に
熱処理を行なえば変質の発生を抑制できく又温度、湿度
等照射後のウヱハの保存条件により変質の進行速度が変
わるので、略３時間以内に熱処理を行なうことが望まし
い。熱処理の温度は低くすぎると効果がなく、又高かす
ぎるとＣＭＳの感度特性に変化を生ずるので５０〜１２
０００の範囲が望ましい。次に本発明を実施例及び比較
例について説明するが、本発明はこれによりなんら限定
されるものではない。
迄の時間と関係があるが、実験上略照射後６時間以内に
熱処理を行なえば変質の発生を抑制できく又温度、湿度
等照射後のウヱハの保存条件により変質の進行速度が変
わるので、略３時間以内に熱処理を行なうことが望まし
い。熱処理の温度は低くすぎると効果がなく、又高かす
ぎるとＣＭＳの感度特性に変化を生ずるので５０〜１２
０００の範囲が望ましい。次に本発明を実施例及び比較
例について説明するが、本発明はこれによりなんら限定
されるものではない。
実施例 １
真空蒸着およびスパッタ蒸着により厚さ０．４ｒｍのＮ
膜およびＡＩ−Ｓｉ合金膜をそれぞれＳｉゥェハ上に形
成して基体とした。
膜およびＡＩ−Ｓｉ合金膜をそれぞれＳｉゥェハ上に形
成して基体とした。
山膜及び山一Ｓｉ膜上にＣＭＳを厚さ０．＆肌になるよ
うに塗布してレジスト穣を形成し、加速電圧２皿Ｖの電
子ビームで照射量２×１０‐５Ｃ／ので所定のパターン
をレジスト膜に描画した。次に照射後３時間以内に前記
Ｓｉウェハを１００００で３■ご間窒素ガスで加熱処理
を施した。
うに塗布してレジスト穣を形成し、加速電圧２皿Ｖの電
子ビームで照射量２×１０‐５Ｃ／ので所定のパターン
をレジスト膜に描画した。次に照射後３時間以内に前記
Ｓｉウェハを１００００で３■ご間窒素ガスで加熱処理
を施した。
なおこの加熱処理後１５日間２３ｑｏの大気中で放置し
たところＯＮ及びＡＩ−Ｓｉ基体には変質部は認められ
なかった。加熱処理後照射されたレジスト膜を有するＳ
ｉウェハをアセトンにより現像し、次いでインプロピル
アルコールによりリンスしてレジストパターンタを形成
し、ポーストべ−ク後ＣＣ１４ガスを用いたプラズマエ
ッチングによりＮ及びＡＩ−Ｓｉをエッチングしたとこ
ろ、エッチング不良はなく、寸法精度の高いパターンが
形成された。
たところＯＮ及びＡＩ−Ｓｉ基体には変質部は認められ
なかった。加熱処理後照射されたレジスト膜を有するＳ
ｉウェハをアセトンにより現像し、次いでインプロピル
アルコールによりリンスしてレジストパターンタを形成
し、ポーストべ−ク後ＣＣ１４ガスを用いたプラズマエ
ッチングによりＮ及びＡＩ−Ｓｉをエッチングしたとこ
ろ、エッチング不良はなく、寸法精度の高いパターンが
形成された。
又熱処理を１００ｑｏで３０分間大気中で行なった場０
合も同様な結果が得られた。
合も同様な結果が得られた。
比較例
照射後熱処理を行なう代りに、照射後Ｓｉゥェハを２ｙ
ｏの大気中で約１加持間放置した以外は実施例と同様な
操作を行なった。
ｏの大気中で約１加持間放置した以外は実施例と同様な
操作を行なった。
前記の放置後顧微鏡で観察したところ、照射部およびそ
の近傍に直径略１０仏のの円形のＡＩ又はＮ−Ｓｉの変
質部が多数認められた。
の近傍に直径略１０仏のの円形のＡＩ又はＮ−Ｓｉの変
質部が多数認められた。
又プラズマエッチングによりＡ】及びＡＩ−Ｓｉをエッ
チングしたところ、前記の変質部にに対応し、かつレジ
ストパターンの存在しない部分にＮ及びＡＩ−Ｓｉがエ
ッチングされずに残り、そのパターン精度は実施例に比
して劣った。
チングしたところ、前記の変質部にに対応し、かつレジ
ストパターンの存在しない部分にＮ及びＡＩ−Ｓｉがエ
ッチングされずに残り、そのパターン精度は実施例に比
して劣った。
以上の説明から明らかなように本発明はＡＩ又はＡＩ合
金のパターン形成に、レジスト膜としてＣＭＳを使用し
た場合極めて有効である。
金のパターン形成に、レジスト膜としてＣＭＳを使用し
た場合極めて有効である。
Claims (1)
- １ Ａｌ基体又はＡｌ合金基体上にクロロメチル化ポリ
スチレンより成るレジスト膜を設け、遠紫外線、粒子線
又はＸ線を該レジスト膜の所定位置に照射した後現像し
て該基体上に該レジスト膜のパターンを形成し、次いで
該パターンをマスクとして該基体をエツチングしてパタ
ーンを形成する方法において、照射後熱処理し、次いで
現像を行なうことを特徴とするＡｌ又はＡｌ合金パター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10125580A JPS6013432B2 (ja) | 1980-07-25 | 1980-07-25 | Ａｌ又はＡｌ合金パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10125580A JPS6013432B2 (ja) | 1980-07-25 | 1980-07-25 | Ａｌ又はＡｌ合金パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5726170A JPS5726170A (en) | 1982-02-12 |
| JPS6013432B2 true JPS6013432B2 (ja) | 1985-04-06 |
Family
ID=14295799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10125580A Expired JPS6013432B2 (ja) | 1980-07-25 | 1980-07-25 | Ａｌ又はＡｌ合金パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013432B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333429U (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-03 | ||
| JPH02298828A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Hamamatsu Photonics Kk | 日射センサ |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57142637A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-03 | Fujitsu Ltd | Treatment of negative type resist |
| JPS60223619A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-08 | Sudou Denki Seisakusho:Kk | 高周波誘導加熱による部材曲げ加工の位置制御装置 |
| JPS62254925A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Hitachi Ltd | 金属管の熱間曲げ加工法 |
-
1980
- 1980-07-25 JP JP10125580A patent/JPS6013432B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333429U (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-03 | ||
| JPH02298828A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Hamamatsu Photonics Kk | 日射センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5726170A (en) | 1982-02-12 |
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