KR970018032A - 반도체 장치의 스몰콘택 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 스몰콘택 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970018032A KR970018032A KR1019950029316A KR19950029316A KR970018032A KR 970018032 A KR970018032 A KR 970018032A KR 1019950029316 A KR1019950029316 A KR 1019950029316A KR 19950029316 A KR19950029316 A KR 19950029316A KR 970018032 A KR970018032 A KR 970018032A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- etching
- polysilicon layer
- pattern
- polysilicon
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
폴리실리콘막을 마스크로 이용하는 반도체 장치의 스몰콘택 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 스몰콘택 형성방법은 실리콘 기판상에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막 상에 폴리실리콘막을 형성하는 단계와, 상기 폴리실리콘막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 상기 폴리실리콘막을 식각하여 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 폴리실리콘막 패턴을 마스크로 상기 산화막을 식각하여 상기 실리콘 기판을 노출하는 스몰콘택을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명은 폴리실리콘막을 마스크로 콘택 식각을 할 경우 높은 종횡비에 의한 식각 중지 현상을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 스몰콘택 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 도면들이다.
Claims (5)
- 실리콘 기판 상에 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막 상에 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 상기 폴리실리콘막을 식각하여 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘막 패턴을 마스크로 상기 산화막을 식각하여 상기 실리콘 기판을 노출하는 스몰콘택을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스몰콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 단계에서, 불소계 가스를 이용한 폴리머 공정을 적용하여 콘택 사이즈를 포토레지스트 패턴의 폭보다 작게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스몰콘택 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 폴리머 공정은 CF4/CHF3/Ar의 Gas를 이용하여 인시츄로 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스몰콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막의 식각에 사용되는 식각가스는 불소계 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스몰콘택 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 불소계 가스는 CF4, CHF3, C2F6, C3F8및 C4F8중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스몰콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950029316A KR970018032A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 반도체 장치의 스몰콘택 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950029316A KR970018032A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 반도체 장치의 스몰콘택 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970018032A true KR970018032A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66596457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950029316A KR970018032A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 반도체 장치의 스몰콘택 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970018032A (ko) |
-
1995
- 1995-09-07 KR KR1019950029316A patent/KR970018032A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR0122315B1 (ko) | 고집적 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 | |
KR970018032A (ko) | 반도체 장치의 스몰콘택 형성방법 | |
KR950021075A (ko) | 반도체장치의 콘택홀 형성방법 | |
KR970018180A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
KR970023816A (ko) | 멀티 레이어 식각 방법 | |
KR970053955A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
KR970048998A (ko) | 미세 패턴 형성방법 | |
KR970077456A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
KR960015751A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
KR940016508A (ko) | 경사면을 갖는 반도체 소자의 콘택 제조 방법 | |
KR970008354A (ko) | 스몰 콘택홀을 갖는 반도체 장치의 제조방법 | |
KR960030413A (ko) | 반도체장치의 트렌치 형성방법 | |
KR970052317A (ko) | 반도체 장치의 미세 접촉창 형성 방법 | |
KR950004408A (ko) | 반도체 장치의 폴리실리콘 패턴 형성방법 | |
KR970016761A (ko) | 건식식각이 가능한 포토마스크 제조방법 | |
KR970054601A (ko) | 반도체 디바이스 제조공정의 금속층 패터닝(Patterning) 방법 | |
KR970052761A (ko) | 반도체소자의 패턴 형성방법 | |
KR950025927A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
KR970023635A (ko) | 반도체장치의 미세패턴 형성방법 | |
KR20030096669A (ko) | 반도체 메모리 장치의 게이트 제조방법 | |
KR980011969A (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
KR970052354A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성방법 | |
KR970072094A (ko) | 반도체 장치의 콘택 식각 방법 | |
KR950019934A (ko) | 메탈(Metal) 식각후의 폴리머 제거 및 단차를 줄이는 방법 | |
KR950001918A (ko) | 질화막을 이용한 게이트패턴 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |