KR970054973A - 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents

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김주용
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Abstract

본 발명은 광통신용 반도체 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것으로, InP계 매립형 이종접합 반도체 레이저 다이오드(PBH-LD)에서 메사 프로파일을 형성한 다음, 액티브층의 측면에 저온에서 언도프된 InP층을 중착한 다음, P/N 전류차단층을 성장시키는 기술이다. 상기 언도프된 InP층을 중착시킴으로서 메사면과 액티브면을 보호할 수가 있으며 전류차단층인 P-InP층 성장시 Zn 확산을 방지할 수가 있다.

Description

레이저 다이오드 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명의 실시예에 의해 레이저 다이오드를 제조하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. 레이저 다이오드 제조방법에 있어서, n-InP 기판 상부에 n-InP 버퍼층, n-InP 클래드층, 액티브층, p-InP 클래드층을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 클래드층 상부에 산화막 패턴을 형성하고, 이것을 마스크로 사용하여 클래드층에서 상기 n-InP 버퍼층의 일정 두께까지 식각하여 메사 프로파일을 형성하는 단계와, 상기 메사프로파일의 측면에 언도프된 InP층을 성장시키고, 그 상부에 전류 차단층으로 p-InP층 및 n-InP층을 성장시키는 단계와, 상기 산화막 패턴을 제거하고, 전체 구조 상부면에 p 접촉층을 성장시키고, 그 상부에 콘택층을 증착하는 단계를 포함하는 레이저 다이오드 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 언도프된 InP층은 저온에서 600℃의 온도까지 올리면서 성장시키는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100794380B1 (ko) * 2006-05-08 2008-01-15 한국광기술원 메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저다이오드의 제조방법

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