KR980006091A - 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 특히 식각된 패드 산화막과 스페이서 실리콘 질화막의 측벽에 스페이서 질화막을 형성하기 전 단계에서 공정조건의 제어가 용이한 산소 플라즈마공정을 거치게 함으로써, 실리콘 기판과 스페이서 실리콘 질화막 사이에 스트레스를 재현성 있게 줄임으로써 반도체 소자의 고집적화 추세에 따라 소자분리를 용이하게 할 수 있는 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (5)
- 실리콘 기판 상부에 패드 산화막과 실리콘 질화막을 차례로 증착하는 단계와, 상기 실리콘 질화막 상부에 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로하여 하부의 실리콘 질화막과 패드 산화막을 식각하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 제거한 후 산소 플라즈마 처리로 필드 영역의 노출된 실리콘 기판에 얇은 산화을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 스페이서 실리콘 질화막을 소정두께로 증착하는 단계와, 상기 스페이서 실리콘 질화막을 식각하여 상기 패드 산화막과 실리콘 질화막 측벽에 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 노출된 하부 실리콘 기판을 일정깊이 식각하여 필드영역을 노출시키는 단계와, 상기 필드영역의 시리콘 기판을 산화시켜 필드 산화막을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 한는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 패드 산화막의 증착두께는 100~300Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 실리콘 질화막의 증착두께는 1000~4000Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 산소 플라즈마 처리대신 오존 플라즈마, 오존가스, 산소가스중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 스페이서 실리콘 질화막의 증착두께는 50~500Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025763A KR980006091A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025763A KR980006091A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006091A true KR980006091A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960025763A KR980006091A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006091A (ko) |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960025763A patent/KR980006091A/ko not_active Application Discontinuation
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