KR970003518A - 반도체 소자의 접촉창 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 접촉창 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 식각 마스크를 사용한 예정된 부위의 절연막 식각으로 상기 절연막 하부의 전도층을 일부 노출시키는 단계; 상기 식각 마스크를 제거하여 상기 절연막을 전면 노출시키는 단계; 및 상기 전면 노출된 절연막을 소정 두께 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형성 방법에 관한 것으로, 접촉창의 경사정도를 완만히 하므로써, 층 덮힘의 불량으로 소자의 기능이 이루어지지 않거나 콘택저항이 증가하는 문제점을 개선하여 소자의 신뢰성 및 수율 향상 등의 효과를 가져온다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1B도 내지 제1C도는 본 발명의 일실시예에 따른 접촉창 형성 공정도.
Claims (6)
- 식각 마스크를 사용한 예정된 부위의 절연막 식각으로 상기 절연막 하부의 전도층을 일부 노출시키는 단계; 상기 식각 마스크를 제거하여 상기 절연막을 전면 노출시키는 단계; 및 상기 전면 노출된 절연막을 소정두께 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각 마스크를 사용한 예정된 부위의 절연막 식각으로 상기 절연막 하부의 전도층을 일부 노출시키는 단계에서, 상기 절연막 식각은 습식식각과 건식식각이 순서적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉장 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 전면 노출된 절연막을 소정 두께 식각하는 단계에서, 식각후 접촉창 형성이 습식식각과 건식식각 부분의 경계부위가 완만한 곡선 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 전면 노출된 절연막을 소정 두께 식각하는 단계에서, 상기 식각은 건식식각으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형성 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형성 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 건식식각은, 플루오르 카본계 가스 또는 플루오르 카본계 가스에 산소, 질소 및 아르곤 등의 가스를 첨가한 혼합가스를 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019088A KR970003518A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 접촉창 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019088A KR970003518A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 접촉창 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003518A true KR970003518A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66526667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950019088A KR970003518A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 접촉창 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003518A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100265754B1 (ko) * | 1997-04-22 | 2000-10-02 | 윤종용 | 보이드프리반도체장치의제조방법 |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019088A patent/KR970003518A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100265754B1 (ko) * | 1997-04-22 | 2000-10-02 | 윤종용 | 보이드프리반도체장치의제조방법 |
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