JPH0918079A - 半導体装置の製造方法，及び半導体装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法，及び半導体装置

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JPH0918079A
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Seiji Ochi
誠司 越智
Manabu Kato
加藤　　学
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 コンタクト層に対して良好なオーミック接触
をなす表面電極の形成を可能とする、リッジ部の両脇に
ＭＯＣＶＤ法により成長させたＩｎＡｌＡｓ高抵抗層を
備えた半導体装置の製造方法，及びその半導体装置を提
供する。 【構成】 ＳｉＮ膜７をマスクとして、半導体層に対す
る異方性エッチングを行って、リッジ部３０を形成し、
さらにこのリッジ部３０の両脇にＩｎＡｌＡｓ高抵抗層
４をＭＯＣＶＤ法を用いて選択成長させた後、この高抵
抗層４上にはＳｉＯ2 膜９を形成し、リッジ部最上層の
ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８上にはこの層と接触す
るように表面電極５を形成する。 【効果】 コンタクト層８は、ＳｉＮ膜７の除去後、そ
の表面が酸化されることはなく、この層と表面電極５と
の間の接触を良好なオーミック接触とすることができ、
この半導体レーザ装置の電気特性を良好なものとするこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方
法，及び半導体装置に関し、特に有機金属気相成長法に
より成長させた高抵抗層により電流ブロック層を形成す
る半導体装置の製造方法，及びそれにより製造される半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】リッジ部の両脇に有機金属気相成長法
（以後、ＭＯＣＶＤ法と略記する）により形成されたＩ
ｎＡｌＡｓ高抵抗層を有する半導体レーザ装置の従来の
製造方法について説明する。図６はこの半導体レーザ装
置の製造方法を示す断面図である。
【０００３】まず、図６(a) に示すように、ｎ型ＩｎＰ
基板１００上にｎ型ＩｎＰ下クラッド層１，アンドープ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層２，ｐ型ＩｎＰ上クラッド層３を
ＭＯＣＶＤ法により順に成長させる。次に、ｐ型ＩｎＰ
上クラッド層３上の全面にＳｉＮを堆積させた後、写真
製版とエッチングにより、図６(b) に示すように、スト
ライプ形状のＳｉＮ膜７を形成する。ただし、このスト
ライプ形状の伸びている方向は、図の断面に垂直な方向
である。この後、図６(c) に示すように、このＳｉＮ膜
７をマスクとして、上記基板上に成長させた半導体層に
対するウエットエッチングを行い、これらの半導体層か
らなるストライプ形状のリッジ部３０を形成する。この
際、エッチングは深さ方向のみではなく、横方向にも進
むため、図に示したように、ＳｉＮ膜７直下の上記リッ
ジ部３０の両側面は、ＳｉＮ膜７の両端より内側に位置
するようになる。
【０００４】次に、図６(d) に示すように、電流をリッ
ジ部にのみ流すようにするための電流ブロック層である
ＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４，及びこの高抵抗層へのホール
注入を抑制するためのｎ型ＩｎＰ層２１をＭＯＣＶＤ法
により上記ＳｉＮ膜７をマスクとして選択成長させ、上
記リッジ部３０両脇の半導体層のエッチングにより除去
された部分を埋め込む。この高抵抗層４は、以下に述べ
るようにその成長温度が比較的低温であるため、上記Ｓ
ｉＮ膜裏面の上記リッジ部両側面より外側において露出
している部分に密着するように形成される。
【０００５】上記のＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４は、それに
含まれる浅いドナーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度
ＮSA，及び深いドナーの濃度ＮDDの間に ＮSA＞ＮSD
かつＮSA−ＮSD＜ＮDD の関係が成り立つように成長さ
せたものである。アンドープＩｎＡｌＡｓ層をＭＯＣＶ
Ｄ法により成長させる際に、その成長温度を通常用いら
れる６００〜７００℃より低温の５００℃程度とするこ
とにより、成長層中に取り込まれる炭素（Ｃ）の濃度を
高くすることができる。このＣはＩｎＡｌＡｓ中では浅
いアクセプタとなる不純物である。このため、上記のＮ
SAをＳｉ等の残留不純物である浅いドナーの濃度ＮSDよ
り大きくすることができる。さらに、このアンドープＩ
ｎＡｌＡｓ層には深いドナーとなる酸素が取り込まれ、
その濃度は、ＮSA，及びＮSDより充分に大きいため、Ｎ
SA−ＮSD＜ＮDDが成り立つようにすることができる。こ
のように、ＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４においては、浅いド
ナーを主に上記の炭素からなる浅いアクセプタで補償
し、この浅いドナーの濃度を上回る濃度の浅いアクセプ
タを主に酸素からなる深いドナーで補償することによっ
て、５×１０4 Ω・ cm程度以上の高い抵抗率が得られ
る。
【０００６】なお、ＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４に含まれる
浅いアクセプタとなる主な不純物は、上記の炭素ではな
くドーピングしたベリリウムまたはマグネシウムであっ
てもよい。また、深いドナーとなる酸素をさらにドーピ
ングすると、ＮDDが増大し、ＮSA−ＮSD＜ＮDD が成り
立つ浅いアクセプタの濃度ＮSAの範囲が広くなり、ＮSA
の制御が容易となる。また、上記のＩｎＡｌＡｓと同様
の成長条件のもとで、ＩｎＡｌＧａＡｓを成長させて
も、上記と同様の高抵抗層が得られる。
【０００７】上記の浅いドナーを補償するために深いア
クセプタとなるＦｅをドーピングする方法が知られてい
るが、このようなＦｅドープＩｎＡｌＡｓ高抵抗層にお
いては、隣接する半導体層，特に活性層へのＦｅの拡散
により、この活性層の電気的，光学的特性が劣化し、こ
れによりレーザ装置の信頼性が低下するという問題があ
った。これに対して、浅いドナーを炭素からなる浅いア
クセプタで補償している上記のＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４
では、Ｆｅのような拡散し易い不純物を含んでいないた
め、このような問題は発生しない。
【０００８】次に、上記ＳｉＮ膜７をエッチングにより
除去した後、図６(e) に示すように、全面にｐ型ＩｎＰ
層２３，及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８を成長さ
せ、さらに、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８表面にＡ
ｕＺｎ／Ａｕからなる表面電極（ｐ側電極）５を形成
し、ｎ型ＩｎＰ基板１００の裏面にＡｕＧｅ／Ａｕから
なる裏面電極（ｎ側電極）６を形成することにより、リ
ッジ部３０の両脇にＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４を有する半
導体レーザ装置が完成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の半導体レ
ーザ装置の製造方法においては、高抵抗層４及びｎ型Ｉ
ｎＰ層の選択成長の後、上記ＳｉＮ膜７をエッチングに
より除去する際、上記リッジ部両側面より外側のＳｉＮ
膜裏面に密着していたＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４の表面が
エッチング液に曝され、さらにエッチング後には大気に
曝されることとなる。高抵抗層４は、酸化され易い元素
であるＡｌ（アルミニウム）を含むため、上記のように
ＳｉＮ膜７が除去された後、大気に曝された高抵抗層４
の表面は容易に酸化され、図６(e) にｘｘｘで示す表面
酸化膜が形成される。このため、この高抵抗層の表面上
に再成長するｐ型ＩｎＰ層２３，及びｐ型ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層８においては、良好な半導体結晶の成長が
困難であり、図６(e) に示すように、その表面も平坦な
面とはならない。また、これにより、ｐ型ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層８の表面に形成する表面電極（ｐ側電極）
５とこのコンタクト層の間の接触を良好なオーミック接
触とすることが困難となる。このように、上記の再成長
層であるＩｎＰ層，及びコンタクト層の結晶品質，及び
表面電極とコンタクト層の間のオーミック接触特性を良
好なものにできないため、半導体レーザ装置において良
好な特性を得ることができないという問題があった。
【００１０】この発明は、上記の問題に鑑みなされたも
のであり、良好な半導体結晶からなるコンタクト層の形
成，及びコンタクト層に対して良好なオーミック接触を
なす表面電極の形成を可能とする、リッジ部の両脇にＭ
ＯＣＶＤ法によりＩｎＡｌＡｓ高抵抗層を成長させる半
導体装置の製造方法，及びそれにより製造される半導体
装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明（請求項１）に
係る半導体装置の製造方法は、半導体層上にストライプ
形状の第１の絶縁膜を形成する工程と、この第１の絶縁
膜をマスクとして上記半導体層を所要の深さまでエッチ
ングして、上記第１の絶縁膜下に残された上記半導体層
からなるリッジ部を形成する工程と、このリッジ部の両
脇の上記半導体層がエッチングされた部分に、上記第１
の絶縁膜をマスクとして、ＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌ
ＧａＡｓからなり、それが含む浅いドナーの濃度ＮSD，
浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いドナーの濃度ＮDD
が ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜ＮDD となる高抵
抗層を有機金属気相成長法により選択成長させる工程
と、上記第１の絶縁膜を除去した後、上記高抵抗層上に
その露出した表面の全面を覆うように第２の絶縁膜を形
成する工程と、上記半導体層のリッジ部の表面に表面電
極を形成する工程とを含むものである。
【００１２】また、この発明（請求項２）に係る半導体
装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求
項１）において、上記半導体層をエッチングして上記リ
ッジ部を形成する工程が、上記半導体層に対して異方性
のドライエッチングを行い、上記リッジ部を形成する工
程であるものである。
【００１３】また、この発明（請求項３）に係る半導体
装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求
項１）において、上記半導体層が、半導体基層と、この
半導体基層上に成長させた、上記表面電極との間でオー
ミック接触をなす半導体からなるコンタクト層とからな
り、上記リッジ部を形成する工程が、上記コンタクト層
上に形成された上記第１の絶縁膜をマスクとして上記コ
ンタクト層に対する異方性のドライエッチングを行い、
次に上記第１の絶縁膜及びこの絶縁膜の下に残された上
記コンタクト層をマスクとして、上記半導体基層に対し
て所要の深さまで選択的なウエットエッチングを行っ
て、その側面が上記コンタクト層の両端より内側に位置
し、上記半導体基層からなるリッジ部基部を形成し、上
記コンタクト層及びこのリッジ部基部からなるリッジ部
を形成するものであり、上記高抵抗層を選択成長させる
工程が、上記リッジ部基部の側面の外側において露出し
た上記コンタクト層の裏面に上記高抵抗層の表面が接す
るようにこの高抵抗層を成長させるものである。
【００１４】また、この発明（請求項４）に係る半導体
装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求
項１または２）において、上記半導体層が、第１導電型
の半導体基板，及びこの半導体基板上に順に成長させた
上記第１導電型の半導体からなる下クラッド層，この下
クラッド層を構成する半導体よりバンドギャップの小さ
いアンドープの半導体を含む活性層，この活性層を構成
する半導体よりバンドギャップの大きい上記第１導電型
とは逆の第２導電型の半導体からなる上クラッド層，上
記第２導電型の半導体からなるコンタクト層からなり、
上記半導体層のエッチングを上記下クラッド層または上
記半導体基板が露出する深さまで行うものである。
【００１５】また、この発明（請求項５）に係る半導体
装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求
項３）において、上記半導体基層が、第１導電型の半導
体基板，及びこの半導体基板上に順に成長させた上記第
１導電型の半導体からなる下クラッド層，この下クラッ
ド層を構成する半導体よりバンドギャップの小さいアン
ドープの半導体を含む活性層，この活性層を構成する半
導体よりバンドギャップの大きい上記第１導電型とは逆
の第２導電型の半導体からなる上クラッド層からなり、
