KR950010203A - 누설 도파 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 - Google Patents

누설 도파 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 InGaP/InGaAlP계의 레이저 다이오드는 n형 GaAs 기판상에 n형 InGaAlP 클래드층. InGaP 활성층 및 p형 InGaAlP 클래드층이 순차적으로 적층된다. 여기서, p형 InGaAlP 클래드층은 중앙부위에 스트라이프 형태의 메사구조를 갖는 것으로서, 활성층 보다 밴드 갭 에너지가 큰 물질로 구성되는 n형 AlGaAs 하부 전류 차단층 및 n형 AlGaAs 상부 전류 차단층이 돌출부위를 제외한 나머지 부분에 순차적으로 적층되게 된다. 이러한 구조는 메사구조의 돌출된 부분에서 유효 굴절률이 낮게 되는 부 유효 굴절률 스텝을 나타내는 누설 도파구조를 이루게 되는데, 이는 종래의 복합 도파 구조에 비하여 상기 스트라이프의 폭의 제한이 완하되는 잇점이 있다.

Description

누설 도파 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 누설 도파 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드의 단면도이다.
제3도는 복합 도파(complex waveguide) 구조와 누설 도파(leaky waveguide) 구조에 있어서 문턱 이득(threshold gain)과 선폭(stripe width)의 상관관계를 나타내는 그래프이다.
제4도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드에서 횡방향으로서 유효 굴절률 차이를 설명하기 위한 도면이다.

Claims (5)

  1. InGaP/InGaAlP계의 레이저 다이오드에 있어서, n형 GaAs 기판; n형 GaAs 기판상에 순차적으로 적층된 n형 InGaAlP 클래드층 및 InGaP 활성층; 상기 InGaP 활성층의 상부에 적층되며 중앙부위에 스트라이프 형태의 돌출 부위를 갖는 메사 구조의 p형 InGaAlP 클래드층; 상기 InGaP 활성층보다 밴드 갭 에너지가 큰 물질로 구성된 것으로서, 상기 p형 InGaAlP 클래드층중 돌출부위를 제외한 나머지 부분에 순차적으로 적층되는 n형 AlGaAs 하부 전류 차단층 및 n형 AlGaAs 상부 전류 차단층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 p형 InGaAlP 클래드층중 돌출부위의 상부에 적층된 p형 InGaP 통전용이층; 상기 p형 InGaP 통전용이층 및 n형 AlGaAs 상부 전류 차단층로 이루어진 표면의 상부에 적층된 p형 GaAs 캡층; 및 상기 p형 GaAs 캡층의 상부 및 상기 n형 GaAs 기판의 하부에 각각 형성된 제1 도전층 및 제2 도전층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 n형 AlGaAs 하부 전류 차단층은 Al0.65Fa0.35As 물질로 구성되고, 상기 n형 AlGaAs 상부 전류 차단층은 Al0.75Ga0.25As 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  4. 제3항에 있어서, 상기 InGaP 활성층은 In0.5Ga0.5P 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 n형 GaAs 기판과 상기 n형 InGaAlP 클래드층 사이에 n형 GaAs 버퍼층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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