KR960015485B1 - 장벽금속의 풋 제거 방법 - Google Patents

장벽금속의 풋 제거 방법 Download PDF

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현대전자산업 주식회사
김주용
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Abstract

내용없음

Description

장벽금속의 풋 제거 방법
제1A도 및 제1B도는 종래기술에 따라 장벽금속이 식각된 상태의 단면도.
제2도는 본 발명에 따라 장벽금속의 풋이 제거되는 상태를 나타내는 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 웨이퍼 2 : TiN 또는 Ti막
3 : Al막 4 : 감광막
본 발명은 반도체 제조공정중 장벽금속의 풋(foot) 제거 방법에 관한 것이다.
일반적으로 금속배선 형성시 장벽금속으로 TiN 또는 Ti를 사용하고 있다.
제1A도는 금속배선을 형성하기 위해 웨이퍼(1)상에 장벽금속인 TiN 또는 Ti(2)막과, 금속라인인 Al(3)막을 차례로 적층한 후, 소정의 패턴을 형성키 위해 상기 Al(3)막 상에 감광막(4) 마스크 패턴을 형성한 다음에 BCl3, Cl2및 N2가스를 사용하여 상기 Al(3)막, TiN 또는 Ti(2)막을 건식식각한 상태의 단면도이다.
이때, 도면에 도시된 A부분과 같이 상기 장벽금속 TiN 또는 Ti(2)막의 가장자리가 충분히 제거되지 않는 장벽금속의 풋(foot)이 발생하게 된다.
그러므로, 상기 장벽금속의 풋(foot)을 제거하기 위하여 종래에는 과도식각을 진행하였는데, 이때는 제1b도에 도시된 바와 같이 상기 TiN 또는 Ti(2)막과 Al(3)막 사이의 식각률 차이로 인해 상기 Al(3)막 하단부에 언더컷(under cut)현상(도면부호 B)이 발생하는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 과도식각이 아닌 CF4가스를 사용 장벽금속의 풋(foot)을 제거하므로써 양호한 윤곽의 금속배선을 형성하는 장벽금속의 풋 제거 방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 안출된 본 발명은 웨이퍼상에 장벽금속인 TiN 또는 Ti막 상에 Al막이 형성된 상태에서 감광막 마스크 패턴을 사용하여 상기 Al막 및 TiN 또는 Al막 및 Ti막을 건식식각한 후 식각되지 않고 잔류하는 장벽금속의 풋 제거 방법에 있어서 ; 상기 감광막 제거시 CF4가스를 첨부하여 TiN 또는 Ti막의 풋을 제거하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면 제2도를 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 상기 제1a도에 도시된 바와 같이 감광막 마스크를 사용 금속층을 식각한 후 식각되지 않고 잔류하는 장벽금속의 풋을 CF4가스를 사용하여 식각 제거하는 것으로 감광막을 제거하는 공정에서 동시에 제거된다.
즉, 공정챔버에 O2가스를 주입하여 감광막 제거하는데, 이때 CF4가스를 첨부하여 아래 식(1)과 같이 래디컬(radical) F*를 형성한 후 상기 F*와 TiN 또는 Ti막의 반응에 의해 TiN 또는 Ti막의 풋을 식각한다.
아래 식(2)는 F*와 TiN의 반응식이고, 식(3)는 F*와 Ti의 반응식이다.
CF4………→ CF3 -+F*……………………………………………………식(1)
F*+TiN ………→ TiFx+N2…………………………………………………식(2)
F*+Ti ………→ TiFX ………………………………………………………식(3)
제2도는 본 발명에 따라 장벽금속의 풋이 제거된 상태의 단면도로서, 도면에 도시된 바와 같이 금속층인 Al(3)막, TiN 또는 Ti(2)막을 식각하기 위해 마스크로 사용했던 감광막과 식각되지 않았던 TiN 또는 Ti막의 풋이 제거된 상태이다.
본 발명은 종래기술과 같이 과도식각을 통해 장벽금속의 풋을 제거하는 것이 아니라 감광막 제거 단계에서 CF4가스를 첨부하여 장벽금속의 풋을 제거하였기 때문에 언더컷과 같은 문제점이 발생하지 않으며 별다른 공정의 첨가없이 기존의 공정을 이용 간단히 장벽금속의 풋을 제거할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 웨이퍼(1)상에 장벽금속인 TiN 또는 Ti막(2)상에 Al막(3)이 형성된 상태에서 감광막(4) 마스크 패턴을 사용하여 상기 Al막(3) 및 TiN 또는 Al막(3) 및 Ti막(2)을 건식식각한 후 식각되지 않고 잔류하는 장벽금속의 풋(foot) 제거 방법에 있어서 ; 상기 감광막(4) 제거시 CF4가스를 첨부하여 TiN 또는 Ti막(2)의 풋을 제거하는 것을 특징으로 하는 장벽금속의 풋 제거 방법.
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KR100419011B1 (ko) * 2001-03-19 2004-02-14 삼성전자주식회사 비아 콘택을 형성하기 위한 애슁 공정

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