JP3735665B2 - 微細パターン形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細パターン形成方法の改良に関するものである。さらに詳しくいえば、本発明は、電子線を用いたリソグラフィー法により、部分的に異なる耐エッチング性を有する微細パターンを容易に形成することができる微細パターン形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、ICやLSIなどの半導体素子などの製造プロセスにおいては、ホトレジストを用いたリソグラフィー法による微細加工がなされている。これは、シリコンウエーハなどの基板上にホトレジストの薄膜を形成し、これに活性光線を照射して画像形成処理したのち、現像処理して得られたレジストパターンをマスクとして、基板をエッチングする方法である。
【0003】
近年、半導体素子の高集積化度が急速に高まり、高い精度の微細加工が要求されるようになってきた。それに伴い、照射に用いられる活性光線も電子線、エキシマレーザー、X線などが使用され始めている。
【0004】
上記電子線に感応する有機レジストとして、多種多様のものが知られているが、従来の有機レジストは、解像度が低い上に、耐ドライエッチング性が不十分なため、10nmオーダー程度の微細なエッチング加工を行う場合には、リフトオフやエッチングにより他のドライエッチング耐性を有する材料に転写するという煩雑な方法を用いなければ、アスペクト比の高い微細パターンを得ることができなかった。
【0005】
他方、半導体素子の高集積化に際し、基板上にエッチングにより複数段のパターンを形成させることが必要になってきている。従来、このような多段パターン形成するには、例えば図1に示す工程図に従い、先ず基板1の上に感光層2を設け(a)、所定の領域2′のみに選択的な露光処理を施して画像を形成させ(b)、現像処理して領域2′以外の感光層を除いて第一パターンを形成させ(c)、このパターンをマスクとしてドライエッチング処理して第一のステップ3を形成させたのち(d)、再び基板表面に感光層4を設け(e)、前記と同様に露光、現像を行って第二パターン4′を形成させ(f、g)、さらにドライエッチング処理して第二のステップ5を形成させる(h)という複雑な工程がとられていた。この方法においては、第1段階の画像形成処理後、描画装置から試料を取り出し、エッチングなどの加工を行ったのち、再び第2段階の画像形成処理のために、試料を描画装置に戻さねばならず、したがって、第2段階の画像形成では、第1段階のパターンに対する位置合わせが必要であって、かなりの高精度な位置合わせが要求されるなどの問題があり、ナノメーターオーダーの加工は不可能であった。このため、このような工程を簡略化して、工業的に実施するのに適した方法に対する要望が高まってきていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような事情のもとで、電子線を用いるリソグラフィー法により、部分的に異なる耐エッチング性を有する微細パターンを容易に形成することができ、1回のドライエッチングにより二段ステップ加工を行いうる方法を提供することを目的としてなされたものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の微細パターン形成方法は、基板上に、エチレン性不飽和単量体単位の少なくとも1種を繰り返し単位とする重合体又は共重合体から成る電子線感応層を設ける。二段に異なった照射量の電子線照射による画像形成処理を行った後、低分子量ケトンにより現像処理し、二段に異なった照射量に対応して部分的に異なる耐エッチング性を有するマスクを形成する。エッチング処理することにより異なる耐エッチング性に応じて二段のステップをもつ微細パターンを形成する。
【0008】
【発明の実施の形態】
プロピレン、スチレン、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリルアミド、メタクリルアミドなどのエチレン性不飽和単量体の重合体又は共重合体の中である程度高い分子量(約104amu以上)をもつものは、メチルイソブチルケトンのような比較的高い分子量のケトンに不溶であるが、電子線を照射すると、主鎖が切断され、このケトンに溶解するようになるので、この物性を利用して、ポジ型レジストとして用いられている。
ところで、前記の重合体や共重合体は、アセトンのような低分子量のケトンには分子量の大小にかかわらず溶解するが、主鎖切断が進行する照射量よりも大きい照射量の電子線を照射すると、側鎖の脱離と重合が起りはじめ、1種の炭化現象が進行する結果、低分子量ケトンにも不溶となり、この物性を利用して現像すれば電子線の照射部分のみをパターンとして残すことができる。この現像は、低分子量ケトンのみにより可能であって、従来現像液として用いられてきたメチルイソブチルケトンのような高分子量ケトンでは、良好なコントラストで現像することはできない。
