KR920013824A - 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents

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KR920013824A
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유태경
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이헌조
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
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Abstract

내용 없음

Description

레이저 다이오드 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 종래의 구조 단면도, 제3도는 본 발명의 공정 단면도. 제4도는 본 발명의 구조 단면도.

Claims (1)

  1. 기판위에 소정두께의 유전체막을 형성하는 공정과, 상기 유전체막부위를 마스크로 하여 기판위를 소정깊이로 에치한 후 1차 에피텍시하므로써 에칭으로 파여진 표면으로부터 내부 전류 차단층을 형성하는 공정과, 상기 유전체막부위를 제거한 후 기판위에 2차 에피텍시공정을 실시하여 활성층을 포함한 이중 이종 접합층을 형성하는 공정과, 상기 이중 이종접합층위와 기판 밑면에 각각 다른 전극막을 형성시키는 공정으로 이루어진것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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