KR970068052A - 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

레이저 다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

반도체 레이저 다이오드에 있어서, 반도체 활성층에 주입되는 전류의 퍼짐형상을 방지하여 방출되는 레이저를 고출력화할 수 있도록 한 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 대해 개시한다. 특히 이 레이저 다이오드는 p형 전류제한층에 소정의 폭을 가진 스트라입형 채널이 형성되며, n형 전류제한층에 p형 클래드층이 소정의 폭을 가진 스트라입형 릿지를 형성하며 돌출되어 그 n형 전류제한층을 관통하여 전극층과 접촉되도록 형성된 것을 특징으로 한다. 따라서, 활성층내의 캐리어와 광파의 밀도가 증가되고 인가되는 전류의 접속밀도가 매우 높아짐에 따라 임계전류를 낮출 수 있게 되며 적은 에너지 공급으로도 고출력의 레이저를 발진시킬 수 있게 된다.

Description

레이저 다이오드 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 단면도.

Claims (10)

  1. 기판과, 상기 기판상에 위치되어 전류의 통전경로를 제한하는 제1전류제한층과, 그 제1전류제한층 상면에 위치되는 제1클래드층과, 이 제1클래드층 상면에 위치하여 레이저를 발진시키는 활성층과, 상기 활성층의 상면에 형성되며 사익 제1 클래드층과 함께 상기 활성층 내부의 캐리어 밀도를 높여주는 제2클래드층과, 상기 제2클래드층에 접하여 전류의 통전경로를 제한하는 제2전류제한층 및 상기 제2전류제한층과 기판의 일측에 각각 구비되어 전류를 공급하는 전극층을 구비하는 레이저 다이오드에 있어서, 상기 제1전류제한층에는 소정의 폭을 가진 스트라입형 제1통전채널이 형성되며, 상기 제2전류제한층에는 상기 제1전류제한층의 통전채널에 대응하는 스트라입형의 제2통전채널이 구비된 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2전류제한층의 제1통전채널의 폭은 상기 제2전류제한층의 제2통전채널의 폭보다 작게 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2통전채널의 폭은 50㎛~100㎛인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1전류제한층은 InGap 조성을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2전류제한층은 InGap 조성을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  6. 제1항 내지 제5항에 있어서, 상기 제2전류제한층 상측면에 SiO2절연층이 더 구비된 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  7. 레이저 다이오드를 제조하는 방법에 있어서, 기판상에 제1전류제한층을 성장시키는 단계 : 상기 성장된 제1전류체한층을 선택적으로 식각하여 소정의 폭을 가진 스트라입형 제1통전채널을 형성시키는 단계 : 상기 제1통전채널이 구비된 제1전류제한층 위에 제1클래드층, 제1웨이브 가이드층, 활성층, 제2웨이브 가이드층 및 제2클래드층을 순차적으로 성장시키는 단계 : 상기 성장된 제2 클래드층을 선택적으로 식각하여 소정의 폭을 가진 스트라입형 제2통전채널을 형성시키는 단계 : 상기 제2클래드층의 식각된 부위에 제2전류제한층을 성장시키는 단계 : 및 상기 제2전류제한층 상측면에 SiO2절연층을 형성시키는 단계 : 를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1전류제한층의 제1통전채널의 폭은 상기 제2전류제한층의 제2통전채널의 폭보다 작게 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2통전채널의 폭은 50㎛~100㎛인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 화학에칭법은, 상기 제1전류제한층 및 사익 제2클래드층의 에칭시키지 않을 부분에 SiO2마스크를 형성하여 에칭하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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