KR970022585A - 반도체 웨이퍼의 링 습식 에칭 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼에서 활성 영역과 필드 분리 영역을 형성하는 링(ring) 습식 에칭과 함께, 공정 중 사용된 에칭 및 포토레지스터 제거에 따른 웨이퍼 상의 반응 입자들을 제거하기 위한 단순화한 반도체 웨이퍼의 링 습식 에칭 처리 방법으로서, 활성 영역과 필드 산화막 영역이 형성된 반도체 기판에 대해 포토레지스터 막을 사용하여 링 마스크 작업을 수행하고, 필드 산화막 영역 및 활성 영역 상의 산화막을 일부 남겨두도록 습식 식각을 행하고, 포토레지스터막을 제거하며, 잔류 산화막과 함께 발생된 잔유 입자를 HF 용액으로 제거하는 단계로 구성된다.

Description

반도체 웨이퍼의 링 습식 에칭 처리 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체에 웨이퍼의 링 습식 에칭 처리 방법을 적용한 때의 반도체 웨이퍼 단면도를 도시한 도면이다.

Claims (4)

  1. 활성 영역과 필드 산화막 영역을 갖는 반도체 웨이퍼의 링(ring) 습식 에칭 처리 방법에 있어서, (a) 상기 활성 영역과 필드 산화막 영역이 형성된 반도체 기판에 대해 포토레지스터막을 사용하여 링 마스크 작업을 수행하는 단계; (b) 상기 필드 산화막 영역 및 상기 활성 영역 상의 산화막을 일부 남겨두도록 습식 식각을수행하는 단계; (c) 상기 포토레지스터막을 제거하는 단계; 및 (d) 상기 잔류 산화막과 함께, 발생된 잔유입자를 HF 용액으로 제거하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 링 습식 에칭 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 습식 식각 단계는 필드 산화막을 500Å을 남겨 두는 것을 특징으로 반도체 웨이퍼의 링 습식 에칭 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 (d) 단계는 10:1의 HF 용액으로 90초 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 링 습식 에칭 처리 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 습식 에칭은 처리 조에서, 상기 포토레지스터막을 스트립 조를 통해 제거하며, 상기 잔유 입자들은 상기 습식 식각 처리 조 및 상기 스트립 조로부터 묻어나오는 입자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 링 습식 에칭 처리 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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