上記コンタクト層が、上記第２導電型の半導体からな
り、上記半導体基層のエッチングを上記下クラッド層ま
たは上記半導体基板が露出する深さまで行うものであ
る。
【００１６】また、この発明（請求項６）に係る半導体
装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求
項４または５）において、上記半導体基板，上記下クラ
ッド層，及び上記上クラッド層が、ＩｎＰからなり、上
記コンタクト層が、ＩｎＧａＡｓからなるものである。
【００１７】また、この発明（請求項７）に係る半導体
装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求
項４ないし６のいずれか）において、上記活性層が、Ｉ
ｎＧａＡｓＰからなるものである。
【００１８】また、この発明（請求項８）に係る半導体
装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求
項４ないし６のいずれか）において、上記活性層が、一
つまたは複数の量子井戸を含むものである。
【００１９】また、この発明（請求項９）に係る半導体
装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請求
項８）において、上記量子井戸の井戸層が、ＩｎＧａＡ
ｓＰからなり、上記量子井戸のバリア層が、ＩｎＧａＡ
ｓＰ，ＩｎＧａＰまたはＩｎＰからなるものである。
【００２０】また、この発明（請求項１０）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項４ないし９のいずれか）において、上記活性層が、
その内部でレーザ光が発振される層であり、この活性層
を有する半導体レーザ素子を作製するものである。
【００２１】また、この発明（請求項１１）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項８または９）において、上記活性層が、その内部で
量子閉じ込めシュタルク効果により光を吸収する層であ
り、この活性層を有する光変調器を作製するものであ
る。
【００２２】また、この発明（請求項１２）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項８または９）において、上記半導体層が、上記半導
体基板と、この半導体基板表面の半導体レーザ素子を形
成すべき領域の両脇の領域に絶縁膜を形成し、この絶縁
膜をマスクとして上記半導体基板上の上記半導体レーザ
素子形成領域，及びこの領域に隣接した光変調器を形成
すべき領域を含む領域に順に選択成長させた上記下クラ
ッド層，上記活性層，上記上クラッド層，及び上記コン
タクト層とからなり、これらの成長層が、上記半導体レ
ーザ素子を形成すべき領域における層厚が、この領域の
他の領域における層厚より厚いものであり、上記リッジ
部が、上記半導体レーザ素子形成領域及び上記光変調器
形成領域にまたがって形成され、上記半導体レーザ素子
形成領域における上記活性層が、その内部でレーザ光が
発振される層であり、上記光変調器形成領域における上
記活性層が、その内部で量子閉じ込めシュタルク効果に
より上記レーザ光を吸収する層であり、上記表面電極を
形成する工程が、上記リッジ部の表面の上記半導体レー
ザ素子形成領域に半導体レーザ素子表面電極を、上記光
変調器形成領域に光変調器表面電極を、互いに電気的に
分離して形成するものであり、上記表面電極を形成する
工程の後に、上記半導体基板の裏面に裏面電極を形成す
る工程を含み、同一半導体基板上に、一体に形成され連
続した上記活性層を有する半導体レーザ素子と光変調器
とを作製するものである。
【００２３】また、この発明（請求項１３）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１ないし１２のいずれか）において、上記高抵抗層
が、浅いアクセプタとなる不純物である炭素を含むもの
である。
【００２４】また、この発明（請求項１４）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１ないし１２のいずれか）において、上記高抵抗層
が、浅いアクセプタとなる不純物であるベリリウムまた
はマグネシウムがドーピングされているものである。
【００２５】また、この発明（請求項１５）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１ないし１４のいずれか）において、上記高抵抗層
が、深いドナーとなる不純物である酸素がドーピングさ
れているものである。
【００２６】また、この発明（請求項１６）に係る半導
体装置の製造方法は、半導体層上にストライプ形状の絶
縁膜を形成する工程と、この絶縁膜をマスクとして上記
半導体層に対して所要の深さまで異方性のドライエッチ
ングを行い、上記絶縁膜下に残された上記半導体層から
なるリッジ部を形成する工程と、このリッジ部の両脇の
上記半導体層がエッチングされた部分に、上記絶縁膜を
マスクとして、ＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓか
らなり、それが含む浅いドナーの濃度ＮSD，浅いアクセ
プタの濃度ＮSA，及び深いドナーの濃度ＮDDが ＮSA＞
ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜ＮDD となる高抵抗層を有機
金属気相成長法により選択成長させ、続けてこの高抵抗
層上にその表面の全面を覆うように、この高抵抗層を構
成する半導体より酸素と結合し難い半導体からなる被覆
層を選択成長させる工程と、上記絶縁膜を除去した後、
上記リッジ部上及び上記被覆層上の全面に、後述の表面
電極との間でオーミック接触をなす半導体からなるコン
タクト層を成長させる工程と、上記コンタクト層の表面
に表面電極を形成する工程とを含むものである。
【００２７】また、この発明（請求項１７）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１６）において、上記リッジ部を形成する工程が、
上記絶縁膜をマスクとして上記半導体層に対して所要の
深さまで異方性のドライエッチングを行い、次に上記半
導体層に対してウェットエッチングを行い、上記リッジ
部の両側面が上記絶縁膜の両端より内側に位置するよう
にする工程であるものである。
【００２８】また、この発明（請求項１８）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１６または１７）において、上記半導体層が、第１
導電型の半導体基板，及びこの半導体基板上に順に成長
させた上記第１導電型の半導体からなる下クラッド層，
この下クラッド層を構成する半導体よりバンドギャップ
の小さいアンドープの半導体を含む活性層，この活性層
を構成する半導体よりバンドギャップの大きい上記第１
導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる上クラッド
層からなり、上記コンタクト層が、上記第２導電型の半
導体からなり、上記半導体層のエッチングを上記下クラ
ッド層または上記半導体基板が露出する深さまで行うも
のである。
【００２９】また、この発明（請求項１９）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１８）において、上記半導体基板，上記下クラッド
層，上記上クラッド層，及び上記被覆層が、ＩｎＰから
なり、上記コンタクト層が、ＩｎＧａＡｓからなるもの
である。
【００３０】また、この発明（請求項２０）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１９）において、上記被覆層が、上記高抵抗層の表
面に成長させた上記第１導電型のＩｎＰからなる被覆層
下層と、この被覆層下層上に成長させた上記第２導電型
のＩｎＰからなる被覆層上層とからなるものである。
【００３１】また、この発明（請求項２１）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１９または２０）において、上記活性層が、ＩｎＧ
ａＡｓＰからなるものである。
【００３２】また、この発明（請求項２２）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１９または２０）において、上記活性層が、一つま
たは複数の量子井戸を含むものである。
【００３３】また、この発明（請求項２３）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項２２）において、上記量子井戸の井戸層が、ＩｎＧ
ａＡｓＰからなり、上記量子井戸のバリア層が、ＩｎＧ
ａＡｓＰ，ＩｎＧａＰまたはＩｎＰからなるものであ
る。
【００３４】また、この発明（請求項２４）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１８ないし２３のいずれか）において、上記活性層
が、その内部でレーザ光が発振される層であり、この活
性層を有する半導体レーザ素子を作製するものである。
【００３５】また、この発明（請求項２５）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項２２または２３）において、上記活性層が、その内
部で量子閉じ込めシュタルク効果により光を吸収する層
であり、この活性層を有する光変調器を作製するもので
ある。
【００３６】また、この発明（請求項２６）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項２２または２３）において、上記半導体層が、上記
半導体基板と、この半導体基板表面の半導体レーザ素子
を形成すべき領域の両脇の領域に絶縁膜を形成し、この
絶縁膜をマスクとして上記半導体基板上の上記半導体レ
ーザ素子形成領域，及びこの領域に隣接した光変調器を
形成すべき領域を含む領域に順に選択成長させた上記下
クラッド層，上記活性層，及び上記上クラッド層とから
なり、これらの成長層が、上記半導体レーザ素子を形成
すべき領域における層厚が、この領域の他の領域におけ
る層厚より厚いものであり、上記リッジ部が、上記半導
体レーザ素子形成領域及び上記光変調器形成領域にまた
がって形成され、上記半導体レーザ素子形成領域におけ
る上記活性層が、その内部でレーザ光が発振される層で
あり、上記光変調器形成領域における上記活性層が、そ
の内部で量子閉じ込めシュタルク効果により上記レーザ
光を吸収する層であり、上記表面電極を形成する工程
が、上記リッジ部の表面の上記半導体レーザ素子形成領
域に半導体レーザ素子表面電極を、上記光変調器形成領
域に光変調器表面電極を、互いに電気的に分離して形成
するものであり、上記表面電極を形成する工程の後に、
上記半導体基板の裏面に裏面電極を形成する工程を含
み、同一半導体基板上に、一体に形成され連続した上記
活性層を有する半導体レーザ素子と光変調器とを作製す
るものである。
【００３７】また、この発明（請求項２７）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１６ないし２６のいずれか）において、上記高抵抗
層が、浅いアクセプタとなる不純物である炭素を含むも
のである。
【００３８】また、この発明（請求項２８）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１６ないし２６のいずれか）において、上記高抵抗
層が、浅いアクセプタとなる不純物であるベリリウムま
たはマグネシウムがドーピングされているものである。
【００３９】また、この発明（請求項２９）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１６ないし２８のいずれか）において、上記高抵抗
層が、深いドナーとなる不純物である酸素がドーピング
されているものである。
【００４０】また、この発明（請求項３０）に係る半導
体装置の製造方法は、半導体基層上にこの半導体基層の
表面部分を構成する半導体と異なる半導体からなるキャ
ップ層を成長させる工程と、上記キャップ層上にストラ
イプ形状の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜をマス
クとして上記キャップ層に対して異方性のドライエッチ
ングを行い、次に上記絶縁膜及びこの絶縁膜下に残され
た上記キャップ層をマスクとして上記半導体基層に対す
る選択的なウットエッチングを行って、上記半導体基層
からなり、その側面が上記キャップ層の両端より内側に
位置するリッジ部基部を形成し、上記キャップ層及びこ
のリッジ部基部からなるリッジ部を形成する工程と、上
記リッジ部基部の両脇の上記半導体基層がエッチングさ
れた部分に、上記絶縁膜をマスクとしてＩｎＡｌＡｓま
たはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅いドナー
の濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いドナ
ーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜ＮDD
となる高抵抗層を上記リッジ部の側面の外側において
露出した上記キャップ層の裏面にこの高抵抗層の表面が
接するように有機金属気相成長法により選択成長させ、
続けてこの高抵抗層上にこの高抵抗層の露出している表
面の全面を覆うようにこの高抵抗層を構成する半導体よ
り酸素と結合し難い半導体からなる被覆層を選択成長さ
