KR970077243A - 반도체 소자의 폴리머 제거방법 - Google Patents

반도체 소자의 폴리머 제거방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 폴리머 제거방법을 제공하는 것으로, CF4및 O2의 반응가스에 CxHy가스를 첨가한 혼합가스를 이용하는 플라즈마 식각방법으로 감광막 제거시 잔류하는 폴리머를 완전히 제거하므로써 공정을 단순화시킬 수 있기 때문에 소자의 수율을 향상시킬수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 소자의 폴리머 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 내지 2D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 폴리머 제거방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 폴리머 제거방법에 있어서, 소정의 공정을 거친 실리콘기판의 전체 상부에 순차적으로 형성된 폴리실리콘층 및 코어 산화막을 패턴화된 감광막에 의해 코어 산화막 및 폴리실리콘층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 CF4및 O2의 반응가스에 CxHy가스를 첨가한 혼합가스를 이용하는 플라즈마 식각방법으로 상기 감광막을 제거할 때 상기 폴리실리콘층 식각시 생성된 폴리머를 함께 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 CxHy가스는 C2H2, C2H6, C2H|4가스 중 어느 하나의 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반응가스에 첨가되는 CxHy가스량은 CF4가스량에 대하여 10 내지 20%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리머 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010061793A (ko) * 1999-12-29 2001-07-07 박종섭 반도체 소자의 폴리머 제거방법
KR100458591B1 (ko) * 2002-04-19 2004-12-03 아남반도체 주식회사 반도체 소자의 폴리머 제거방법

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KR20010061793A (ko) * 1999-12-29 2001-07-07 박종섭 반도체 소자의 폴리머 제거방법
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