KR980006317A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법을 제공하는 것으로, 산화막 식각후 이 산화막을 식각하기 위해 마스크로 사용된 감광막을 제거할 때 손상된 산화막의 표면을 동시에 제거되게 하므로써 공정의 단순화를 실현할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (3)
- 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 산화막을 식각한 후 산화막을 선택적으로 식각하기 위한 감광막을 불화탄소 및 산소를 이용한 플라즈마 식각방법으로 산화막의 식각시 생성된 식각손상 및 감광막을 소정두께 만틈 제거하는 단계와, 상기 단계로부터 산소를 이용한 플라즈마 식각방법으로 남아 있는 감광막을 제거하는 단게로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불화탄소 대 산소가스의 비율은 1대 5내지 6인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 불화탄소 및 산소가스를 이용한 플라즈마 식각은 1내지 10분간 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022830A KR980006317A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022830A KR980006317A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006317A true KR980006317A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66287530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960022830A KR980006317A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006317A (ko) |
-
1996
- 1996-06-21 KR KR1019960022830A patent/KR980006317A/ko not_active Application Discontinuation
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