せる工程と、上記絶縁膜を除去した後、上記リッジ部上
及び上記被覆層上の全面に後述の表面電極との間でオー
ミック接触をなす半導体からなるコンタクト層を成長さ
せる工程と、上記コンタクト層の表面に表面電極を形成
する工程とを含むものである。
【００４１】また、この発明（請求項３１）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項３０）において、上記半導体基層が、第１導電型の
半導体基板，及びこの半導体基板上に順に成長させた上
記第１導電型の半導体からなる下クラッド層，この下ク
ラッド層を構成する半導体よりバンドギャップの小さい
アンドープの半導体を含む活性層，この活性層を構成す
る半導体よりバンドギャップの大きい上記第１導電型と
は逆の第２導電型の半導体からなる上クラッド層からな
り、上記コンタクト層が、上記第２導電型の半導体から
なり、上記キャップ層が、上記第２導電型の半導体から
なり、上記半導体基層のエッチングを上記下クラッド層
または上記半導体基板が露出する深さまで行うものであ
る。
【００４２】また、この発明（請求項３２）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項３１）において、上記半導体基板，上記下クラッド
層，上記上クラッド層，及び上記被覆層が、ＩｎＰから
なり、上記コンタクト層及び上記キャップ層が、ＩｎＧ
ａＡｓからなるものである。
【００４３】また、この発明（請求項３３）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項３２）において、上記被覆層が、上記高抵抗層の表
面に成長させた上記第１導電型のＩｎＰからなる被覆層
下層と、この被覆層下層の表面に成長させた上記第２導
電型のＩｎＰからなる被覆層上層とからなるものであ
る。
【００４４】また、この発明（請求項３４）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項３１ないし３３のいずれか）において、上記活性層
が、ＩｎＧａＡｓＰからなるものである。
【００４５】また、この発明（請求項３５）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項３１ないし３３のいずれか）において、上記活性層
が、一つまたは複数の量子井戸を含むものである。
【００４６】また、この発明（請求項３６）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項３５）において、上記量子井戸の井戸層が、ＩｎＧ
ａＡｓＰからなり、上記量子井戸のバリア層が、ＩｎＧ
ａＡｓＰ，ＩｎＧａＰまたはＩｎＰからなるものであ
る。
【００４７】また、この発明（請求項３７）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項３１ないし３６のいずれか）において、上記活性層
が、その内部でレーザ光が発振される層であり、この活
性層を有する半導体レーザ素子を作製するものである。
【００４８】また、この発明（請求項３８）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項３５または３６）において、上記活性層が、その内
部で量子閉じ込めシュタルク効果により光を吸収する層
であり、この活性層を有する光変調器を作製するもので
ある。
【００４９】また、この発明（請求項３９）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項３５または３６）において、上記半導体基層が、上
記半導体基板と、この半導体基板表面の半導体レーザ素
子を形成すべき領域の両脇の領域に絶縁膜を形成し、こ
の絶縁膜をマスクとして上記半導体基板上の上記半導体
レーザ素子形成領域，及びこの領域に隣接した光変調器
を形成すべき領域を含む領域に順に選択成長させた上記
下クラッド層，上記活性層，及び上記上クラッド層とか
らなり、上記キャップ層の成長が、上記半導体基層形成
における上記上クラッド層の成長に続けて行うものであ
り、上記下クラッド層，上記活性層，上記上クラッド
層，及び上記キャップ層が、上記半導体レーザ素子を形
成すべき領域における層厚が、この領域の他の領域にお
ける層厚より厚いものであり、上記リッジ部が、上記半
導体レーザ素子形成領域及び上記光変調器形成領域にま
たがって形成され、上記半導体レーザ素子形成領域にお
ける上記活性層が、その内部でレーザ光が発振される層
であり、上記光変調器形成領域における上記活性層が、
その内部で量子閉じ込めシュタルク効果により上記レー
ザ光を吸収する層であり、上記表面電極を形成する工程
が、上記リッジ部の表面の上記半導体レーザ素子形成領
域に半導体レーザ素子表面電極を、上記光変調器形成領
域に光変調器表面電極を、互いに電気的に分離して形成
するものであり、上記表面電極を形成する工程の後に、
上記半導体基板の裏面に裏面電極を形成する工程を含
み、同一半導体基板上に、一体に形成され連続した上記
活性層を有する、半導体レーザ素子と光変調器とを作製
するものである。
【００５０】また、この発明（請求項４０）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項３０ないし３９のいずれか）において、上記高抵抗
層が、浅いアクセプタとなる不純物である炭素を含むも
のである。
【００５１】また、この発明（請求項４１）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項３０ないし３９のいずれか）において、上記高抵抗
層が、浅いアクセプタとなる不純物であるベリリウムま
たはマグネシウムがドーピングされているものである。
【００５２】また、この発明（請求項４２）に係る半導
体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法（請
求項３０ないし４１のいずれか）において、上記高抵抗
層が、深いドナーとなる不純物である酸素がドーピング
されているものである。
【００５３】また、この発明（請求項４３）に係る半導
体装置は、半導体層上にストライプ形状の第１の絶縁膜
を形成し、この第１の絶縁膜をマスクとして上記半導体
層を所要の深さまでエッチングして、上記第１の絶縁膜
下に残された上記半導体層からなるリッジ部を形成し、
このリッジ部の両脇の上記半導体層がエッチングされた
部分に、上記第１の絶縁膜をマスクとしてＩｎＡｌＡｓ
またはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅いドナ
ーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いド
ナーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜Ｎ
DD となる高抵抗層を有機金属気相成長法により選択成
長させ、上記第１の絶縁膜を除去した後、上記高抵抗層
上にその露出した表面の全面を覆うように第２の絶縁膜
を形成し、上記半導体層のリッジ部の表面に表面電極
を、上記半導体層の裏面に裏面電極を形成して、作製さ
れてなるものである。
【００５４】また、この発明（請求項４４）に係る半導
体装置は、上記の半導体装置（請求項４３）において、
上記半導体層のエッチングによる上記リッジ部の形成
が、上記半導体層に対して異方性のドライエッチングを
行うことにより上記リッジ部を形成するものである。
【００５５】また、この発明（請求項４５）に係る半導
体装置は、上記の半導体装置（請求項４４）において、
上記半導体層が、第１導電型の半導体基板と、この半導
体基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域の両脇
の領域に絶縁膜を形成し、この絶縁膜をマスクとして上
記半導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領域，及び
この領域に隣接した光変調器を形成すべき領域を含む領
域に順に選択成長させた上記第１導電型の半導体からな
る下クラッド層，その井戸層がこの下クラッド層を構成
する半導体よりバンドギャップの小さいアンドープの半
導体からなる一つまたは複数の量子井戸を含む活性層，
上記井戸層を構成する半導体よりバンドギャップの大き
い上記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる
上クラッド層，及び上記第２導電型の半導体からなるコ
ンタクト層とからなり、上記半導体層を構成する各層で
は、上記半導体レーザ素子を形成すべき領域における層
厚が、この領域の他の領域における層厚より厚くなって
おり、上記リッジ部を上記半導体レーザ素子形成領域及
び上記光変調器形成領域にまたがって形成し、上記半導
体レーザ素子形成領域における上記活性層が、その内部
でレーザ光が発振される層であり、上記光変調器形成領
域における上記活性層が、その内部で量子閉じ込めシュ
タルク効果により上記レーザ光を吸収する層であり、上
記表面電極として、上記リッジ部の表面の上記半導体レ
ーザ素子形成領域に形成された半導体レーザ素子表面電
極と、上記光変調器形成領域に形成された光変調器表面
電極とが、互いに電気的に分離されて設けられ、上記半
導体基板の裏面の上記半導体レーザ素子形成領域及び上
記光変調器形成領域にまたがって裏面電極を形成して作
製されてなり、上記半導体基板上の半導体レーザ素子形
成領域に形成された半導体レーザ素子と、上記光変調器
形成領域に形成された光変調器とを備え、上記活性層
が、上記半導体レーザ素子及び上記光変調器にわたって
一体に形成され連続したものである。
【００５６】また、この発明（請求項４６）に係る半導
体装置は、上記の半導体装置（請求項４３）において、
上記半導体層が、半導体基層と、該半導体基層上に成長
させた上記表面電極との間でオーミック接触をなす半導
体からなるコンタクト層とからなり、上記リッジ部の形
成が、上記コンタクト層上に形成された上記第１の絶縁
膜をマスクとして上記コンタクト層に対する異方性のド
ライエッチングを行い、次に上記第１の絶縁膜及び該絶
縁膜の下に残された上記コンタクト層をマスクとして、
上記半導体基層に対して所要の深さまで選択的なウエッ
トエッチングを行って、その側面が上記コンタクト層の
両端より内側に位置し、上記半導体基層からなるリッジ
部基部を形成し、上記コンタクト層及び該リッジ部基部
からなるリッジ部を形成するものであり、上記高抵抗層
が、上記リッジ部基部の側面の外側において露出した上
記コンタクト層の裏面に上記高抵抗層の表面が接するよ
うに選択成長させてなるものである。
【００５７】また、この発明（請求項４７）に係る半導
体装置は、上記の半導体装置（請求項４６）において、
上記半導体基層が、第１導電型の半導体基板と、該半導
体基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域の両脇
の領域に絶縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして上記
半導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領域，及び該
領域に隣接した光変調器を形成すべき領域を含む領域に
順に選択成長させた上記第１導電型の半導体からなる下
クラッド層，その井戸層が該下クラッド層を構成する半
導体よりバンドギャップの小さいアンドープの半導体か
らなる一つまたは複数の量子井戸を含む活性層，上記井
戸層を構成する半導体よりバンドギャップの大きい上記
第１導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる上クラ
ッド層とからなり、上記コンタクト層が、上記第２導電
型の半導体からなり、上記半導体基層を構成する各層，
及び上記コンタクト層では、上記半導体レーザ素子を形
成すべき領域における層厚が、該領域の他の領域におけ
る層厚より厚くなっており、上記リッジ部を上記半導体
レーザ素子形成領域及び上記光変調器形成領域にまたが
って形成し、上記半導体レーザ素子形成領域における上
記活性層が、その内部でレーザ光が発振される層であ
り、上記光変調器形成領域における上記活性層が、その
内部で量子閉じ込めシュタルク効果により上記レーザ光
を吸収する層であり、上記表面電極として、上記リッジ
部の表面の上記半導体レーザ素子形成領域に形成された
半導体レーザ素子表面電極と、上記光変調器形成領域に
形成された光変調器表面電極とが、互いに電気的に分離
されて設けられ、上記半導体基板の裏面の上記半導体レ
ーザ素子形成領域及び上記光変調器形成領域にまたがっ
て裏面電極を形成して作製されてなり、上記半導体基板
上の半導体レーザ素子形成領域に形成された半導体レー
ザ素子と、上記光変調器形成領域に形成された光変調器
とを備え、上記活性層は、上記半導体レーザ素子及び上
記光変調器にわたって一体に形成され連続したものであ
る。
【００５８】また、この発明（請求項４８）に係る半導
体装置は、半導体層上にストライプ形状の絶縁膜を形成
し、この絶縁膜をマスクとして上記半導体層に対して所
要の深さまで異方性のドライエッチングを行い、上記絶
縁膜下に残された上記半導体層からなるリッジ部を形成
し、このリッジ部の両脇の上記半導体層がエッチングさ
れた部分に、上記絶縁膜をマスクとしてＩｎＡｌＡｓま
たはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅いドナー
の濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いドナ
ーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜ＮDD
となる高抵抗層を有機金属気相成長法により選択成長
させ、続けてこの高抵抗層上にこの高抵抗層を構成する
半導体より酸素と結合し難い半導体からなる被覆層を選
択成長させ、この高抵抗層の表面の全面をこの被覆層に
より覆うようにし、上記絶縁膜を除去した後、上記リッ
ジ部上及び上記被覆層上の全面に後述の表面電極との間
でオーミック接触をなす半導体からなるコンタクト層を
成長させ、上記コンタクト層の表面に表面電極を、上記
半導体層の裏面に裏面電極を形成して作製されてなるも
のである。
【００５９】また、この発明（請求項４９）に係る半導
体装置は、上記の半導体装置（請求項４８）において、
上記半導体層が、第１導電型の半導体基板と、この半導
体基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域の両脇
の領域に絶縁膜を形成し、この絶縁膜をマスクとして上
記半導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領域，及び
この領域に隣接した光変調器を形成すべき領域を含む領
域に順に選択成長させた上記第１導電型の半導体からな
る下クラッド層，その井戸層がこの下クラッド層を構成
する半導体よりバンドギャップの小さいアンドープの半
導体からなる一つまたは複数の量子井戸を含む活性層，
及び上記井戸層を構成する半導体よりバンドギャップの
大きい上記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体から
なる上クラッド層とからなり、これらの成長層が、上記
半導体レーザ素子を形成すべき領域における層厚が、こ
の領域の他の領域における層厚より厚いものであり、上
記リッジ部を上記半導体レーザ素子形成領域及び上記光
変調器形成領域にまたがって形成し、上記半導体レーザ
素子形成領域における上記活性層が、その内部でレーザ
光が発振される層であり、上記光変調器形成領域におけ
る上記活性層が、その内部で量子閉じ込めシュタルク効
果により上記レーザ光を吸収する層であり、上記表面電
極として、上記リッジ部の表面の上記半導体レーザ素子
形成領域に形成された半導体レーザ素子表面電極と、上
記光変調器形成領域に形成された光変調器表面電極と
が、互いに電気的に分離されて設けられ、上記半導体基
板の裏面に裏面電極を形成して作製されてなり、上記半
導体基板上の半導体レーザ素子形成領域に形成された半
導体レーザ素子と、上記光変調器形成領域に形成された
光変調器とを備え、上記活性層が、上記半導体レーザ素
子及び上記光変調器にわたって一体に形成され連続した
ものである。
【００６０】また、この発明（請求項５０）に係る半導
体装置は、半導体基層上にこの半導体基層の表面部分を
構成する半導体と異なる半導体からなるキャップ層を成
長させ、上記キャップ層上にストライプ形状の絶縁膜を
形成し、この絶縁膜をマスクとして上記キャップ層に対
して異方性のドライエッチングを行い、次に上記絶縁膜
及びこの絶縁膜下に残された上記キャップ層をマスクと
して上記半導体基層に対する選択的なウットエッチング
を行って、その側面が上記キャップ層の両端より内側に
位置し、上記半導体基層からなるリッジ部基部を形成し
て、上記キャップ層及びこのリッジ部基部からなるリッ
ジ部を形成し、上記リッジ部基部の両脇の上記半導体基
層がエッチングされた部分に、上記絶縁膜をマスクとし
てＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それ
が含む浅いドナーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度Ｎ
SA，及び深いドナーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ
ＮSA−ＮSD＜ＮDD となる高抵抗層を上記リッジ部の側
面の外側において露出した上記キャップ層の裏面にこの
高抵抗層の表面が接するように有機金属気相成長法によ
り選択成長させ、続けてこの高抵抗層上にこの高抵抗層
を構成する半導体より酸素と結合し難い半導体からなる
被覆層を選択成長させ、この高抵抗層の表面の全面をこ
の被覆層により覆うようにし、上記絶縁膜を除去した
後、上記リッジ部上及び上記被覆層上の全面に、後述の
表面電極との間でオーミック接触をなす半導体からなる
半導体からなるコンタクト層を成長させ、上記コンタク
ト層の表面に表面電極を、上記半導体基層の裏面に裏面
電極を形成して作製されてなるものである。
【００６１】また、この発明（請求項５１）に係る半導
体装置は、上記の半導体装置（請求項５０）において、
上記半導体基層が、第１導電型の半導体基板と、この半
導体基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域の両
脇の領域に絶縁膜を形成し、この絶縁膜をマスクとして
上記半導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領域，及
びこの領域に隣接した光変調器を形成すべき領域を含む
領域に順に選択成長させた上記第１導電型の半導体から
なる下クラッド層，その井戸層がこの下クラッド層を構
成する半導体よりバンドギャップの小さいアンドープの
半導体からなる一つまたは複数の量子井戸を含む活性
層，及び上記井戸層を構成する半導体よりバンドギャッ
プの大きい上記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体
からなる上クラッド層とからなり、上記キャップ層が、
上記半導体基層形成における上記上クラッド層の成長に
続けて、この上クラッド層上に上記第２導電型の半導体
を成長させるものであり、上記下クラッド層，上記活性
層，上記上クラッド層，及び上記キャップ層が、上記半
導体レーザ素子を形成すべき領域における層厚が、この
領域の他の領域における層厚より厚いものであり、上記
リッジ部を上記半導体レーザ素子形成領域及び上記光変
調器形成領域にまたがって形成し、上記半導体レーザ素
子形成領域における上記活性層が、その内部でレーザ光
が発振される層であり、上記光変調器形成領域における
上記活性層が、その内部で量子閉じ込めシュタルク効果
により上記レーザ光を吸収する層であり、上記表面電極
として、上記リッジ部の表面の上記半導体レーザ素子形
成領域に形成された半導体レーザ素子表面電極と、上記
光変調器形成領域に形成された光変調器表面電極とが、
互いに電気的に分離されて設けられ、上記半導体基板の
裏面に裏面電極を形成して作製されてなり、上記半導体
基板上の半導体レーザ素子形成領域に形成された半導体
レーザ素子と、上記光変調器形成領域に形成された光変
調器とを備え、上記活性層が、上記半導体レーザ素子及
び上記光変調器にわたって一体に形成され連続したもの
である。
【００６２】
【作用】この発明（請求項１）に係る半導体装置の製造
方法では、半導体層上にストライプ形状の第１の絶縁膜
を形成する工程と、この第１の絶縁膜をマスクとして上
記半導体層を所要の深さまでエッチングして、上記第１
の絶縁膜下に残された上記半導体層からなるリッジ部を
形成する工程と、このリッジ部の両脇の上記半導体層が
エッチングされた部分に、上記第１の絶縁膜をマスクと
して、ＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、
それが含む浅いドナーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃
度ＮSA，及び深いドナーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD か
つ ＮSA−ＮSD＜ＮDD となる高抵抗層を有機金属気相
成長法により選択成長させる工程と、上記第１の絶縁膜
を除去した後、上記高抵抗層上にその露出した表面の全
面を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、上記半
導体層のリッジ部の表面に表面電極を形成する工程とを
含むから、上記高抵抗層上に半導体層を再成長させない
ため、前述の従来の製造方法のように大気に曝された後
の高抵抗層表面に再成長させた半導体層における半導体
結晶の品質が良好でないといった問題が発生せず、ま
た、表面電極はリッジ部表面に直接接触しており、前述
の従来の製造方法のように大気に曝された高抵抗層の表
面上に再成長させたコンタクト層上に電極を形成してい
ないため、リッジ部を構成している半導体との良好なオ
ーミック接触を容易に得ることができ、半導体装置の特
性を向上させることができる。
【００６３】また、この発明（請求項２）に係る半導体
装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１）において、上記半導体層をエッチングして上記
リッジ部を形成する工程は、上記半導体層に対して異方
性のドライエッチングを行い、上記リッジ部を形成する
ものであり、上記のように、表面電極はリッジ部表面に
直接接触しているから、リッジ部を構成している半導体
との良好なオーミック接触を容易に得ることができ、半
導体装置の特性を向上させることができる。
【００６４】また、この発明（請求項３）に係る半導体
装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１）において、上記半導体層は、半導体基層と、こ
の半導体基層上に成長させた上記表面電極との間でオー
ミック接触をなす半導体からなるコンタクト層とからな
り、上記リッジ部を形成する工程は、上記コンタクト層
上に形成された上記第１の絶縁膜をマスクとして上記コ
ンタクト層に対する異方性のドライエッチングを行い、
次に上記第１の絶縁膜及びこの絶縁膜の下に残された上
記コンタクト層をマスクとして、上記半導体基層に対し
て所要の深さまで選択的なウエットエッチングを行っ
て、その側面が上記コンタクト層の両端より内側に位置
し、上記半導体基層からなる上記リッジ部基部を形成
し、上記コンタクト層及びこのリッジ部基部からなるリ
ッジ部を形成するものであり、上記高抵抗層を選択成長
させる工程は、上記リッジ部基部の側面の外側において
露出した上記コンタクト層の裏面に上記高抵抗層の表面
が接するようにこの高抵抗層を成長させるものであるか
ら、上記表面電極と上記コンタクト層との接触を良好な
オーミック接触とすることができるだけでなく、上記第
１の絶縁膜の下に残されたコンタクト層の幅を上記リッ
ジ部基部の幅より広くすることができ、これにより表面
電極とコンタクト層との接触面積を広くすることができ
るため、この接触における接触抵抗を低減でき、半導体
装置の特性を向上させることができる。
【００６５】また、この発明（請求項４）に係る半導体
装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請
求項１または２）において、上記半導体層は、第１導電
型の半導体基板，及びこの半導体基板上に順に成長させ
た上記第１導電型の半導体からなる下クラッド層，この
下クラッド層を構成する半導体よりバンドギャップの小
さいアンドープの半導体を含む活性層，この活性層を構
成する半導体よりバンドギャップの大きい上記第１導電
型とは逆の第２導電型の半導体からなる上クラッド層，
上記第２導電型の半導体からなるコンタクト層からな
り、上記半導体層のエッチングは、上記下クラッド層ま
たは上記半導体基板が露出する深さまで行うものであ
り、上記表面電極は、上記リッジ部の最上層であるコン
タクト層に直接接触しているから、リッジ部の最上層で
ある上記コンタクト層との接触を良好なオーミック接触
とすることができ、半導体装置の特性を向上させること
ができる。
【００６６】また、この発明（請求項５）に係る半導体
装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請
求項３）において、上記半導体基層は、第１導電型の半
導体基板，及びこの半導体基板上に順に成長させた上記
第１導電型の半導体からなる下クラッド層，この下クラ
ッド層を構成する半導体よりバンドギャップの小さいア
ンドープの半導体を含む活性層，この活性層を構成する
半導体よりバンドギャップの大きい上記第１導電型とは
逆の第２導電型の半導体からなる上クラッド層からな
り、上記コンタクト層は、上記第２導電型の半導体から
なり、上記半導体基層のエッチングは、上記下クラッド
層または上記半導体基板が露出する深さまで行うから、
上記のように、上記表面電極と上記コンタクト層との接
触を良好なオーミック接触とすることができるととも
に、上記第１の絶縁膜の下に残されたコンタクト層の幅
を上記リッジ部基部の幅より広くすることができ、これ
により表面電極とコンタクト層との接触面積を広くする
ことができるため、この接触における接触抵抗を低減で
き、半導体装置の特性を向上させることができる。
【００６７】また、この発明（請求項６）に係る半導体
装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請
求項４または５）において、上記半導体基板，上記下ク
ラッド層，及び上記上クラッド層は、ＩｎＰからなり、
上記コンタクト層は、ＩｎＧａＡｓからなり、上記表面
電極は上記リッジ部の最上層である上記コンタクト層に
直接接触しているから、上記表面電極と上記コンタクト
層との接触を良好なオーミック接触とすることができ、
半導体装置の特性を向上させることができる。
【００６８】また、この発明（請求項７）に係る半導体
装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請
求項４ないし６のいずれか）において、上記活性層は、
ＩｎＧａＡｓＰからなり、上記表面電極は上記リッジ部
の最上層である上記ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層に直接
接触しているから、上記表面電極と上記コンタクト層と
の接触を良好なオーミック接触とすることができ、半導
体装置の特性を向上させることができる。
【００６９】また、この発明（請求項８）に係る半導体
装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請
求項４ないし６のいずれか）において、上記活性層は、
一つまたは複数の量子井戸を含み、上記表面電極は上記
リッジ部の最上層である上記コンタクト層に直接接触し
ているから、上記表面電極と上記コンタクト層との接触
を良好なオーミック接触とすることができ、半導体装置
の特性を向上させることができる。
【００７０】また、この発明（請求項９）に係る半導体
装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法（請
求項８）において、上記量子井戸の井戸層は、ＩｎＧａ
ＡｓＰからなり、上記量子井戸のバリア層は、ＩｎＧａ
ＡｓＰ，ＩｎＧａＰまたはＩｎＰからなり、上記表面電
極は上記リッジ部の最上層である上記コンタクト層に直
接接触しているから、上記表面電極と上記コンタクト層
との接触を良好なオーミック接触とすることができ、半
導体装置の特性を向上させることができる。
【００７１】また、この発明（請求項１０）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項４ないし９のいずれか）において、上記活性層
は、その内部でレーザ光が発振される層であり、この活
性層を有する半導体レーザ素子が作製され、上記表面電
極は上記リッジ部の最上層である上記コンタクト層に直
接接触しているから、上記表面電極と上記コンタクト層
との接触を良好なオーミック接触とすることができ、半
導体レーザ装置の特性を向上させることができる。
【００７２】また、この発明（請求項１１）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項８または９）において、上記活性層は、その内
部で量子閉じ込めシュタルク効果により光を吸収する層
であり、この活性層を有する光変調器が作製され、上記
表面電極は上記リッジ部の最上層である上記コンタクト
層に直接接触しているから、上記表面電極と上記コンタ
クト層との接触を良好なオーミック接触とすることがで
き、半導体装置の特性を向上させることができる。
【００７３】また、この発明（請求項１２）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項８または９）において、上記半導体層は、上記
半導体基板と、この半導体基板表面の半導体レーザ素子
を形成すべき領域の両脇の領域に絶縁膜を形成し、この
絶縁膜をマスクとして上記半導体基板上の上記半導体レ
ーザ素子形成領域，及びこの領域に隣接した光変調器を
形成すべき領域を含む領域に順に選択成長させた上記下
クラッド層，上記活性層，上記上クラッド層，及び上記
コンタクト層とからなり、これらの成長層は、上記半導
体レーザ素子を形成すべき領域における層厚が、この領
域の他の領域における層厚より厚いものであり、上記リ
ッジ部は、上記半導体レーザ素子形成領域及び上記光変
調器形成領域にまたがって形成され、上記半導体レーザ
素子形成領域における上記活性層は、その内部でレーザ
光が発振される層であり、上記光変調器形成領域におけ
る上記活性層は、その内部で量子閉じ込めシュタルク効
果により上記レーザ光を吸収する層であり、上記表面電
極を形成する工程は、上記リッジ部の表面の上記半導体
レーザ素子形成領域に半導体レーザ素子表面電極を、上
記光変調器形成領域に光変調器表面電極を、互いに電気
的に分離して形成するものであり、上記表面電極を形成
する工程の後に、上記半導体基板の裏面に裏面電極を形
成する工程を含み、同一半導体基板上に、一体に形成さ
れ連続した上記活性層を有する半導体レーザ素子と光変
調器とが作製され、上記半導体レーザ素子表面電極及び
上記光変調器表面電極は、上記リッジ部の最上層である
上記コンタクト層に直接接触しているから、これらの表
面電極と上記コンタクト層との接触を良好なオーミック
接触とすることができ、半導体装置の特性を向上させる
ことができる。
【００７４】また、この発明（請求項１３）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１ないし１２のいずれか）において、上記高抵
抗層は、浅いアクセプタとなる不純物である炭素を含
み、上記表面電極は上記リッジ部の最上層に直接接触し
ているから、上記表面電極と上記リッジ部最上層との接
触を良好なオーミック接触とすることができ、半導体装
置の特性を向上させることができる。
【００７５】また、この発明（請求項１４）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１ないし１２のいずれか）において、上記高抵
抗層は、浅いアクセプタとなる不純物であるベリリウム
またはマグネシウムがドーピングされているものであ
り、上記表面電極は上記リッジ部の最上層に直接接触し
ているから、上記表面電極と上記リッジ部最上層との接
触を良好なオーミック接触とすることができ、半導体装
置の特性を向上させることができる。
【００７６】また、この発明（請求項１５）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１ないし１４のいずれか）において、上記高抵
抗層は、深いドナーとなる不純物である酸素がドーピン
グされているものであり、上記表面電極は上記リッジ部
の最上層に直接接触しているから、上記表面電極と上記
リッジ部最上層との接触を良好なオーミック接触とする
ことができ、半導体装置の特性を向上させることができ
る。
【００７７】また、この発明（請求項１６）に係る半導
体装置の製造方法では、半導体層上にストライプ形状の
絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜をマスクとして上
記半導体層に対して所要の深さまで異方性のドライエッ
チングを行い、上記絶縁膜下に残された上記半導体層か
らなるリッジ部を形成する工程と、このリッジ部の両脇
の上記半導体層がエッチングされた部分に、上記絶縁膜
をマスクとして、ＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓ
からなり、それが含む浅いドナーの濃度ＮSD，浅いアク
セプタの濃度ＮSA，及び深いドナーの濃度ＮDDが ＮSA
＞ＮSD かつＮSA−ＮSD＜ＮDD となる高抵抗層を有機
金属気相成長法により選択成長させ、続けてこの高抵抗
層上にその表面の全面を覆うようにこの高抵抗層を構成
する半導体より酸素と結合し難い半導体からなる被覆層
を選択成長させる工程と、上記絶縁膜を除去した後、上
記リッジ部上及び上記被覆層上の全面に、後述の表面電
極との間でオーミック接触をなす半導体からなるコンタ
クト層を成長させる工程と、上記コンタクト層の表面に
表面電極を形成する工程とを含むから、上記高抵抗層の
表面は上記被覆層で覆われることにより、大気に曝され
て酸化されることはなく、さらにこの被覆層の表面は酸
化され難いため、この被覆層上に成長させるコンタクト
層は良好な半導体結晶となる。このため、このコンタク
ト層と上記表面電極との接触を良好なオーミック接触と
することができ、半導体装置の特性を向上させることが
できる。
【００７８】また、この発明（請求項１７）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１６）において、上記リッジ部を形成する工程
は、上記絶縁膜をマスクとして上記半導体層に対して所
要の深さまで異方性のドライエッチングを行い、次に上
記半導体層に対してウェットエッチングを行い、上記リ
ッジ部の両側面が上記絶縁膜の両端より内側に位置する
ようにするものであるから、上記リッジ部の両脇に成長
させる上記高抵抗層が上記絶縁膜表面の両端に近い部分
に付着して大気に曝され酸化されることを防止すること
ができる。これにより、上記コンタクト層の結晶性を一
層良好なものとすることができ、このコンタクト層と上
記表面電極との接触をさらに良好なオーミック接触とす
ることができ、半導体装置の特性を向上させることがで
きる。
【００７９】また、この発明（請求項１８）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１６または１７）において、上記半導体層は、
第１導電型の半導体基板，及びこの半導体基板上に順に
成長させた上記第１導電型の半導体からなる下クラッド
層，この下クラッド層を構成する半導体よりバンドギャ
ップの小さいアンドープの半導体を含む活性層，この活
性層を構成する半導体よりバンドギャップの大きい上記
第１導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる上クラ
ッド層からなり、上記コンタクト層は、上記第２導電型
の半導体からなり、上記半導体層のエッチングは、上記
下クラッド層または上記半導体基板が露出する深さまで
行うものであり、上記高抵抗層の表面は上記被覆層で覆
われることにより、大気に曝されて酸化されることはな
く、さらにこの被覆層の表面は酸化され難いから、この
被覆層上に成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶
となり、このコンタクト層と上記表面電極との接触を良
好なオーミック接触とすることができ、半導体装置の特
性を向上させることができる。
【００８０】また、この発明（請求項１９）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１８）において、上記半導体基板，上記下クラ
ッド層，上記上クラッド層，及び上記被覆層は、ＩｎＰ
からなり、上記コンタクト層は、ＩｎＧａＡｓからなる
ものであり、上記高抵抗層の表面は上記ＩｎＰ被覆層で
覆われることにより、大気に曝されて酸化されることは
なく、さらにこのＩｎＰ被覆層の表面は酸化され難いか
ら、この被覆層上に成長させるコンタクト層は良好な半
導体結晶となり、このコンタクト層と上記表面電極との
接触を良好なオーミック接触とすることができ、半導体
装置の特性を向上させることができる。
【００８１】また、この発明（請求項２０）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１９）において、上記被覆層は、上記高抵抗層
の表面に成長させた上記第１導電型のＩｎＰからなる被
覆層下層と、この被覆層下層上に成長させた上記第２導
電型のＩｎＰからなる被覆層上層とからなるから、上記
のように、コンタクト層を良好な半導体結晶にでき、こ
のコンタクト層と上記表面電極との接触を良好なオーミ
ック接触とすることができるだけでなく、上記被覆層下
層により上記コンタクト層からのキャリアの高抵抗層へ
の注入を防止することができ、また上記被覆層上層によ
り被覆層とこの層上に再成長させるコンタクト層との界
面がp-n 接合界面とはならず、同一導電型の半導体の間
の界面となるため、この界面でのリーク電流を抑制する
ことができ、半導体装置の特性を一層向上させることが
できる。
【００８２】また、この発明（請求項２１）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１９または２０）において、上記活性層は、Ｉ
ｎＧａＡｓＰからなり、上記高抵抗層の表面は上記被覆
層で覆われることにより、大気に曝されて酸化されるこ
とはなく、さらにこの被覆層の表面は酸化され難いか
ら、この被覆層上に成長させるコンタクト層は良好な半
導体結晶となり、このコンタクト層と上記表面電極との
接触を良好なオーミック接触とすることができ、半導体
装置の特性を向上させることができる。
【００８３】また、この発明（請求項２２）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１９または２０）において、上記活性層は、一
つまたは複数の量子井戸を含み、上記高抵抗層の表面は
上記被覆層で覆われることにより、大気に曝されて酸化
されることはなく、さらにこの被覆層の表面は酸化され
難いから、この被覆層上に成長させるコンタクト層は良
好な半導体結晶となり、このコンタクト層と上記表面電
極との接触を良好なオーミック接触とすることができ、
半導体装置の特性を向上させることができる。
【００８４】また、この発明（請求項２３）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項２２）において、上記量子井戸の井戸層は、Ｉ
ｎＧａＡｓＰからなり、上記量子井戸のバリア層は、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ，ＩｎＧａＰまたはＩｎＰからなるもので
あり、上記高抵抗層の表面は上記被覆層で覆われること
により、大気に曝されて酸化されることはなく、さらに
この被覆層の表面は酸化され難いから、この被覆層上に
成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となり、こ
のコンタクト層と上記表面電極との接触を良好なオーミ
ック接触とすることができ、半導体装置の特性を向上さ
せることができる。
【００８５】また、この発明（請求項２４）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１８ないし２３のいずれか）において、上記活
性層は、その内部でレーザ光が発振される層であり、こ
の活性層を有する半導体レーザ素子が作製され、上記高
抵抗層の表面は上記被覆層で覆われることにより、大気
に曝されて酸化されることはなく、さらにこの被覆層の
表面は酸化され難いから、この被覆層上に成長させるコ
ンタクト層は良好な半導体結晶となり、このコンタクト
層と上記表面電極との接触を良好なオーミック接触とす
ることができ、半導体レーザ装置の特性を向上させるこ
とができる。
【００８６】また、この発明（請求項２５）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項２２または２３）において、上記活性層は、そ
の内部で量子閉じ込めシュタルク効果により光を吸収す
る層であり、この活性層を有する光変調器が作製され、
上記高抵抗層の表面は上記被覆層で覆われることによ
り、大気に曝されて酸化されることはなく、さらにこの
被覆層の表面は酸化され難いから、この被覆層上に成長
させるコンタクト層は良好な半導体結晶となり、このコ
ンタクト層と上記表面電極との接触を良好なオーミック
接触とすることができ、半導体装置の特性を向上させる
ことができる。
【００８７】また、この発明（請求項２６）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項２２または２３）において、上記半導体層は、
上記半導体基板と、この半導体基板表面の半導体レーザ
素子を形成すべき領域の両脇の領域に絶縁膜を形成し、
この絶縁膜をマスクとして上記半導体基板上の上記半導
体レーザ素子形成領域，及びこの領域に隣接した光変調
器を形成すべき領域を含む領域に順に選択成長させた上
記下クラッド層，上記活性層，及び上記上クラッド層と
からなり、これらの成長層は、上記半導体レーザ素子を
形成すべき領域における層厚が、この領域の他の領域に
おける層厚より厚いものであり、上記リッジ部は、上記
半導体レーザ素子形成領域及び上記光変調器形成領域に
またがって形成され、上記半導体レーザ素子形成領域に
おける上記活性層は、その内部でレーザ光が発振される
層であり、上記光変調器形成領域における上記活性層
は、その内部で量子閉じ込めシュタルク効果により上記
レーザ光を吸収する層であり、上記表面電極を形成する
工程は、上記リッジ部の表面の上記半導体レーザ素子形
成領域に半導体レーザ素子表面電極を、上記光変調器形
成領域に光変調器表面電極を、互いに電気的に分離して
形成するものであり、上記表面電極を形成する工程の後
に、上記半導体基板の裏面に裏面電極を形成する工程を
含み、同一半導体基板上に、一体に形成され連続した上
記活性層を有する半導体レーザ素子と光変調器とが作製
され、上記高抵抗層の表面は上記被覆層で覆われること
により、大気に曝されて酸化されることはなく、さらに
この被覆層の表面は酸化され難いから、この被覆層上に
成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となり、こ
のコンタクト層と上記半導体レーザ素子表面電極及び上
記光変調器表面電極との接触を良好なオーミック接触と
することができ、半導体装置の特性を向上させることが
できる。
【００８８】また、この発明（請求項２７）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１６ないし２６のいずれか）において、上記高
抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物である炭素を含
み、上記高抵抗層の表面は上記被覆層で覆われることに
より、大気に曝されて酸化されることはなく、さらにこ
の被覆層の表面は酸化され難いから、この被覆層上に成
長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となり、この
コンタクト層と上記表面電極との接触を良好なオーミッ
ク接触とすることができ、半導体装置の特性を向上させ
ることができる。
【００８９】また、この発明（請求項２８）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１６ないし２６のいずれか）において、上記高
抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物であるベリリウ
ムまたはマグネシウムがドーピングされているものであ
り、上記高抵抗層の表面は上記被覆層で覆われることに
より、大気に曝されて酸化されることはなく、さらにこ
の被覆層の表面は酸化され難いから、この被覆層上に成
長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となり、この
コンタクト層と上記表面電極との接触を良好なオーミッ
ク接触とすることができ、半導体装置の特性を向上させ
ることができる。
【００９０】また、この発明（請求項２９）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１６ないし２８のいずれか）において、上記高
抵抗層は、深いドナーとなる不純物である酸素がドーピ
ングされているものであり、上記高抵抗層の表面は上記
被覆層で覆われることにより、大気に曝されて酸化され
ることはなく、さらにこの被覆層の表面は酸化され難い
から、この被覆層上に成長させるコンタクト層は良好な
半導体結晶となり、このコンタクト層と上記表面電極と
の接触を良好なオーミック接触とすることができ、半導
体装置の特性を向上させることができる。
【００９１】また、この発明（請求項３０）に係る半導
体装置の製造方法では、半導体基層上にこの半導体基層
の表面部分を構成する半導体と異なる半導体からなるキ
ャップ層を成長させる工程と、上記キャップ層上にスト
ライプ形状の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜をマ
スクとして上記キャップ層に対して異方性のドライエッ
チングを行い、次に上記絶縁膜及びこの絶縁膜下に残さ
れた上記キャップ層をマスクとして上記半導体基層に対
する選択的なウットエッチングを行って、上記半導体基
層からなり、その側面が上記キャップ層の両端より内側
に位置するリッジ部基部を形成し、上記キャップ層及び
このリッジ部基部からなるリッジ部を形成する工程と、
上記リッジ部基部の両脇の上記半導体基層がエッチング
された部分に、上記絶縁膜をマスクとしてＩｎＡｌＡｓ
またはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅いドナ
ーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いド
ナーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜Ｎ
DD となる高抵抗層を上記リッジ部の側面の外側におい
て露出した上記キャップ層の裏面にこの高抵抗層の表面
が接するように有機金属気相成長法により選択成長さ
せ、続けてこの高抵抗層上にこの高抵抗層の露出してい
る表面の全面を覆うようにこの高抵抗層を構成する半導
体より酸素と結合し難い半導体からなる被覆層を選択成
長させる工程と、上記絶縁膜を除去した後、上記リッジ
部上及び上記被覆層上の全面に、後述の表面電極との間
でオーミック接触をなす半導体からなるコンタクト層を
成長させる工程と、上記コンタクト層の表面に表面電極
を形成する工程とを含むから、上記高抵抗層の表面は上
記被覆層及び上記キャップ層で覆われることにより、大
気に曝されて酸化されることはなく、さらにこの被覆層
及びキャップ層の表面は酸化され難いため、この被覆層
及びキャップ層上に成長させるコンタクト層は良好な半
導体結晶となる。このため、このコンタクト層と上記表
面電極との接触を良好なオーミック接触とすることがで
き、半導体装置の特性を向上させることができる。
【００９２】また、この発明（請求項３１）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項３０）において、上記半導体基層は、第１導電
型の半導体基板，及びこの半導体基板上に順に成長させ
た上記第１導電型の半導体からなる下クラッド層，この
下クラッド層を構成する半導体よりバンドギャップの小
さいアンドープの半導体を含む活性層，この活性層を構
成する半導体よりバンドギャップの大きい上記第１導電
型とは逆の第２導電型の半導体からなる上クラッド層か
らなり、上記コンタクト層は、上記第２導電型の半導体
からなり、上記キャップ層は、上記第２導電型の半導体
からなり、上記半導体基層のエッチングは、上記下クラ
ッド層または上記半導体基板が露出する深さまで行うも
のであり、上記高抵抗層の表面は上記被覆層及び上記キ
ャップ層で覆われることにより、大気に曝されて酸化さ
れることはなく、さらにこの被覆層及びキャップ層の表
面は酸化され難いから、この被覆層及びキャップ層上に
成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となる。こ
のため、このコンタクト層と上記表面電極との接触を良
好なオーミック接触とすることができ、半導体装置の特
性を向上させることができる。
【００９３】また、この発明（請求項３２）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項３１）において、上記半導体基板，上記下クラ
ッド層，上記上クラッド層，及び上記被覆層は、ＩｎＰ
からなり、上記コンタクト層及び上記キャップ層は、Ｉ
ｎＧａＡｓからなり、上記高抵抗層の表面は上記被覆層
及び上記キャップ層で覆われることにより、大気に曝さ
れて酸化されることはなく、さらにこの被覆層及びキャ
ップ層の表面は酸化され難いから、この被覆層及びキャ
ップ層上に成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶
となる。このため、このコンタクト層と上記表面電極と
の接触を良好なオーミック接触とすることができ、半導
体装置の特性を向上させることができる。
【００９４】また、この発明（請求項３３）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項３２）において、上記被覆層は、上記高抵抗層
の表面に成長させた上記第１導電型のＩｎＰからなる被
覆層下層と、この被覆層下層の表面に成長させた上記第
２導電型のＩｎＰからなる被覆層上層とからなるもので
あるから、上記のように、コンタクト層を良好な半導体
結晶にでき、このコンタクト層と上記表面電極との接触
を良好なオーミック接触とすることができるだけでな
く、上記被覆層下層により上記コンタクト層からのキャ
リアの高抵抗層への注入を防止することができ、また上
記被覆層上層によりこの層とこの層上に再成長させるコ
ンタクト層との界面がp-n 接合界面とはならず、同一導
電型の半導体の間の界面となるため、この界面でのリー
ク電流を抑制することができ、半導体装置の特性を一層
向上させることができる。
【００９５】また、この発明（請求項３４）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項３１ないし３３のいずれか）において、上記活
性層は、ＩｎＧａＡｓＰからなり、上記高抵抗層の表面
は上記被覆層及び上記キャップ層で覆われることによ
り、大気に曝されて酸化されることはなく、さらにこの
被覆層及びキャップ層の表面は酸化され難いから、この
被覆層及びキャップ層上に成長させるコンタクト層は良
好な半導体結晶となる。このため、このコンタクト層と
上記表面電極との接触を良好なオーミック接触とするこ
とができ、半導体装置の特性を向上させることができ
る。
【００９６】また、この発明（請求項３５）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項３１ないし３３のいずれか）において、上記活
性層は、一つまたは複数の量子井戸を含み、上記高抵抗
層の表面は上記被覆層及び上記キャップ層で覆われるこ
とにより、大気に曝されて酸化されることはなく、さら
にこの被覆層及びキャップ層の表面は酸化され難いか
ら、この被覆層及びキャップ層上に成長させるコンタク
ト層は良好な半導体結晶となる。このため、このコンタ
クト層と上記表面電極との接触を良好なオーミック接触
とすることができ、半導体装置の特性を向上させること
ができる。
【００９７】また、この発明（請求項３６）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項３５）において、上記量子井戸の井戸層は、Ｉ
ｎＧａＡｓＰからなり、上記量子井戸のバリア層は、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ，ＩｎＧａＰまたはＩｎＰからなり、上記
高抵抗層の表面は上記被覆層及び上記キャップ層で覆わ
れることにより、大気に曝されて酸化されることはな
く、さらにこの被覆層及びキャップ層の表面は酸化され
難いから、この被覆層及びキャップ層上に成長させるコ
ンタクト層は良好な半導体結晶となる。このため、この
コンタクト層と上記表面電極との接触を良好なオーミッ
ク接触とすることができ、半導体装置の特性を向上させ
ることができる。
【００９８】また、この発明（請求項３７）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項３１ないし３６のいずれか）において、上記活
性層は、その内部でレーザ光が発振される層であり、こ
の活性層を有する半導体レーザ素子が作製され、上記高
抵抗層の表面は上記被覆層及び上記キャップ層で覆われ
ることにより、大気に曝されて酸化されることはなく、
さらにこの被覆層及びキャップ層の表面は酸化され難い
から、この被覆層及びキャップ層上に成長させるコンタ
クト層は良好な半導体結晶となる。このため、このコン
タクト層と上記表面電極との接触を良好なオーミック接
触とすることができ、半導体装置の特性を向上させるこ
とができる。
【００９９】また、この発明（請求項３８）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項３５または３６）において、上記活性層は、そ
の内部で量子閉じ込めシュタルク効果により光を吸収す
る層であり、この活性層を有する光変調器が作製され、
上記高抵抗層の表面は上記被覆層及び上記キャップ層で
覆われることにより、大気に曝されて酸化されることは
なく、さらにこの被覆層及びキャップ層の表面は酸化さ
れ難いから、この被覆層及びキャップ層上に成長させる
コンタクト層は良好な半導体結晶となる。このため、こ
のコンタクト層と上記表面電極との接触を良好なオーミ
ック接触とすることができ、半導体装置の特性を向上さ
せることができる。
【０１００】また、この発明（請求項３９）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項３５または３６）において、上記半導体基層
は、上記半導体基板と、この半導体基板表面の半導体レ
ーザ素子を形成すべき領域の両脇の領域に絶縁膜を形成
し、この絶縁膜をマスクとして上記半導体基板上の上記
半導体レーザ素子形成領域，及びこの領域に隣接した光
変調器を形成すべき領域を含む領域に順に選択成長させ
た上記下クラッド層，上記活性層，及び上記上クラッド
層とからなり、上記キャップ層の成長は、上記半導体基
層形成における上記上クラッド層の成長に続けて行うも
のであり、上記下クラッド層，上記活性層，上記上クラ
ッド層，及び上記キャップ層は、上記半導体レーザ素子
を形成すべき領域における層厚が、この領域の他の領域
における層厚より厚いものであり、上記リッジ部は、上
記半導体レーザ素子形成領域及び上記光変調器形成領域
にまたがって形成され、上記半導体レーザ素子形成領域
における上記活性層は、その内部でレーザ光が発振され
る層であり、上記光変調器形成領域における上記活性層
は、その内部で量子閉じ込めシュタルク効果により上記
レーザ光を吸収する層であり、上記表面電極を形成する
工程は、上記リッジ部の表面の上記半導体レーザ素子形
成領域に半導体レーザ素子表面電極を、上記光変調器形
成領域に光変調器表面電極を、互いに電気的に分離して
形成するものであり、上記表面電極を形成する工程の後
に、上記半導体基板の裏面に裏面電極を形成する工程を
含み、同一半導体基板上に、一体に形成され連続した上
記活性層を有する、半導体レーザ素子と光変調器とが作
製され、上記高抵抗層の表面は上記被覆層及び上記キャ
ップ層で覆われることにより、大気に曝されて酸化され
ることはなく、さらにこの被覆層及びキャップ層の表面
は酸化され難いから、この被覆層及びキャップ層上に成
長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となる。この
ため、このコンタクト層と上記半導体レーザ素子表面電
極及び上記光変調器表面電極との接触を良好なオーミッ
ク接触とすることができ、半導体装置の特性を向上させ
ることができる。
【０１０１】また、この発明（請求項４０）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項３０ないし３９のいずれか）において、上記高
抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物である炭素を含
み、上記高抵抗層の表面は上記被覆層及び上記キャップ
層で覆われることにより、大気に曝されて酸化されるこ
とはなく、さらにこの被覆層及びキャップ層の表面は酸
化され難いから、この被覆層及びキャップ層上に成長さ
せるコンタクト層は良好な半導体結晶となる。このた
め、このコンタクト層と上記表面電極との接触を良好な
オーミック接触とすることができ、半導体装置の特性を
向上させることができる。
【０１０２】また、この発明（請求項４１）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項３０ないし３９のいずれか）において、上記高
抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物であるベリリウ
ムまたはマグネシウムがドーピングされているものであ
り、上記高抵抗層の表面は上記被覆層及び上記キャップ
層で覆われることにより、大気に曝されて酸化されるこ
とはなく、さらにこの被覆層及びキャップ層の表面は酸
化され難いから、この被覆層及びキャップ層上に成長さ
せるコンタクト層は良好な半導体結晶となる。このた
め、このコンタクト層と上記表面電極との接触を良好な
オーミック接触とすることができ、半導体装置の特性を
向上させることができる。
【０１０３】また、この発明（請求項４２）に係る半導
体装置の製造方法では、上記の半導体装置の製造方法
（請求項３０ないし４１のいずれか）において、上記高
抵抗層は、深いドナーとなる不純物である酸素がドーピ
ングされているものであり、上記高抵抗層の表面は上記
被覆層及び上記キャップ層で覆われることにより、大気
に曝されて酸化されることはなく、さらにこの被覆層及
びキャップ層の表面は酸化され難いから、この被覆層及
びキャップ層上に成長させるコンタクト層は良好な半導
体結晶となる。このため、このコンタクト層と上記表面
電極との接触を良好なオーミック接触とすることがで
き、半導体装置の特性を向上させることができる。
【０１０４】また、この発明（請求項４３）に係る半導
体装置では、半導体層上にストライプ形状の第１の絶縁
膜を形成し、この第１の絶縁膜をマスクとして上記半導
体層を所要の深さまでエッチングして、上記第１の絶縁
膜下に残された上記半導体層からなるリッジ部を形成
し、このリッジ部の両脇の上記半導体層がエッチングさ
れた部分に、上記第１の絶縁膜をマスクとしてＩｎＡｌ
ＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅い
ドナーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深
いドナーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD
＜ＮDD となる高抵抗層を有機金属気相成長法により選
択成長させ、上記第１の絶縁膜を除去した後、上記高抵
抗層上にその露出した表面の全面を覆うように第２の絶
縁膜を形成し、上記半導体層のリッジ部の表面に表面電
極を、上記半導体層の裏面に裏面電極を形成して、作製
されてなるから、上記高抵抗層上に半導体層を再成長さ
せておらず、前述の従来の半導体装置のように大気に曝
された後の高抵抗層表面に再成長させた半導体層におけ
る半導体結晶の品質が良好でないといった問題が発生し
ない。また、表面電極はリッジ部表面に直接接触してお
り、前述の従来の半導体装置のように大気に曝された高
抵抗層の表面上に再成長させたコンタクト層上に電極を
形成していないため、リッジ部を構成している半導体と
の良好なオーミック接触を容易に得ることができ、半導
体装置の特性を向上させることができる。
【０１０５】また、この発明（請求項４４）に係る半導
体装置では、上記の半導体装置（請求項４３）におい
て、上記半導体層のエッチングによる上記リッジ部の形
成は、上記半導体層に対して異方性のドライエッチング
を行うことにより上記リッジ部を形成するものであり、
上記のように、表面電極はリッジ部表面に直接接触して
いるから、リッジ部を構成している半導体との良好なオ
ーミック接触を容易に得ることができ、半導体装置の特
性を向上させることができる。
【０１０６】また、この発明（請求項４５）に係る半導
体装置では、上記の半導体装置（請求項４４）におい
て、上記半導体層は、第１導電型の半導体基板と、この
半導体基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域の
両脇の領域に絶縁膜を形成し、この絶縁膜をマスクとし
て上記半導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領域，
及びこの領域に隣接した光変調器を形成すべき領域を含
む領域に順に選択成長させた上記第１導電型の半導体か
らなる下クラッド層，その井戸層がこの下クラッド層を
構成する半導体よりバンドギャップの小さいアンドープ
の半導体からなる一つまたは複数の量子井戸を含む活性
層，上記井戸層を構成する半導体よりバンドギャップの
大きい上記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体から
なる上クラッド層，及び上記第２導電型の半導体からな
るコンタクト層とからなり、上記半導体層を構成する各
層は、上記半導体レーザ素子を形成すべき領域における
層厚が、この領域の他の領域における層厚より厚いもの
であり、上記リッジ部を上記半導体レーザ素子形成領域
及び上記光変調器形成領域にまたがって形成し、上記半
導体レーザ素子形成領域における上記活性層は、その内
部でレーザ光が発振される層であり、上記光変調器形成
領域における上記活性層は、その内部で量子閉じ込めシ
ュタルク効果により上記レーザ光を吸収する層であり、
上記表面電極として、上記リッジ部の表面の上記半導体
レーザ素子形成領域に形成された半導体レーザ素子表面
電極と、上記光変調器形成領域に形成された光変調器表
面電極とが、互いに電気的に分離されて設けられ、上記
半導体基板の裏面の上記半導体レーザ素子形成領域及び
上記光変調器形成領域にまたがって裏面電極を形成して
作製されてなり、上記半導体基板上の半導体レーザ素子
形成領域に形成された半導体レーザ素子と、上記光変調
器形成領域に形成された光変調器とを備え、上記活性層
は、上記半導体レーザ素子及び上記光変調器にわたって
一体に形成され連続したものであり、上記半導体レーザ
素子表面電極及び上記光変調器表面電極は、上記リッジ
部の最上層である上記コンタクト層に直接接触している
から、これらの表面電極と上記コンタクト層との接触を
良好なオーミック接触とすることができ、半導体装置の
特性を向上させることができる。
【０１０７】また、この発明（請求項４６）に係る半導
体装置では、上記の半導体装置（請求項４３）におい
て、上記半導体層は、半導体基層と、該半導体基層上に
成長させた上記表面電極との間でオーミック接触をなす
半導体からなるコンタクト層とからなり、上記リッジ部
の形成は、上記コンタクト層上に形成された上記第１の
絶縁膜をマスクとして上記コンタクト層に対する異方性
のドライエッチングを行い、次に上記第１の絶縁膜及び
該絶縁膜の下に残された上記コンタクト層をマスクとし
て、上記半導体基層に対して所要の深さまで選択的なウ
エットエッチングを行って、その側面が上記コンタクト
層の両端より内側に位置し、上記半導体基層からなるリ
ッジ部基部を形成し、上記コンタクト層及び該リッジ部
基部からなるリッジ部を形成するものであり、上記高抵
抗層は、上記リッジ部基部の側面の外側において露出し
た上記コンタクト層の裏面に上記高抵抗層の表面が接す
るように選択成長させてなるものであるから、上記表面
電極と上記コンタクト層との接触を良好なオーミック接
触とすることができるだけでなく、上記第１の絶縁膜の
下に残されたコンタクト層の幅を上記リッジ部基部の幅
より広くすることができ、これにより表面電極とコンタ
クト層との接触面積を広くすることができるため、この
接触における接触抵抗を低減でき、半導体装置の特性を
向上させることができる。
【０１０８】また、この発明（請求項４７）に係る半導
体装置では、上記の半導体装置（請求項４６）におい
て、上記半導体基層は、第１導電型の半導体基板と、該
半導体基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域の
両脇の領域に絶縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして
上記半導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領域，及
び該領域に隣接した光変調器を形成すべき領域を含む領
域に順に選択成長させた上記第１導電型の半導体からな
る下クラッド層，その井戸層が該下クラッド層を構成す
る半導体よりバンドギャップの小さいアンドープの半導
体からなる一つまたは複数の量子井戸を含む活性層，上
記井戸層を構成する半導体よりバンドギャップの大きい
上記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる上
クラッド層とからなり、上記コンタクト層は、上記第２
導電型の半導体からなり、上記半導体基層を構成する各
層，及び上記コンタクト層は、上記半導体レーザ素子を
形成すべき領域における層厚が、該領域の他の領域にお
ける層厚より厚いものであり、上記リッジ部を上記半導
体レーザ素子形成領域及び上記光変調器形成領域にまた
がって形成し、上記半導体レーザ素子形成領域における
上記活性層は、その内部でレーザ光が発振される層であ
り、上記光変調器形成領域における上記活性層は、その
