KR970003469A - 반도체소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 게이트전극을 형성하고 상기 게이트전극 상부에 평탄화층을 형성한 다음, 콘택마스크를 이용하여 상기 평탄화층을 식각함으로써 내부로 상기 게이트전극이 노출되는 콘택홀을 형성하고 전체표면상의 제1절연막과 제2절연막 및 도전층을 일정두께 형성한 다음, 상기 도전층을 이방성식각하여 도전층 스페이서를 형성하고 상기 콘택홀의 측벽에 노출되는 상기 제2절연막을 덮을 수 있도록 상기 도전층 스페이서를 산화시켜 제3절연막을 형성한 다음, 상기 제3절연막을 마스크로 하여 상기 제2절연막과 제1절연막을 식각함으로써 상기 콘택홀보다 미세한 콘택홀을 자기정렬식으로 형성하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 콘택홀 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (8)
- 반도체기판 상부에 게이트전극을 형성하고 그 상부에 평탄화층을 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용하여 상기 평탄화층을 식각함으로써 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하되, 상기 게이트전극이 상기 콘택홀의 내부로 일정두께 돌출되는 공정과, 전체표면상부에 제1절연막, 제2절연막 및 도전층을 일정두께 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 도전층을 이방성식각하여 도전층 스페이서를 형성하되, 상기 게이트전극이 돌출된 부분의 상기 질화막이 노출되는 공정과, 상기 도전층 스페이서를 산화시켜 상기 질화막이 노출된 부분을 덮는 제3절연막을 형성하는 공정과, 상기 제3절연막을 마스크로 하여 상기 제2절연막과 제1절연막을 순차적으로 식각함으로써 미세한 콘택홀을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막과 제4절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층은 다결정실리콘이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층은 상기 콘택홀 내부로 돌출되는 상기 게이트전극의 폭보다 100 내지 300A 얇게 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층 스페이서는 상기 질화막과 상기 도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 식각공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제6항에 있어서, 상기 식각선택비 차이는 20 내지 100인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층 스페이서 산화공정은 800 내지 1000℃의 열산화공정으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950016037A KR970003469A (ko) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950016037A KR970003469A (ko) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003469A true KR970003469A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66523962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950016037A KR970003469A (ko) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003469A (ko) |
-
1995
- 1995-06-16 KR KR1019950016037A patent/KR970003469A/ko not_active Application Discontinuation
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