KR980005787A - 반도체 제조 공정 - Google Patents
반도체 제조 공정 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980005787A KR980005787A KR1019960024015A KR19960024015A KR980005787A KR 980005787 A KR980005787 A KR 980005787A KR 1019960024015 A KR1019960024015 A KR 1019960024015A KR 19960024015 A KR19960024015 A KR 19960024015A KR 980005787 A KR980005787 A KR 980005787A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor manufacturing
- manufacturing process
- metal layer
- oxide film
- etching
- Prior art date
Links
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
반도체 장치의 패드부와 퓨즈부를 동시에 노출시키기 위한 반도체 제조 공정에 관하여 기재하고 있다. 이는, O2와 CHF3가스를 사용하는 플라즈마 식각 공정이 산화막 식각에 대한 금속층의 식각 선택비가 10:1 이상으로 유지되는 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 퓨즈부를 노출시키기 위하여 산화막을 제거할 때 금속층의 소모량을 감소시킴으로써 이 후의 공정에 의하여 와이어 본딩이 원활하게 수행된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 레이저 에칭 공정 및 패드 에칭 공정을 나타낸 단면도.
Claims (2)
- 소정 이상의 단차를 갖는 퓨즈부와 패드부를 노출시키기 위한 반도체 제조 공정에 있어서, O2와 CHF3가스를 사용하는 플라즈마 식각 공정이 산화막 식각에 대한 금속층의 식각 선택비가 10:1 이상으로 유지되는 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 식각 공정에 의하여 상기 퓨즈부와 패드부를 동시에 노출되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024015A KR980005787A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 제조 공정 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024015A KR980005787A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 제조 공정 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005787A true KR980005787A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024015A KR980005787A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 제조 공정 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005787A (ko) |
-
1996
- 1996-06-26 KR KR1019960024015A patent/KR980005787A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950034678A (ko) | 집적 회로내에 전도성 접속부 형성 방법 및, 그 회로내의 전도성 부재 | |
| KR870003575A (ko) | 반도체장치의 형성방법 | |
| KR950024017A (ko) | 선택적 식각방법 | |
| KR980005787A (ko) | 반도체 제조 공정 | |
| KR980005572A (ko) | 반도체 소자의 금속층 패턴 형성방법 | |
| KR970072319A (ko) | 반도체 장치의 층간절연막 형성 방법 | |
| KR970077523A (ko) | 다중금속막 형성방법 | |
| KR980005531A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970072098A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 | |
| KR970052419A (ko) | 반도체 소자의 패드 형성 방법 | |
| KR980006068A (ko) | 반도체 장치의 아이솔레이션 방법 | |
| KR980005619A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970077232A (ko) | 반도체 장치의 스몰콘택홀 형성방법 | |
| KR980006072A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR970072192A (ko) | 반도체장치의 금속배선 형성방법 | |
| KR970072094A (ko) | 반도체 장치의 콘택 식각 방법 | |
| KR930003254A (ko) | 반도체 장치의 금속배선 방법 | |
| KR980005596A (ko) | 반도체 장치의 금속콘택 형성방법 | |
| KR970077456A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR980005585A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성방법 | |
| KR970067646A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960042946A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| KR970072248A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR970023737A (ko) | 반도체장치의 금속배선 형성방법 | |
| KR980005631A (ko) | 콘택홀 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |