KR980005585A - 반도체 소자의 금속층 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속층 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속층 형성방법을 제공하는 것으로, 금속층 패턴이 형성되는 부분의 산화막을 식각하여 트랜치를 형성한 후 금속층 및 감광막을 순차적으로 형성하고, 에치백 공정및 전면식각 공정으로 트랜치내에 금속층을 패턴을 형성 하므로써 금속층 패턴의 측면식각 및 부식을 방지할 수 있음을 물론 금속층 패턴시 사용되는 반사방지막의 사용을 제거하여 공정을 단순화 하였다. 또한 단차완화로 인하여 금속층 패턴상에 양호한 절연막을 형성할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a 내지 2e도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속층 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 금속층 형성방법에 있어서, 실리콘 기판상에 산화막을 형성한 후 상기 산화막을 식각하여 트랜치를 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘기판의 전체 상부면에 금속층 및 감광막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 금속층이 노출되도록 에치백 공정을 실시하여 상기 감광막을 제거하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 산화막의 일정깊이까지 제거되도록 상기 금속층을 전면 식각하여 금속층 패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막은 금속층에 대하여 식각 선택비가 1 : 1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024992A KR980005585A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 금속층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024992A KR980005585A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 금속층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005585A true KR980005585A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024992A KR980005585A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 금속층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005585A (ko) |
-
1996
- 1996-06-28 KR KR1019960024992A patent/KR980005585A/ko not_active Application Discontinuation
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