【0009】
そして、前記の重合体又は共重合体を電子線感応層として基板表面に施し、それぞれ異なった照射量の電子線照射による画像形成処理を行ったのち、低分子量ケトンによる現像処理を行うと、耐ドライエッチング性の異なる複数ステップのパターンが形成されるので、これをドライエッチングすることにより、基板に1回の操作で複数ステップの微細加工を行うことができる。本発明は、これらの知見に基づいてなされたものである。
【0010】
すなわち、本発明は、基板上に、エチレン性不飽和単量体単位の少なくとも1種を繰り返し単位とする重合体又は共重合体から成る電子線感応層を設け、それぞれ異なった照射量の電子線照射による画像形成処理を行ったのち、低分子量ケトンにより現像処理することを特徴とする部分的に異なる耐エッチング性を有する微細パターン形成方法を提供するものである。
【0011】
本発明の微細パターン形成法においては、電子線感応層をエチレン性不飽和単量体単位の少なくとも1種を繰り返し単位とする重合体又は共重合体で形成することが重要である。この重合体又は共重合体として、好ましくは、一般式(I)
【化2】
(式中のR1は水素原子又はメチル基、R2は水素原子、メチル基、フェニル基、カルボキシル基、エステル基又はアミド基である)で表わされる少なくとも1種のエチレン性不飽和単量体から誘導される単位を繰り返し単位とする重合体又は共重合体が用いられる。この一般式(I)の重合体又は共重合体を形成するための単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸、2‐フェニルアクリル酸、2‐アセチルアクリル酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、2‐フェニルアクリル酸メチル、2‐アセチルアクリル酸メチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、2‐フェニルアクリルアミド、2‐アセチルアクリルアミドなど少なくとも1種が用いられるが、これらの中でメタクリル酸メチルを単独で用いるのが好ましい。これらの重合体又は共重合体が電子線により、側鎖の脱離や再重合を起すことは、これまで既に知られている(例えば、昭和59年7月30日産業図書出版株式会社発行、鳳紘一郎編著、「半導体リソグラフィー技術」,第2章参照)
【0012】
本発明において、電子線感応層を形成する重合体又は共重合体は、分子量が1000〜200万の範囲のものが好適であり、また単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよいが、特にポリメチルメタクリレートが好適である。
【0013】
本発明方法においては、まず基板上に前記重合体又は共重合体から成る電子線感応層を設ける。ここで、基板については特に制限はなく、従来リソグラフィー法による微細パターン形成において慣用されているもの、例えばシリコンウエーハをはじめ、窒化ケイ素、ガリウム‐ヒ素、アルミニウム、インジウム、チタン酸化物などの被膜を有するものを用いることができる。
【0014】
基板上に電子線感応層を設けるには、例えば前記重合体又は共重合体を適当な溶媒に溶解して塗布液を調製し、これをスピンナーなどで基板上に塗布し、乾燥させる方法などが好ましく用いられる。この電子線感応層の厚さは、通常10〜100nmの範囲で選ばれる。
【0015】
次に、このようにして基板上に設けられた電子線感応層に、異なった照射量の電子線を照射して画像を形成させる。この画像形成処理は2回以上行う。電子線の照射量については、前記重合体又は共重合体の主鎖切断が進行する電子線照射量より多い照射量の電子線を照射し、側鎖も脱離と重合が起こる状態、いわば炭化したような状態にすることが肝要である。このような状態になると、アセトンなどの低分子量ケトンに不溶となるため、次工程の低分子量ケトンによる現像処理において、電子線の未照射部分が溶解除去され、照射部分のみが残り、コントラストよく現像される。
【0016】
このような電子線の照射量は、前記重合体又は共重合体の種類に応じて適宜選ばれ、通常20keVの電子線では5×10-4C/cm2以上、好ましくは5×10-3C/cm2以上であり、その上限は特に制限はないが、実用上には102C/cm2、好ましくは10C/cm2である。本発明方法における電子線による画像形成は、電子線走査による描画が一般的であるが、所望ならば所定のマスクパターンを用い、これを介して行うこともできる。
【0017】
このようにして、電子線照射したのち、現像処理が施されるが、本発明においては、現像液として、低分子量ケトン、中でもアセトン、メチルエチルケトン及びジエチルケトンの中から選ばれた1種又は2種以上の混合物が用いられる。これらの中で、特にアセトンが現像性の点で好適である。現像処理方法としては、通常従来慣用されている浸せき法が用いられる。この現像処理により、未照射部分が除去され、原画に忠実なレジストパターンが形成される。
【0018】
次に、常法により、このようにして形成されたレジストパターンをマスクとして、基板のエッチング処理を行う。このエッチング処理としては、ドライエッチング処理が好ましく用いられ、特に電子サイクロトロン共鳴型(ECR)エッチング装置を使用するドライエッチング処理が好適である。このようにして、アスペクト比の高い微細パターンが高解像度で、かつ容易に形成される。
【0019】
このような本発明の微細パターン形成方法は、レジストが前記したような炭化のメカニズムで電子線に感光することを利用しているため、アセトンなどの低分子量ケトンで溶解されなかった部分、すなわち形成されたレジストパターンのドライエッチング耐性が高く、したがって、従来技術のように、他のドライエッチング耐性を有する材料へのパターン転写などの手法を用いなくても、アスペクト比の高い微細パターンを形成することができる。また、電子線の照射の際、レジストの主鎖切断が進行して、分子の大きさが小さくなっているため、解像度も高くなる。
【0020】
本発明方法として、好ましくは、1回の現像及びエッチング処理で複数段のステップをもつ微細パターンを形成させる方法が用いられるが、これについて以下説明する。
【0021】
本発明において用いられる電子線感応層を構成する前記重合体又は共重合体は、一般に図2に示す特性を有している。すなわち、領域Aの低照射線量露光領域では耐エッチング性が低く、一方、領域Bの高照射線量露光領域では耐エッチング性が高い。このような特性を利用し、前記のようにして基板上に形成された電子線感応層に、まず低照射線量(領域A)の電子線を照射して所要の画像形成を行ったのち、この照射部分の一部にさらに高照射線量(領域B)の電子線を照射して異なった画像形成を行い、次いで、前記と同様にして現像処理及びエッチング処理を施す。このエッチング処理により、低照射線量の照射部分は耐エッチング性が低いため、エッチングの比較的早い時期にマスクが削り取られるが、高照射線量の照射部分は耐エッチング性が高いので、エッチングに対するマスクとして機能する。したがって、1回の現像及びエッチング処理により、2段のステップをもつアスペクト比の高い微細パターンを高解像度で、かつ容易に形成することができる。
【0022】
図3は、本発明方法により、1回の現像及びエッチング処理で2段のステップをもつ微細パターンを形成するための工程図の1例であり、まず、基板1上に電子線感応層2を形成したのち[(a)工程]、低照射線量の電子線を照射して第1回目の画像形成を行い[(b)工程]、次いでこの照射部分2′の一部2″に高照射線量の電子線を照射して、第2回目の画像形成を行う[(c)工程]。次に、これを現像処理すると、それぞれ耐エッチング性の異なるマスク(2′、2″)が形成されるので、[(d)工程]、エッチング処理することにより、(e)を経て、2段のステップをもつ微細パターン(f)が形成される。
【0023】
このような方法においては、図2に示すように、レジストの耐エッチング性が領域Aのような平らな部分、すなわち、耐エッチング性が電子照射量にほとんど依存しない領域を途中でもっていることは重要なことである。これは、このような領域があると、多少電子線強度が揺らいでも、均一なパターンを形成することができるからである。つまり、照射する電子線の量が大まかに領域A、領域Bに入るように照射線量を管理すればよい。逆に、このような領域がないと、形成されるパターンは電子線強度を敏感に反映することになるため、電子線強度を極めて厳密に制御しなければならない。
【0025】
【発明の効果】
本発明方法によると、電子線を用いたリソグラフィー法により、部分的に異なる耐エッチング性を有する微細パターンを容易に形成することができ、特に1回の現像及びエッチング処理により、複数のステップをもつアスペクト比の高い微細加工パターンを高解像度で容易に形成することができる。
【0026】
【実施例】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
【0027】
参考例分子量60万のポリメチルメタクリレート(以下、PMMAと略記する)を、シリコン基板上にスピンコート法により75nmの厚さに塗布し、電子線感応層を形成したのち、これに、20keVの電子線を、所定の微細パターンに沿って、10-5〜10-1C/cm2の照射量の範囲で照射し、次いでアセトンに2分間浸せきして現像処理を行った。また、比較のために、同じ条件でメチルイソブチルケトンによる現像処理を実施した。
【0028】
この際の感度特性を図4に示す。図4において、横軸は20keV電子線の照射量を、縦軸は膜厚を示す。また、Aは露光後の膜厚、Bは露光後メチルイソブチルケトンで現像した後の膜厚、Cは露光後アセトンで現像した後の膜厚である。
【0029】
