KR960002654A - 금속막의 산화 억제 방법 - Google Patents
금속막의 산화 억제 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조공정 중 패키지시 패트 부위의 비활성층(23) 식각후 노출된 금속막(21)이 대기중의 산소와 반응하여 표면이 산화되는 현상을 억제하는 금속막의 산화 억제 방법에 있어서, 패드 부위의 비활성층(23) 식각후 노출된 금속막(21) 표면을 CF4플라즈마 처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래방법에 따른 금속막 형성후의 단면도,
제2도는 본 발명에 따른 금속막 형성후의 단면도.
Claims (3)
- 본 발명은 반도체 소자의 제조공정 중 패키지시 패트 부위의 비활성층(23) 식각후 노출된 금속막(21)이 대기중의 산소와 반응하여 표면이 산화되는 현상을 억제하는 금속막의 산화 억제 방법에 있어서, 패드 부위의 비활성층(23) 식각후 노출된 금속막(21) 표면을 CF4플라즈마 처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속막의 산화 억제 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막(21)은 Al막인 것을 특징으로 하는 금속막의 산화 억제 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 플라즈마처리시 50와트(watt) 내지 1000와트 정도로 1 내지 30분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 금속막의 산화 억제 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013251A KR960002654A (ko) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | 금속막의 산화 억제 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013251A KR960002654A (ko) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | 금속막의 산화 억제 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002654A true KR960002654A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66775768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940013251A KR960002654A (ko) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | 금속막의 산화 억제 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002654A (ko) |
-
1994
- 1994-06-13 KR KR1019940013251A patent/KR960002654A/ko not_active Application Discontinuation
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