KR940002298B1

KR940002298B1 - 2단계 mlr을 이용한 포토 마스크 제조방법

Info

Publication number: KR940002298B1
Application number: KR1019910015893A
Authority: KR
Inventors: 서현환
Original assignee: 금성일렉트론 주식회사; 문정환
Priority date: 1991-09-12
Filing date: 1991-09-12
Publication date: 1994-03-21

Abstract

내용 없음.

Description

2단계 MLR을 이용한 포토 마스크 제조방법

제1도는 종래 방식의 MLR을 이용한 포토 마스크 제조방법.

제2도는 본 발명의 2단계 MLR을 이용한 포토 마스크 제조방법.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 폴리 실리콘 2 : 산화막 패턴

3 : 바텀 PR 4 : 제1SOG

5 : 제1톱 PR 6 : 제2SOG

7 : 제2톱 PR

본 발명은 2단계 MLR(Multi Layer Resist)을 이용한 포토마스크 제조방법에 관한 것으로, 특히 서브물질(Sub Material)의 단차가 높은 경우에 발생되는 문제점을 해결하는데 적당하도록 한 포토 마스크 제조방법에 관한 것이다.

반도체 메모리 소자 제조에 있어서, 디자인 룰(design rule)이 작은 경우 노말한 포토 마스크 작업이 어려워 MLR을 이용하여 마스크 작업을 하게 되는데, 에치되어야 할 서브 물질의 단차가 커질때는 오버에치(over etch)에 따른 문제점이 발생하게 된다.

이때 MLR 기술은 바텀 PR(Bottom PR)위에 SOG(Spin On Glass)와 같은 산화막을 얇게 입힌 다음 톱PR(Top PR)을 낮게 구성하여 형성하고 SOG와 비텀 PR을 드라이 에치(RIE 또는 MERIE)로 마스크 작업을 하게 된다.

종래의 포토 마스크 제조 방법을 첨부된 도면 제1도를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 에치되어야 할 서브 물질인 폴리 실리콘(1)이 산화막 패턴(2)에 의하여 단차가 크게 형성되어 있는데, 바텀 PR(3) 상에 SOG(4)을 코팅하고 다시 톱 PR(5)을 코팅한다(제1a도). 계속해서 상기 톱 PR(5)을 정의한다(제1b도). 이어서 상기 정의된 톱 PR을 마스크로 하여 SOG를 에치한다(제1c도).

마지막으로, 제1c도에서 형성된 SOG를 마스크로 하여 바텀 PR을 드라이 에치하므로 패턴을 형성하게 된다(제1d도).

이러한 종래 기술에서는 에치되어야 할 서브 물질의 단차가 클 경우, 바텀 PR 에치시 엔드 포인트(Endpoint)가 잡히지 않으며 그에 따른 오버에치 양의 조절이 어렵게 된다. 또한 서브 물질이 높게 형성되어 있는 PR 패턴의 경우에 CD 손실(Critical Dimension Loss)이 낮은 지역에 비해 크며, 폴리머 발생률이 커져서브 에치에 영향을 미치며 PR 스트립시 제거가 잘 되지 않은 문제점이 있다.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 첨부된 도면 제2도를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 제2a도에 도시된 바와 같이, 에치되어야 할 서브 물질인 폴리실리콘(1)이 산화막 패턴(2)에 의해서 단차가 형성되어 있는데, 그 위에 바텀 PR(3)을 입히고 제1SOG(4) 및 제1톱 PR(5)을 코팅한 후 서브 물질이 낮게 형성된 부분만 톱 PR을 정의한다. 이어서 서브 물질(1)이 낮게 형성된 부분의 제1SOG(4)를 에치하고 계속해서 그 부분의 바텀 PR(3)을 드라이 에치하되 단차가 높은 서브 물질상의 바텀 PR과 같은 두께가 될때까지 에치한다(제2b도).

그 다음에 제2SOG(6)를 전면에 코팅한다(제2c도). 이어서 제2톱 PR(7)을 코팅하여 에치 패턴을 정의한다(제2d도). 마지막으로 제2SOG(6) 및 바텀 PR을 에치하여 마스크를 형성한다(제2g도).

이와 같이 본 발명을 사용하므로 MLR 적용지 서브 물질의 단차로 인해 발생되는 문제를 해결할 수 있다. 즉,

첫째, 서브 물질의 단차에 관계없이 바텀 PR의 두께가 같으므로 엔드 포틴트(Endpoint)가 잘 잡히며 따라서 패턴의 굴곡에 관계없이 오버에치의 조절이 가능해진다.

둘째, 서브 물질의 단차에 따른 바텀 PR간의 CD 로스 차이를 줄일 수 있으며 폴리머 발생률을 줄여 서브 물질 에치후에 PR 스트립시 쉽게 제거시킬 수 있다.

Claims

2단계 MLR을 이용한 포토 마스크 제조방법에 있어서, 단차가 형성되었으며 에치될 서브 물질 상에 바텀(bottom) PR을 입힌 후 제1SOG 및 제1톱(top) PR을 코팅하고, 서브 물질이 낮게 형성된 부분만 제1톱 PR을 정의하는 단계(a)와, 상기 서브 물질이 낮게 형성된 부분의 제1SOG를 에치하고, 단차가 높은 부분의 바텀 PR과 두께가 같아지도록 단차가 낮은 부분의 바텀 PR을 에치하는 단계(b)와, 제2SOG를 전면에 코팅하는 단계(c)와, 제2톱 PR을 코팅하여 에치 패턴을 정의하는 단계(d)와, 제2SOG 및 바텀 PR을 에치하여 마스크를 형성하는 단계(e)를 포함하는 것을 특징으로 하는 2단계 MLR을 이용한 포토 마스크 제조방법.