KR930003259A - 반도체 소자의 콘택트방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택트방법 Download PDF

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KR930003259A
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도익수
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 소자의 콘택트방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 콘택트 공정 단면도.

Claims (1)

  1. 기판위에 콘택트 시키기위한 제1전도성막을 증착하고 포토/에치 공정을 거쳐 불필요한 부분을 제거하는 스텝, 제1 전도성막중 설정된 각 콘택트 영역의 중앙부위를 감광제로 한정한 다음 제1전도성막을 소정두께까지 에치하여 상기 중앙부위에 스틱 형 돌출부를 형성하는 스텝, 절연막을 증착하고 포토/에치공정을 거쳐 콘택트영역 내의 것을 제거하기 위한 스텝, 제2전도성막을 증착하고 포토/에치공정을 거쳐 콘택트영역 상측의 것을 제외한 나머지의 것을 제거하기위한 스텝이 차례로 포함됨을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택트방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910011917A 1991-07-12 1991-07-12 반도체 소자의 콘택트방법 KR930003259A (ko)

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