KR980005572A - 반도체 소자의 금속층 패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속층 패턴 형성방법을 제공하는 것으로, 금속층을 형성한 후 금속층 식각시 C12 가스 보다 BC13 가스의 양을 상대적으로 증가시키고, 하부전극에 전위를 높여주므로써 금속층에 수직방향으로의 식각을 강화하여 형성되는 금속층 패턴의 측면식각 및 부식을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 반도체 소자의 금속층 패턴 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 금속층 패턴 형성방법에 있어서, 실리콘기판상에 산화막 및 금속층을 형성하는 단계와 상기 단계로부터 감광막 패턴을 형성하는 단계와 상기 단계로부터 산화막이 노출될 때까지 하부전극에 전위를 높여준 상태에서 식각공정으로 상기 금속층을 식각하는 단계와 상기 단계로부터 상기 감광막 패턴을 제거하여 금속층 패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 식각공정은 하부전극에 전위를 높여준 상태에서 7:2 내지 3의 BC13혼합가스를 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024945A KR980005572A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 금속층 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024945A KR980005572A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 금속층 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005572A true KR980005572A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024945A KR980005572A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 금속층 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005572A (ko) |
-
1996
- 1996-06-28 KR KR1019960024945A patent/KR980005572A/ko not_active Application Discontinuation
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