KR970023737A - 반도체장치의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체장치의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970023737A KR970023737A KR1019950037219A KR19950037219A KR970023737A KR 970023737 A KR970023737 A KR 970023737A KR 1019950037219 A KR1019950037219 A KR 1019950037219A KR 19950037219 A KR19950037219 A KR 19950037219A KR 970023737 A KR970023737 A KR 970023737A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- etching
- etch
- forming
- metal
- semiconductor device
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
반도체장치의 금속배선 형성방법이 개시되어 있다.
본 발명은 반도체 기판상에 형성된 금속막 위에 금속막보다 식각선택비가 낮은 물질로 된 식각보호막을 형성하는 공정, 식각보호막 위에 포토 리소그라피를 이용하여 포토 레지스트로 된 제 1 식각마스크를 형성하는 공정, 제 1 식각마스크를 사용한 식각을 통해 식각보호막으로된 제 2 식각마스크를 형성하는 공정 및 제 2 식각마스크를 사용하여 금속막을 식각하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
따라서, 반도체장치의 단선, 노칭 등 부분적 손실이 없고 전기적 기능 특성에 대한 문제가 없는 금속배선을 형성하는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도 내지 제 3 도는 본 발명의 일 실시예를 이루는 공정들에 의해 형성된 반도체장치의 측단면을 나타낸 도면들이다.
제 5 도는 본 발명의 다른 실시예를 이루는 공정들에 의해 형성된 반도체장치의 측단면을 나타낸 도면들이다.
Claims (5)
- 반도체 기판상에 형성된 금속막 위에 상기 금속막보다 식각선택비가 낮은 물질로 된 식각보호막을 형성하는 공정 ; 상기 식각보호막 위에 포토리소그라피를 이용하여 포토 레지스트로 된 제 1 식각마스크를 형성하는 공정 ; 상기 제 1 식각마스크를 사용한 상기 식각보호막의 식각은 통해 상기 식각보호막으로 된 제 2 식각마스크를 형성하는 공정; 및 상기 제 2 식각마스크를 사용하여 상기 금속막을 식각하는 공정; 을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 식각은 플라즈마 식각법에 의한 것임을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 금속배선 형성방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 금속막은 Al로 형성되고 상기 식각보호막은 실리콘 산화물, 실리콘 옥시나이트라이드 또는 실리콘 나이트라이드인 것을 특징으로 하는 상기 반도체 장치의 금속배선 형성방법.
- 제 3 항에 있어서 상기 식각보호막의 식각시 플라즈마 소오스가스로 염소계 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 금속배선 형성방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 식각마스크를 형성하는 공정 및 상기 금속막을 식각하는 공정이 동일한 공정챔버에서 인시튜(in situ)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950037219A KR970023737A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체장치의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950037219A KR970023737A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체장치의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023737A true KR970023737A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950037219A KR970023737A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체장치의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023737A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460798B1 (ko) * | 1997-06-19 | 2005-05-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자제조방법 |
-
1995
- 1995-10-25 KR KR1019950037219A patent/KR970023737A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460798B1 (ko) * | 1997-06-19 | 2005-05-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950034678A (ko) | 집적 회로내에 전도성 접속부 형성 방법 및, 그 회로내의 전도성 부재 | |
| KR970023737A (ko) | 반도체장치의 금속배선 형성방법 | |
| KR970051844A (ko) | 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법 | |
| KR960019522A (ko) | 반도체 소자의 플러그 형성방법 | |
| KR980006363A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR960002744A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR970077456A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR970024271A (ko) | 반도체장치의 금속 샐리사이드 형성방법 | |
| KR970023734A (ko) | 반도체장치의 콘택부 형성방법 | |
| KR950021096A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960026182A (ko) | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | |
| KR970077519A (ko) | 다층 금속배선 형성방법 | |
| KR970051889A (ko) | 반도체 소자의 자기 정렬 마스크 형성방법 | |
| KR970018216A (ko) | 반도체 장치의 평탄화 방법 | |
| KR970023635A (ko) | 반도체장치의 미세패턴 형성방법 | |
| KR970052660A (ko) | 반도체 소자의 아이솔레이션 방법 | |
| KR970023825A (ko) | 스페이서 필라를 이용한 반도체장치의 평탄화 방법 | |
| KR980006068A (ko) | 반도체 장치의 아이솔레이션 방법 | |
| KR970053424A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR960042980A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR980005572A (ko) | 반도체 소자의 금속층 패턴 형성방법 | |
| KR940010366A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 | |
| KR960026610A (ko) | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 | |
| KR960026174A (ko) | 반도체 메모리장치의 매몰접촉창 형성방법 | |
| KR960015751A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |