KR960030413A - 반도체장치의 트렌치 형성방법 - Google Patents

반도체장치의 트렌치 형성방법 Download PDF

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KR960030413A
KR960030413A KR1019950000272A KR19950000272A KR960030413A KR 960030413 A KR960030413 A KR 960030413A KR 1019950000272 A KR1019950000272 A KR 1019950000272A KR 19950000272 A KR19950000272 A KR 19950000272A KR 960030413 A KR960030413 A KR 960030413A
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이준식
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Abstract

본 발명은 반도체장치의 트렌치 형성방법에 관한 것으로, 실리콘과 포토레지스트의 식각선택비를 이용하여 중간 마스크층 없이 트렌치를 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 실리콘기판상에 소정의 포토레지스트패턴을 형성하는 공정과, HBr+Cl2+O2로 상기 포토레지스트패턴을 플라즈마 처리하는 공정, 및 상기 포토레지스트패턴을 마스크로 이용하여 실리콘기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정으로 이루어지는 반도체장치의 트렌치 형성방법을 제공한다.

Description

반도체장치의 트렌치 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 트렌치 형성방법을 도시한 공정순서도, 제2도는 본 발명에 의한 트렌치 형성방법을 도시한 공정순서도.

Claims (2)

  1. 실리콘기판상에 소정의 포토레지스트패턴을 형성하는 공정과, HBr+Cl2+O2로 상기 포토레지스트패턴을 플라즈마 처리하는 공정, 및 상기 포토레지스트패턴을 마스크로 이용하여 실리콘기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 트렌치 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 HBr+Cl2+O2의 조성에 있어서 O2의 유량을 HBr의 유량의 10% 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 트렌치 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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