KR950012894A - 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 반도체 기판을 스트라이프형으로 에칭하고, 그 위에 LPE법으로 전류차단층을 성장시킨 후, 멜트-에칭을 하여 전류통로를 형성시킨 다음, p형 클래드층, 활성층, n형 클래드층 및 전극 접촉층을 순차적으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조공정도이며,
제3도는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 반도체 레이저 다이오드의 밴드갭 및 굴절율을 개략적으로 도시한 도면이고,
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 따라 제조된 반도체 레이저 다이오드의 밴드갭 및 굴절율을 개략적으로 도시한 도면이다.
Claims (4)
- 반도체 기판(21)을 스트라이프형으로 에칭하고, 그 위에 LPE법으로 전류차단층(15)을 성장시킨 후, 멜트-에칭을 하여 전류통로를 형성시킨 다음, p형 클래드층(14), 활성층(13), n형 클래드층(12) 및 전극 접촉층(18)을 순차적으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전류통로가 기판(21)과 전류차단층(15)간의 멜트-에칭비의 차이에 의해 형성됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전류차단층이 AlxGa1-xAs이고, 여기서 X가 0.2 이상임을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 활성층(13)을 적층시키기 전에 광도파층(23)을 적층시키고 상기 활성층(13)을 적층시킨 다음, 다시 광도파층(23)을 적층시킴을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930021863A KR950012894A (ko) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019930021863A KR950012894A (ko) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012894A true KR950012894A (ko) | 1995-05-17 |
Family
ID=66824739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930021863A KR950012894A (ko) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950012894A (ko) |
-
1993
- 1993-10-20 KR KR1019930021863A patent/KR950012894A/ko not_active Application Discontinuation
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