KR930003473A - 반도체 레이저의 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 (가) 및 (나)는 본 발명에 따른 레이저 계조공정도,
제5도는 제4도의 공정에 의해 제조된 본 발명의 구조도.
Claims (2)
- 제1도전형의 GaAs기판(1)위에 제1도전형의 에칭 정지층(4)을 성장시키고 상기 AlGaAs층(4)위에 제2도전형의 GaAs전류 차단층(2)을 성장한 후 광 작업으로 스트라이프(5)를 형성하고 에칭용액으로 AlGaAs층(4)의 표면까지 에칭하여 V홈을 형성한 후 이중 이종접함(DH;3)를 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 에칭 정지층(4)은 Al의 조성이 0.1-0.25로 하고 그 두께는 0.3㎛이상을 갖도록 함을 특징으로 하는 반도체 레이저의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910011949A KR930003473A (ko) | 1991-07-13 | 1991-07-13 | 반도체 레이저의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910011949A KR930003473A (ko) | 1991-07-13 | 1991-07-13 | 반도체 레이저의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930003473A true KR930003473A (ko) | 1993-02-24 |
Family
ID=67440600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910011949A KR930003473A (ko) | 1991-07-13 | 1991-07-13 | 반도체 레이저의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930003473A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100718123B1 (ko) * | 2004-10-27 | 2007-05-15 | 삼성전자주식회사 | 레이저 다이오드의 제조방법 |
-
1991
- 1991-07-13 KR KR1019910011949A patent/KR930003473A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100718123B1 (ko) * | 2004-10-27 | 2007-05-15 | 삼성전자주식회사 | 레이저 다이오드의 제조방법 |
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