KR960030413A - 반도체장치의 트렌치 형성방법 - Google Patents
반도체장치의 트렌치 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 트렌치 형성방법에 관한 것으로, 실리콘과 포토레지스트의 식각선택비를 이용하여 중간 마스크층 없이 트렌치를 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 실리콘기판상에 소정의 포토레지스트패턴을 형성하는 공정과, HBr+Cl2+O2로 상기 포토레지스트패턴을 플라즈마 처리하는 공정, 및 상기 포토레지스트패턴을 마스크로 이용하여 실리콘기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정으로 이루어지는 반도체장치의 트렌치 형성방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 트렌치 형성방법을 도시한 공정순서도, 제2도는 본 발명에 의한 트렌치 형성방법을 도시한 공정순서도.
Claims (2)
- 실리콘기판상에 소정의 포토레지스트패턴을 형성하는 공정과, HBr+Cl2+O2로 상기 포토레지스트패턴을 플라즈마 처리하는 공정, 및 상기 포토레지스트패턴을 마스크로 이용하여 실리콘기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 트렌치 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 HBr+Cl2+O2의 조성에 있어서 O2의 유량을 HBr의 유량의 10% 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 트렌치 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950000272A KR100320445B1 (ko) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | 반도체장치의트렌치형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950000272A KR100320445B1 (ko) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | 반도체장치의트렌치형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR960030413A true KR960030413A (ko) | 1996-08-17 |
KR100320445B1 KR100320445B1 (ko) | 2002-08-09 |
Family
ID=66531439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950000272A KR100320445B1 (ko) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | 반도체장치의트렌치형성방법 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR100320445B1 (ko) |
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US8551689B2 (en) | 2010-05-27 | 2013-10-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing semiconductor devices using photolithography |
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1995
- 1995-01-09 KR KR1019950000272A patent/KR100320445B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR100320445B1 (ko) | 2002-08-09 |
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