この図4から分かるように、メチルイソブチルケトンによる現像では、1×10-3〜5×10-3C/cm2の照射量のあたりでは残膜厚が揺らいでおり、パターン形成には利用できない。これに対し、アセトンによる現像では揺らぎがみられず、コントラストよく現像されている。
【0030】
さらに、図4から明らかなように、このPMMAはネガティブ型レジストとして、5×10-3C/cm2の感度を有している。また、電子線照射後の膜厚は、電子線照射量が増大するほど薄くなっている。これは、電子線照射によってPMMA分子の側鎖が脱離し、さらに重合が進行して炭化されたようになるためである。このため、エッチングに対する耐性も高くなる。
【0031】
次に、この分子量60万のPMMAを、シリコン基板上にスピンコート法で75nmの厚さに塗布したのち、20keVの電子線を0.1C/cm2の照射量で10nmドットのパターニングを行い、次いでアセトンで2分間現像したところ、実際に直径10nmのドットパターンを形成することができた。次に、この試料を電子サイクロトロン共鳴型(ECR)エッチング装置内に入れ、上記パターンをマスクとしてドライエッチング(試料温度:−130℃、エッチングガス:SF61×10-4torr、マイクロ波:2.45GHz、250W、試料に13.56MHz高周波5Wを印加)を1分間行った。その結果、直径10nm、高さ90nmのシリコンの柱を形成することができた。
【0032】
実施例1分子量60万のPMMAを、シリコン基板上にスピンコート法にて75nmの厚さに塗布し、電子線感応層を形成したのち、これに、20keVの電子線を、所定の微細パターンに沿って、2×10-4〜5×100 C/cm2の範囲の照射量で照射し、次いでアセトンで2分間現像処理し、さらに残ったPMMA膜をマスクとして、実施例1と同様にSF6ガスによるECRエッチングを行った。
【0033】
図5に、電子線照射量と、現像後のPMMAの膜厚(B)及びECRエッチング後形成されたシリコンパターンのマスクで覆われていなかった部分から測定した高さ(A)との関係を示す。この高さは耐エッチング性に相当する。その理由は、耐エッチング性が低いと、レジストは比較的早く削り取られてしまい、以降は、地のシリコンと同じ早さでエッチングされていくので、底からの段差があまりつかない。一方、耐エッチング性が高いとマスクが長時間残っているので、マスクの下のシリコンはなかなか削られ始められず、シリコンパターンの高さが高くなるからである。
【0034】
この図5から分かるように、PMMAは、ネガティブレジストとして用いる場合、ドライエッチングに対する耐性が図2に示すような特性をもつ。すなわち、領域Aに相当するのは6×10-3〜1×10-1C/cm2であり、領域Bに相当するのは2×10-1C/cm2以上である。したがって、PMMAを塗布したシリコン基板に、20keVの電子線を1×10-2C/cm2の照射量で、1μm×1μmの矩形領域を露光し、次いで0.3C/cm2の照射量で直径10nmのドットパターンを矩形領域の中に露光したのち、アセトンで2分間現像処理し、上記と同条件でECRエッチングを行うことによって、1μm2のテラスの上に直径10nmのシリコンの柱が立っている構造のものを作成することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】2段のステップをもつ微細パターンを形成するための従来のリソグラフィー法の1例を示す工程図。
【図2】本発明で用いられる電子線感応層における電子線照射量と耐エッチング性との関係を示すグラフ。
【図3】本発明方法により、1回の現像及びエッチング処理で2段のステップをもつ微細パターンを形成するための工程図。
【図4】参考例において、電子線感応層に20keV電子線を照射した際の特性を示すグラフ。
【図5】実施例1において、電子線照射量と、現像後のPMMAの膜厚及びエッチング後形成されたシリコンパターンのマスクで覆われていなかった部分から測定した高さとの関係を示すグラフ。
【符号の説明】
1 基板
2 感光層
Claims (4)
- 基板上に、エチレン性不飽和単量体単位の少なくとも1種を繰り返し単位とする重合体又は共重合体から成る電子線感応層を設け、
二回の電子線照射により二段に異なった照射量の画像形成処理を行った後、アセトン、メチルエチルケトン及びジエチルケトンの中から選ばれた少なくとも1種である低分子量ケトンにより現像処理し、前記二段に異なった照射量に対応して部分的に異なる耐エッチング性を有するマスクを形成し、
エッチング処理することにより前記異なる耐エッチング性に応じて二段のステップをもつ微細パターンを形成することから成る微細パターン形成方法。 - 電子線感応層がポリメチルメタクリレートから成る請求項1又は2記載の方法。
- 5×10 -4 〜1×10 2 C/cm 2 の範囲内の照射量で電子線を照射する請求項1ないし3のいずれかに記載の方法。
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