KR940016481A - 포토리소그래피공정에 의한 미세패턴 형성방법 - Google Patents
포토리소그래피공정에 의한 미세패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 전자선 노광 장치의 저가속 전압과 표면 형상기법을 이용한 초미세 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 전자선 노광장치를 사용하여 미세 패턴을 형성하는 포토리소그래피공정에 있어서, 낮은 가속 전압의 전자선을 사용하여 포토레지스트의 상부표면 부위만 선택적으로 노광시킨 후, 화학적 반응에 의해 상기 포토레지스트의 노광되지 않는 부위상에 실리콘을 함유한 층을 형성한 다음 산소플라즈마를 이용한 건식식각공정에 의해 상기 실리콘을 함유한 다음 산소플라즈마를 이용한 건식식각공정에 의해 상기 실리콘을 함유한 층과 산소플라즈마를 반응시켜 SiOx층을 형성하고 이 SiOx층을 마스크로 이용하여 상기 포토레지스트의 노광된 표면부위 및 그 하부층을 식각하여 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피공정에 의한 미세 패턴 형성 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 고행상도의 초미세 패턴의 형성이 가능하며 반도체장치 제조시 수율을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 4 도 내지 제 8 도는 본 발명에 의한 패턴 형성 방법을 나타낸 도면.
Claims (6)
- 전자선 노광 장치를 사용하여 미세 패턴을 형성하는 포토리소그래피공정에 있어서, 낮은 가속 전압의 전자선을 사용하여 포토레지스트의 상층 표면 부위만 선택적으로 노광시킨 후, 화학적 반응에 의해 상기 포토레지스트의 노광되지 않는 부위상에 실리콘을 함유한 층을 형성한 다음 산소플라즈마를 이용한 건식식각공정에 의해 상기 실리콘을 함유한 층과 산소플라즈마를 반응시켜 SiOx층을 형성하고 이 SiOx층을 마스크로 이용하여 상기 포토레지스트의 노광된 표면부위 및 그 하부층을 식각하여 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피공정에 의한 미세 패턴 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전자선의 가속 전압은 1KV~5KV임을 특징으로 하는 포토리소그래피공정에 의한 미세 패턴 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 화학적 반응에 의한 실리콘을 함유한 층은 실리콘 함유 물질이나 HMDS, TMDS, DMSTMA, TMSDMA, B[DMA]DMS 등의 물질 또는 유기금속 반응물을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피공정에 의한 미세 패턴 형성 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 유기금속 반응물은 기상 또는 액상으로 처리하여 상기 선택적으로 노광된 포토레지스트 표면에 분사하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피공정에 의한 미세 패턴 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트는 전자선에 의해 노광이 가능한 포토레지스트임을 특징으로 하는 포토리소그래피공정에 의한 미세 패턴 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 건식 식각 공정은 O2플라즈마나 CH4+O2플라즈마중에서 선택한 어느 하나 또는 둘을 복합한 공정에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피공정에 의한 미세 패턴 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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