KR970023732A - 반도체장치의 콘택홀 형성방법 - Google Patents

반도체장치의 콘택홀 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체장치의 실리사이드 콘택형성을 위하여 반도체장치상의 상부막질을 식각할시 고선택비를 얻을 수 있는 에칭 방법에 관한 것으로, 실리사이드 및 게이트가 형성되어 있는 기판상에 층간절연을 위한 산화막을 증착하는 공정과; 상기 산화막상의 콘택홀이 형성될 영역을 한정하여 상기 실리사이드의 표면이 노출되기 직전까지 소정의 두께로 1차 식각하는 공정과; 상기 산화막의 1차 식각된 부분을 상기 기판의 상부에 형성된 상기 실리사이드의 표면이 노출되도록 2차 식각하는 공정을 포함하고 있다. 이 방법에 의해 반도체장치의 콘택홀 형성을 위하여 기판 상에 형성된 산화막을 식각하는 공정에서 기판 상부에 형성된 실리사이드가 과식각되어 반도체장치의 콘택특성을 저하시키는 종래 방법의 문제점은, 상기 층간절연을 위한 높은 단차의 산화막을 서로 다른 개스를 이용하여 2단계로 식각하여 줌으로써, 상기 실리사이드와 고선택비를 갖는 식각이 가능하고, 아울러 반도체장치의 콘택특성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체장치의 콘택홀 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2B도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 콘택홀의 제조 공정을 보여주는 공정도.

Claims (3)

  1. 실리사이드(12) 및 게이트(14)가 형성되어 있는 기판(10)상에 층간절연을 위한 산화막(16)을 증착하는 공정과; 상기 산화막(16)을 상기 실리사이드(12)의 표면이 노출되기 직전까지 CHF3/O2/Ar의 혼합개스를 이용하여 소정의 두께로 1차 식각하는 공정과; 상기 산화막(16)의 나머지 부분을 상기 1차 식각공정에서 사용된 개스와는 다른 혼합개스를 이용하여 상기 실리사이드(12)의 표면이 노출되도록 2차 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택홀 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 2차 식각공정은 하이드로겐이 포함되지 않은 개스를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택홀 형성 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 하이드로겐이 포함되지 않은 개스로 CF4/Ar의 혼합개스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택홀 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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