KR970072140A - 반도체 장치의 패턴 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 장치의 패턴 형성방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체기판 상에 패턴화층을 형성하는 단계, 패턴화층 상에 플라즈마 인헨스 방식으로 증착된 실리콘 나이트라이드층(PE-SiN층)을 형성하는 단계, 실리콘 나이트라이드층 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계 및 감광막 패턴을 식각마스크로하여 상기 실리콘 나이트라이트층 및 패턴화층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 반사방지막 형성/식각공정을 생략할 수 있으므로 전체적인 공정 수를 줄일 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본 발명에 의한 패턴 형성방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
Claims (2)
- 반도체기판 상에 패턴화층을 형성하는 단계; 상기 패턴화층 상에 플라즈마 인헨스 방식으로 증착된 실리콘 나이트라이드층(PE-SiN층)을 형성하는 단계; 상기 실리콘 나이트라이드층 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및 감광막 패턴을 식각마스크로하여 상기 실리콘 나이트라이드층 및 패턴화층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴화층은 다결정실리콘층 상에 실리사이드층을 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012563A KR970072140A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체 장치의 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012563A KR970072140A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체 장치의 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970072140A true KR970072140A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66216753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960012563A KR970072140A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체 장치의 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970072140A (ko) |
-
1996
- 1996-04-24 KR KR1019960012563A patent/KR970072140A/ko not_active Application Discontinuation
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