KR960027101A - 매립형 반도체 레이저의 제조방법 - Google Patents

매립형 반도체 레이저의 제조방법 Download PDF

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Abstract

누설전류 및 고속변조 특성이 개선된 반도체 레이저의 제조방법을 개시한다.
비평면 수직메사 구조위에 저압유기금속 화학증착을 이용해 밴드갭이 큰 In1-xGaxP(0≤x≤0.84)/AlSb 초격자 구조의 디지탈 알로이(7)를 100㎚ 정도의 두께로 성장시키고, 전류차단층(8)을 상기 SiNx마스크(6) 위치까지 성장시키고, 계속해서 p형 클래드층(5)으로부터의 정공주입을 막기위해 n-InP층으로 이루어지는 정공주입방지층(9)을 약 0.5㎛ 정도의 두께로 성장시킨 후, SiNx마스크(6)를 식각해내고, p-InP클래드층(11)과 p+-InGaAs 저항성 접촉층(11)을 재성장시킨다.
이로써, p형 광도파층 바로위의 p-InP클래드층의 도판트인 Zn과 반절연 InP의 도판트인 Fe과의 상호 확산도 효과적으로 방지하게 되므로 광출력 특성 또한 선형적으로 증가하게 되어 고출력 특성을 가지게 된다.

Description

매립형 반도체 레이저의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 디지탈 알로이(Digital alloyed) SI-PBH 반도체 레이저의 단면도, 제3a도 내지 제3e도는 본 발명에 따른 반도체 레이저의 제조방법을 공정순서대로 나타낸 단면도.

Claims (6)

  1. n+-InP기판(1) 위에, InGaAsP n형 광도파층(2), 1.55㎛ 발진파장의 활성층(3), InGaAsP p형 광도파층(4), p-InP 클래드층(5)을 차례로 성장시키는 공정과; SiNx박막(6)을 증착한 후, RIE에 의해 차례로 상기 클래드층(5), 상기 p형 광도파층(4), 상기 활성층(3), 상기 n형 광도파층(2), 상기 기판(1)을 각각 선택적으로 건식식각하는 공정과; 비평면 수직메사 구조위에 저압유기금속 화학증착을 이용해 밴드갭이 큰 In1-xGaxP(0≤x≤0.84)/AlSb 초격자구조의 디지탈 알로이(7)를 100㎚ 정도의 두께로 성장시키는 공정과; 전류차단층(8)을 상기 SiNX마스크(6) 위치까지 성장시키고, 계속해서 p형 클래드층(5)으로부터의 정공주입을 막기 위해 n-InP층으로 이루어지는 정공주입방지층(9)을 약 0.5㎛ 정도의 두께로 성장시키는 공정과; 상기 SiNx마스크(6)를 식각해내고, p-InP클래드층(11)과 p+-InGaAs저항성 접촉층(11)을 재성장하는 공정과; 상기 저항성 접촉층(11) 위에 SiNx절연막(12)을 형성하고, p형 금속전극(13)을 상기 SiNx절연막 사이의 열려진 저항성 접촉층(11)에 증착시키고 웨이퍼 뒷면을 랩핑하여 100㎛ 정도로 얇게 한 후 n형 금속전극(14)을 증착하는 공정을 포함하는 매립형 반도체 레이저의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 RIE에 의한 계면의 결정손상을 회복시키기 위해 후처리로서 H2SO4계에 의한 습식 식각을 수행하는 공정을 부가적으로 포함하는 매립형 반도체 레이저의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전류차단층(8)은 In1-xGaxP(x~0.84)/AlSb 디지탈 알로이로 구성되는 매립형 반도체 레이저의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전류차단층(8)은 AlAs/AlSb 디지탈 알로이로 구성되는 매립형 반도체 레이저의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전류차단층(8)은 GaP/AlSb 디지탈 알로이로 구성되는 매립형 반도체 레이저의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 전류차단층(8)은 AlP/AlSb 디지탈 알로이로 구성되는 매립형 반도체 레이저의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940035489A 1994-12-21 1994-12-21 매립형 반도체 레이저의 제조방법 KR0161064B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100430256B1 (ko) * 2001-08-22 2004-05-04 엘지이노텍 주식회사 반도체 레이저 다이오드 제조 방법

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