KR970052784A - 반도체 소자의 필드산화막 평탄화 방법 - Google Patents
반도체 소자의 필드산화막 평탄화 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 실리콘기판에 형성된 필드산화막을 평탄화할 수 있는 방법을 제공하는 것으로, 상기 필드산화막이 형성된 상기 실리콘기판상에 감광막을 이용하여 상기 필드산화막을 평탄화시키므로써 단차를 완화할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 2D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 필드산화막 평탄화 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 필드산화막 평탄화 방법에 있어서, 필드산화막이 형성된 실리콘기판의 전체 상부면에 감광막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 노광공정에 의해 상기 필드산화막이 노출되도록 상기 감광막을 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 플라즈마 식각을 실시하여 노출된 상기 필드산화막을 평탄화시킨 후 상기 감광막을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드산화막 평탄화 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막의 두께는 0.3내지 0.7㎛가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드산화막 평탄화 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 노광공정의 노광시간은 40내지 60ms동안 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드산화막 평탄화 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047314A KR970052784A (ko) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 반도체 소자의 필드산화막 평탄화 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047314A KR970052784A (ko) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 반도체 소자의 필드산화막 평탄화 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052784A true KR970052784A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66593705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950047314A KR970052784A (ko) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 반도체 소자의 필드산화막 평탄화 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052784A (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5414165A (en) * | 1977-07-05 | 1979-02-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Selective oxidation method for semiconductor substrate |
| JPS56108264A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of semiconductor device |
| JPH0442558A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| KR950025913A (ko) * | 1994-02-03 | 1995-09-18 | 김주용 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
-
1995
- 1995-12-07 KR KR1019950047314A patent/KR970052784A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5414165A (en) * | 1977-07-05 | 1979-02-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Selective oxidation method for semiconductor substrate |
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| KR950025913A (ko) * | 1994-02-03 | 1995-09-18 | 김주용 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
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