KR960042946A - 반도체 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상의 절연막 위에 형성된 콘택 마스크로 콘택홀을 정의하는 공정과; 제1습식식각 및 건식식각법으로 절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정 및; 상기 콘택홀을 제2습식식각하는 공정을 거쳐 소자 제조를 완료하므로써, 금속과 기판의 접촉면 크기가 콘택홀의 크기보다 큰 형상을 갖도록 반도에 소자를 형성하게 되어 실리콘 노듈로 인한 접촉면적의 축소를 최대한 막을수 있을 뿐 아니라 2회에 걸친 습식식각으로 단차(step coverge) 또한 개선할 수 있는 고신뢰성의 반도체 소자를 구현할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(가)도 내지 제2(나)도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택 제조공정을 도시한 공정수순도.
Claims (2)
- 반도체 기판과; 상기 반도체 기판 상의 콘택홀 형성 부위를 제외한 부분에 형성되며, 상기 콘택홀의 양하측부 에지가 상기 콘택홀 크기보다 큰 폭으로 함몰되도록 과식각된 형상을 갖는 절연막과; 상기 절연막과 기판 상에 형성된 금속막으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 기판 상의 절연막 위에 형성된 콘택 마스크로 콘택홀을 정의하는 공정과; 제1습식식각 및 건식식각법으로 절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정 및; 상기 콘택홀을 제2습식식각하는 공정을 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950011123A KR0167243B1 (ko) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950011123A KR0167243B1 (ko) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960042946A true KR960042946A (ko) | 1996-12-21 |
| KR0167243B1 KR0167243B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19413850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950011123A KR0167243B1 (ko) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0167243B1 (ko) |
-
1995
- 1995-05-08 KR KR1019950011123A patent/KR0167243B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0167243B1 (ko) | 1999-02-01 |
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