KR970053021A - 반도체 소자의 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 형성 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 펀치 스루 현상을 방지할 수 있도록 게이트 전극의 길이를 늘리면서 고집적화에 부응하는 게이트 전극 형성 방법을 제공하기 위한 것이다.
이와 같은 반도체 소자의 형성 방법은, 반도체 기판 상에 질화막을 형성하고 상기 질화막 상의 게이트 형성 예정 영역에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴에 따라 질화막을 건식 식각하고 감광막 패턴을 제거하는 단계; 상기 질화막을 마스크로 하여 상기 반도체 기판을 건식 식각하여 식각 부위의 반도체 기판의 프로파일을 오목 접시 형상으로 형성하는 단계; 및 상기 질화막을 제거한 후 상기 오목 접시 형상으로 식각된 반도체 기판 상에 산화막과 다결정 실리콘을 순차적으로 증착하고 상기 다결정 실리콘 상의 게이트 형성 영역에 감광막 패턴을 형성하여 상기 감광막 패턴에 따라 다결정 실리콘 및 산화막을 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (가) 내지 (바)는 본 발명의 일실시예에 따른 게이트 전극 형성 방법을 설명하기 위한 각 제조 공정에 있어서의 반도체 소자의 요부 단면도.
Claims (3)
- 반도체 기판 상에 질화막을 형성하고 상기 질화막 상의 게이트 형성 예정 영역에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴에 따라 질화막을 건식 식각하고 감광막 패턴을 제거하는 단계; 상기 질화막을 마스크로 하여 상기 반도체 기판을 건식 식각하여 식각 부위의 반도체 기판의 프로파일을 오목 접시 형상으로 형성하는 단계; 및 상기 질화막을 제거한 후 상기 오목 접시 모양으로 식각된 반도체 기판 상에 산화막과 다결정 실리콘을 순차적으로 증착하고 상기 다결정 실리콘 상의 게이트 형성 영역에 감광막 패턴을 형성하여 상기 감광막 패턴에 따라 다결정 실리콘 및 산화막을 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 반도체 기판에 증착되는 질화막의 두께는 500 내지 1000Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 질화막을 마스크로 하여 반도체 기판을 식각하는 단계에서의 식각 가스는 CF4인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950048298A KR970053021A (ko) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 반도체 소자의 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950048298A KR970053021A (ko) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 반도체 소자의 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053021A true KR970053021A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66594481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950048298A KR970053021A (ko) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 반도체 소자의 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053021A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100952252B1 (ko) * | 2007-08-30 | 2010-04-09 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-12-11 KR KR1019950048298A patent/KR970053021A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100952252B1 (ko) * | 2007-08-30 | 2010-04-09 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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