KR940020171A - 반도체 소자의 금속 식각 방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속 식각 방법 Download PDF

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KR940020171A
KR940020171A KR1019930002842A KR930002842A KR940020171A KR 940020171 A KR940020171 A KR 940020171A KR 1019930002842 A KR1019930002842 A KR 1019930002842A KR 930002842 A KR930002842 A KR 930002842A KR 940020171 A KR940020171 A KR 940020171A
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강효상
전종포
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김주용
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조 공정 중 금속 식각 후 잔류 염소(Chlorine)가 포토레지스트 스트립시 종래의 O2플라즈마를 사용할 경우 제거되지 않고 그대로 남게되어 대기중의 물방울반응과 금속 부식 현상이 발생하는 문제점을 해결하기 위하여 포토레지스트 스트립시 O2및 NH3플라즈마 처리하여 잔류 염소를 제거하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 금속 식각 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 금속 식각 공정도,
제2도는 본 발명에 따른 다른 실시예의 금속 식각 공정도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 금속 식각 방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 차례로 하층 산화막(2), 금속층(3), 포토레지스트층(4)을 형성한 다음 식각하여 금속 패턴(3)을 형성하는 제1단계 및 상기 포토레지스트(4)를 제거하고 NH3플라즈마로 상기 금속(3)상에 잔류한 염소를 제거하는 제2단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 식각 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2단계의 포토레지스트(4)는 O2및 NH3플라즈마를 동시에 사용하여 제거함으로써 포토레지스트(4)제거와 동시에 염소(5)를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 식각 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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