KR940012059A - 실리콘 산화막 건식식각 방법 - Google Patents
실리콘 산화막 건식식각 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940012059A KR940012059A KR1019920022797A KR920022797A KR940012059A KR 940012059 A KR940012059 A KR 940012059A KR 1019920022797 A KR1019920022797 A KR 1019920022797A KR 920022797 A KR920022797 A KR 920022797A KR 940012059 A KR940012059 A KR 940012059A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicon oxide
- oxide film
- dry etching
- silicon
- etching
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 고집적 반도체 소자의 실리콘 산화막 건식식각 방법에 관한 것으로, 감광막에 대한 실리콘 산화막의 식각 선택비를 향상 시키기 위하여 실리콘기판 상부에 실리콘 산화막을 형성하고, 실리콘 산화막 상부에 감광막 패턴을 형성한 다음, 노출된 실리콘 산화막을 식각하기 위하여 실리콘 산화막을 식각하는 주반응 개스에 할로겐 카본 계열의 개스와 취화 수소를 함유시킨 플라즈마로 실리콘 산화막을 건식식각하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실리콘 산화막 상부에 감광막 패턴을 형성하고 노출된 실리콘 산화막을 식각하기 위한 상태의 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 실리콘 기판 상부에 실리콘 산화막을 형성하고, 실리콘 산화막 상부에 감광막 패턴을 형성한 다음, 노출된 실리콘 산화막으 식각하기 위하여 실리콘 산화막을 식각하는 주반응 개스에 할로 카본 계열의 개스와 취화수소를 함유시킨 플라즈마로 실리콘 산화막을 건식식각하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 건식식각 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각하는 주반응 개스 및 할로카본 계열의 개스와 취화수소에 불활성 개스를 더추가시켜 플라즈마를 발생하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 건식식각 방법.
- 제1항에 있어서, 실리콘 기판 상부에 소정의 공정을 거친후 실리콘 나이트라이드막을 형성하고, 그 상부에 실리콘 산화막을 형성하고, 그 상부에 감막 패턴을 형성한 후, 노출된 실리콘 산화막을 제거하기 위해 실리콘 산화막을 식각하는 주반응 개스에 할로카본 계열의 개스와 취화수소를 함유시킨 플라즈마로 실리콘 산화막을 건식식각하는 것을 특징으로 하여 하층의 실리콘 나이트 라이드막을 노출시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 건식식각 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920022797A KR940012059A (ko) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 실리콘 산화막 건식식각 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920022797A KR940012059A (ko) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 실리콘 산화막 건식식각 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940012059A true KR940012059A (ko) | 1994-06-22 |
Family
ID=67211201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920022797A KR940012059A (ko) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 실리콘 산화막 건식식각 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940012059A (ko) |
-
1992
- 1992-11-30 KR KR1019920022797A patent/KR940012059A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5750429A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR940012059A (ko) | 실리콘 산화막 건식식각 방법 | |
| KR960026297A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 제조방법 | |
| KR970023732A (ko) | 반도체장치의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960002548A (ko) | 반도체소자의 콘택 제조방법 | |
| KR970077456A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR970023737A (ko) | 반도체장치의 금속배선 형성방법 | |
| KR970023812A (ko) | 반도체 소자의 산화막 식각 방법 | |
| KR960002744A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR960002569A (ko) | 금속 배선 얼라인 키 형성 방법 | |
| KR970053423A (ko) | 반도체 소자의 소자 분리 절연막 제조방법 | |
| KR900000989A (ko) | 반도체 콘텍트 제조방법 | |
| KR970023813A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| KR980006317A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR960019531A (ko) | 폴리실리콘 패턴 형성방법 | |
| KR970030510A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 | |
| JPS56124267A (en) | Manufacturing of semiconductor device | |
| KR970053391A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR980006091A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR950021075A (ko) | 반도체장치의 콘택홀 형성방법 | |
| KR940009770A (ko) | 실리사이드막/폴리실리콘층 식각방법 | |
| KR980005405A (ko) | 반도체 소자의 폴리 플러그 제조방법 | |
| KR970052397A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR970051889A (ko) | 반도체 소자의 자기 정렬 마스크 형성방법 | |
| KR970016799A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J2X1 | Appeal (before the patent court) |
Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL |