KR940006196A - 패턴형성방법 - Google Patents

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Abstract

반도체기판의 표면을 수소원자를 부여하는 표면처리를 행하고, 상기 표면의 소정의 영역을 조사하고, 상기 소정의 영역이외의 비조사영역상에 선택적으로 금속막을 형성하고, 상기 금속막을 마스크로 사용하여 상기 반도체 기판을 에칭한다.

Description

패턴형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(A) 내지 제1도(F)는 본 발명의 제1 실시예에 의한 패턴형성방법을 설명하기 위한 모식도,
제2도(A)내지 제2도(F)는 본 발명의 제2실시예에 의한 패턴형성방법을 설명하기 위한 모식도,
제3도(A) 내지 제3도(F)는 본 발명의 제3 실시예에 의한 패턴형성방법을 설명하기 위한 모식도,
제4도(A) 내지 제4도(F)는 본 발명의 제4 실시예에 의한 패턴형성방법을 설명하기 위한 모식도.

Claims (35)

  1. 반도체기판의 표면에 수소원자를 부여하는 표면처리를 행하는 공정과, 상기 표면의 소정의 영역에 에너지선을 조사하는 공정과. 소정의 영역이외의 비조사영역에 선택적으로 금속막을 형성하는 공정과, 상기 금속막을 마스크로 사용하여 상기 반도체기판을 에칭하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  2. 절연성표면을 가지는 기판상에 반도체막을 헝성하는 공정과, 상기 반도체막의 표면에 수소원자를 부여하는 표면처리를 행하는 공정과, 상기 표면의 소정의 영역을 에너지선으로 조사하는 공정과, 소정의 영역이외의 비조사영역에 선택적으로 금속막을 형성하는 공정과, 상기 금속막을 마스크로 사용하여 상기 절연성표면을 에칭하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 불화수소산을 사용하여 상기 표면처리를 행하는 것을 특징으로 하는 패턴형성 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 에너지선은 전자비임, 이온비임 또는 자외선인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속막을 화학기상퇴적법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  6. 1항 또는제2항에 있어서, 유기화합물을 원료로 사용하여, 화학기상퇴적법에 의해 상기 금속막을 형성한 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 알킬알루미늄하이드라이드를 사용하여 화학기상퇴적법에 의해 상기 금속막을 형성한 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 에칭은 이방성에칭인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 디메틸알루미늄하이드라이드를 사용하여 화학기상퇴적법에 의해 상기 금속막을 형성한 것을 특징으로 하는 패턴헝성방법.
  10. 투광성기판상에 차광박막을 형성하는 공정과, 상기 박막의 표면에 수소원자를 부여하는 표면처리를 행하는 공정과, 상기 박막표면외 소정영역을 에너지선으로 조사하는 공정과, 소정의 영역이외의 비조사영역상에 선택적으로 금속막을 형성하는 공정과, 상기 금속막을 마스크로 사용하여 상기 박막을 에칭하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 금속막을 제거하는 공정을 부가하여 포함한 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  12. 제10항에 있어서 상기 투광성기판은 석영으로 이루어진 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  13. 제10항에 있어서 상기 박막은 실리콘을 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 금속막 알루미늄을 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 금속막은 화학기상퇴적법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  16. 제10항에 있어서, 유기화합물을 사용하여, 화학기상퇴적법에 의해 상기 금속막을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  17. 제10항에 있어서, 알킬알루미늄하이드라이드를 사용하여 화학기상퇴적법에 의해 상기 금속막을 헝성하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법
  18. 제 10항에 있어서, 디메틸알루미늄 하이드라이드를 사용하여 화학기상퇴적법에 의해 상기 금속막을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  19. 제10항에 있어서, 상기 표면처리는, 불소원자를 함유한 가스 또는 불수소산수용액을 이용하는 세정공정과, 순수(pure water)를 사용하는 세정공정과, 건조공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  20. 제10항에 있어서, 상기 차광성박막은 복수의 막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  21. 제10항에 있어서, 상기 차광성박막은 복수의 막으로 구성되고, 상기 막의 최상부의 막은 실리콘을 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  22. 제1항에 기재된 패턴형성방법을 사용하여 반도체장치를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체제조방법.
  23. 제2항에 기재된 패턴형성방법을 사용하여 반도체장치를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체제조방법.
  24. 제10항에 기재된 패턴형성방법을 사용하여 포토마스크를 제작하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  25. 기판의 표면에 수소를 부여하는 표면처리를 행하는 공정과, 상기의 소정의 영역을 에너지 선으로 선택적으로 조사하는 공정과, 소정의 영역이외의 비조사영역에 박막을 선택적으로 헝성하는 공정과, 상기 박막을 화학적변환을 행하여 광투과성박막으로 변환하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  26. 제25항에 있어서, 불수소산을 사용하여 상기 표면처리를 행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  27. 제25항에 있어서, 상기 에너지선은 전자비임 또는 이온비임인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  28. 제25항에 있어서, 상기 박막은 알루미늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  29. 제25항에 있어서, 상기 기판은 차광성막을 형성한 투광성기관인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  30. 제25항에 있어서, 상기 박막은 화학기상퇴적법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  31. 제30항에 있어서, 유기화합물을 원료로 사용하여 상기 화학기상퇴적법을 행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  32. 제31항에 있어서, 상기 유기화합물은 알킬알루미늄 하이드라이드로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 알킬알루미늄하이드라이드는 디메틸알루디늄 하이드라이드인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  34. 제25항에 있어서, 상기 화학변화는 산화인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  35. 제25항에 있어서, 상기 투광성박막은 알루미늄산화막인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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