内部で量子閉じ込めシュタルク効果により上記レーザ光
を吸収する層であり、上記表面電極として、上記リッジ
部の表面の上記半導体レーザ素子形成領域に形成された
半導体レーザ素子表面電極と、上記光変調器形成領域に
形成された光変調器表面電極とが、互いに電気的に分離
されて設けられ、上記半導体基板の裏面の上記半導体レ
ーザ素子形成領域及び上記光変調器形成領域にまたがっ
て裏面電極を形成して作製されてなり、上記半導体基板
上の半導体レーザ素子形成領域に形成された半導体レー
ザ素子と、上記光変調器形成領域に形成された光変調器
とを備え、上記活性層は、上記半導体レーザ素子及び上
記光変調器にわたって一体に形成され連続したものであ
り、上記半導体レーザ素子表面電極及び上記光変調器表
面電極は、上記リッジ部の最上層である上記コンタクト
層に直接接触しているから、これらの表面電極と上記コ
ンタクト層との接触を良好なオーミック接触とすること
ができ、さらに、上記第１の絶縁膜の下に残されたコン
タクト層の幅を上記リッジ部基部の幅より広くすること
ができ、これにより表面電極とコンタクト層との接触抵
抗を低減できるため、半導体装置の特性を向上させるこ
とができる。
【０１０９】また、この発明（請求項４８）に係る半導
体装置では、半導体層上にストライプ形状の絶縁膜を形
成し、この絶縁膜をマスクとして上記半導体層に対して
所要の深さまで異方性のドライエッチングを行い、上記
絶縁膜下に残された上記半導体層からなるリッジ部を形
成し、このリッジ部の両脇の上記半導体層がエッチング
された部分に、上記絶縁膜をマスクとしてＩｎＡｌＡｓ
またはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅いドナ
ーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いド
ナーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜Ｎ
DD となる高抵抗層を有機金属気相成長法により選択成
長させ、続けてこの高抵抗層上にこの高抵抗層を構成す
る半導体より酸素と結合し難い半導体からなる被覆層を
選択成長させ、この高抵抗層の表面の全面をこの被覆層
により覆うようにし、上記絶縁膜を除去した後、上記リ
ッジ部上及び上記被覆層上の全面に、後述の表面電極と
の間でオーミック接触をなす半導体からなるコンタクト
層を成長させ、上記コンタクト層の表面に表面電極を、
上記半導体層の裏面に裏面電極を形成して作製されてな
るから、上記高抵抗層の表面は上記被覆層で覆われるこ
とにより、大気に曝されて酸化されることはなく、さら
にこの被覆層の表面は酸化され難いため、この被覆層上
に成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となる。
このため、このコンタクト層と上記表面電極との接触を
良好なオーミック接触とすることができ、半導体装置の
特性を向上させることができる。
【０１１０】また、この発明（請求項４９）に係る半導
体装置では、上記の半導体装置（請求項４８）におい
て、上記半導体層は、第１導電型の半導体基板と、この
半導体基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域の
両脇の領域に絶縁膜を形成し、この絶縁膜をマスクとし
て上記半導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領域，
及びこの領域に隣接した光変調器を形成すべき領域を含
む領域に順に選択成長させた上記第１導電型の半導体か
らなる下クラッド層，その井戸層がこの下クラッド層を
構成する半導体よりバンドギャップの小さいアンドープ
の半導体からなる一つまたは複数の量子井戸を含む活性
層，及び上記井戸層を構成する半導体よりバンドギャッ
プの大きい上記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体
からなる上クラッド層とからなり、上記半導体層を構成
する各層は、上記半導体レーザ素子を形成すべき領域に
おける層厚が、この領域の他の領域における層厚より厚
いものであり、上記リッジ部を上記半導体レーザ素子形
成領域及び上記光変調器形成領域にまたがって形成し、
上記半導体レーザ素子形成領域における上記活性層は、
その内部でレーザ光が発振される層であり、上記光変調
器形成領域における上記活性層は、その内部で量子閉じ
込めシュタルク効果により上記レーザ光を吸収する層で
あり、上記表面電極として、上記リッジ部の表面の上記
半導体レーザ素子形成領域に形成された半導体レーザ素
子表面電極と、上記光変調器形成領域に形成された光変
調器表面電極とが、互いに電気的に分離されて設けら
れ、上記半導体基板の裏面に裏面電極を形成して作製さ
れてなり、上記半導体基板上の半導体レーザ素子形成領
域に形成された半導体レーザ素子と、上記光変調器形成
領域に形成された光変調器とを備え、上記活性層は、上
記半導体レーザ素子及び上記光変調器にわたって一体に
形成され連続したものであり、上記高抵抗層の表面は上
記被覆層で覆われることにより、大気に曝されて酸化さ
れることはなく、さらにこの被覆層の表面は酸化され難
いから、この被覆層上に成長させるコンタクト層は良好
な半導体結晶となり、このコンタクト層と上記半導体レ
ーザ素子表面電極及び上記光変調器表面電極との接触を
良好なオーミック接触とすることができ、半導体装置の
特性を向上させることができる。
【０１１１】また、この発明（請求項５０）に係る半導
体装置では、半導体基層上にこの半導体基層の表面部分
を構成する半導体と異なる半導体からなるキャップ層を
成長させ、上記キャップ層上にストライプ形状の絶縁膜
を形成し、この絶縁膜をマスクとして上記キャップ層に
対して異方性のドライエッチングを行い、次に上記絶縁
膜及びこの絶縁膜下に残された上記キャップ層をマスク
として上記半導体基層に対する選択的なウットエッチン
グを行って、その側面が上記キャップ層の両端より内側
に位置し、上記半導体基層からなるリッジ部基部を形成
して、上記キャップ層及びこのリッジ部基部からなるリ
ッジ部を形成し、上記リッジ部基部の両脇の上記半導体
基層がエッチングされた部分に、上記絶縁膜をマスクと
してＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、そ
れが含む浅いドナーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度
ＮSA，及び深いドナーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ
ＮSA−ＮSD＜ＮDD となる高抵抗層を上記リッジ部基部
の側面の外側において露出した上記キャップ層の裏面に
この高抵抗層の表面が接するように有機金属気相成長法
により選択成長させ、続けてこの高抵抗層上にこの高抵
抗層を構成する半導体より酸素と結合し難い半導体から
なる被覆層を選択成長させ、この高抵抗層の表面の全面
をこの被覆層により覆うようにし、上記絶縁膜を除去し
た後、上記リッジ部上及び上記被覆層上の全面に、後述
の表面電極との間でオーミック接触をなす半導体からな
るコンタクト層を成長させ、上記コンタクト層の表面に
表面電極を、上記半導体基層の裏面に裏面電極を形成し
て作製されてなるから、上記高抵抗層の表面は上記被覆
層及び上記キャップ層で覆われることにより、大気に曝
されて酸化されることはなく、さらにこの被覆層及びキ
ャップ層の表面は酸化され難いため、この被覆層及びキ
ャップ層上に成長させるコンタクト層は良好な半導体結
晶となる。このため、このコンタクト層と上記表面電極
との接触を良好なオーミック接触とすることができ、半
導体装置の特性を向上させることができる。
【０１１２】また、この発明（請求項５１）に係る半導
体装置では、上記の半導体装置（請求項５０）におい
て、上記半導体基層は、第１導電型の半導体基板と、こ
の半導体基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域
の両脇の領域に絶縁膜を形成し、この絶縁膜をマスクと
して上記半導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領
域，及びこの領域に隣接した光変調器を形成すべき領域
を含む領域に順に選択成長させた上記第１導電型の半導
体からなる下クラッド層，その井戸層がこの下クラッド
層を構成する半導体よりバンドギャップの小さいアンド
ープの半導体からなる一つまたは複数の量子井戸を含む
活性層，及び上記井戸層を構成する半導体よりバンドギ
ャップの大きい上記第１導電型とは逆の第２導電型の半
導体からなる上クラッド層とからなり、上記キャップ層
は、上記半導体基層形成における上記上クラッド層の成
長に続けて、この上クラッド層上に上記第２導電型の半
導体を成長させるものであり、上記下クラッド層，上記
活性層，上記上クラッド層，及び上記キャップ層は、上
記半導体レーザ素子を形成すべき領域における層厚が、
この領域の他の領域における層厚より厚いものであり、
上記リッジ部を上記半導体レーザ素子形成領域及び上記
光変調器形成領域にまたがって形成し、上記半導体レー
ザ素子形成領域における上記活性層は、その内部でレー
ザ光が発振される層であり、上記光変調器形成領域にお
ける上記活性層は、その内部で量子閉じ込めシュタルク
効果により上記レーザ光を吸収する層であり、上記表面
電極として、上記リッジ部の表面の上記半導体レーザ素
子形成領域に形成された半導体レーザ素子表面電極と、
上記光変調器形成領域に形成された光変調器表面電極と
が、互いに電気的に分離されて設けられ、上記半導体基
板の裏面に裏面電極を形成して作製されてなり、上記半
導体基板上の半導体レーザ素子形成領域に形成された半
導体レーザ素子と、上記光変調器形成領域に形成された
光変調器とを備え、上記活性層は、上記半導体レーザ素
子及び上記光変調器にわたって一体に形成され連続した
ものであり、上記高抵抗層の表面は上記被覆層及び上記
キャップ層で覆われることにより、大気に曝されて酸化
されることはなく、さらにこの被覆層及びキャップ層の
表面は酸化され難いから、この被覆層及びキャップ層上
に成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となる。
このため、このコンタクト層と上記半導体レーザ素子表
面電極及び上記光変調器表面電極との接触を良好なオー
ミック接触とすることができ、半導体装置の特性を向上
させることができる。
【０１１３】
【実施例】
実施例１．この発明の第１の実施例による半導体装置の
製造方法，及びそれにより作製される半導体装置につい
て説明する。図１(a)-(d) は、本実施例１によるリッジ
部の両脇にＭＯＣＶＤ法によってＩｎＡｌＡｓ高抵抗層
を成長させる半導体レーザ装置の製造方法，及びそれに
より作製される半導体レーザ装置（図１(d) ）を示す断
面図である。図において、１はｎ型ＩｎＰ下クラッド
層，２はＩｎＧａＡｓＰ活性層，３はｐ型ＩｎＰ上クラ
ッド層，４はＩｎＡｌＡｓ高抵抗層，５は表面電極（ｐ
側電極：ＡｕＺｎ／Ａｕ），６は裏面電極（ｎ側電極：
ＡｕＧｅ／Ａｕ），７は第１の絶縁膜であるＳｉＮ膜，
８はｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層，９は第２の絶縁膜
であるＳｉＯ2 膜，３０はリッジ部，１００はｎ型Ｉｎ
Ｐ基板である。
【０１１４】まず、本実施例による半導体レーザ装置の
製造方法について説明する。最初に、ｎ型ＩｎＰ基板１
００上の全面に、ｎ型ＩｎＰ下クラッド層１（数μｍ，
１×１０18cm-3），ＩｎＧａＡｓＰ活性層２（１０〜１
００ｎｍ，アンドープ），ｐ型ＩｎＰ上クラッド層３
（１μｍ，５×１０17〜１×１０18cm-3），ｐ型ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層８（０．１μｍ，１×１０18cm-3）
を順にＭＯＣＶＤ法を用いて成長させる。ただし、（）
内は、各層の厚さ，及びドーピングされたｎ型またはｐ
型不純物の濃度である。（以下においても同様。）ｎ型
不純物としてはＳ（硫黄）、ｐ型不純物としてはＺｎ
（亜鉛）を用いている。活性層２を構成するＩｎＧａＡ
ｓＰの組成は、発光波長が１．３〜１．６μｍとなり、
かつＩｎＰとほぼ等しい格子定数を有する組成である。
なお、活性層はこのように層内のＩｎＧａＡｓＰの組成
が均一な層ではなく、一つまたは複数の量子井戸を含む
層であってもよく、この場合、量子井戸を構成する井戸
層としてはＩｎＧａＡｓＰ，バリア層としてはＩｎＧａ
ＡｓＰ，ＩｎＧａＰまたはＩｎＰを用いればよい。ま
た、ＩｎＧａＡｓコンタクト層８は、ＩｎＰと格子整合
する組成となっている。次に、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタ
クト層８上の全面に厚さ１００〜２００ｎｍのＳｉＮ膜
を堆積し、写真製版及びエッチングによりパターンニン
グして、図１(a) に示すようにストライプ形状のＳｉＮ
膜（第１の絶縁膜）７を形成する。ただし、このストラ
イプの伸びる方向は、この図の断面に垂直な方向であ
る。
【０１１５】この後、図１(b) に示すように、ＳｉＮ膜
（第１の絶縁膜）７をマスクとして、反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）等の異方性を有するドライエッチング
により、ＩｎＰ基板上に成長させた上記の半導体層をエ
ッチングし、ＳｉＮ膜７の下に残った半導体層からなる
リッジ部３０を形成する。このエッチングの深さは４μ
ｍ程度である。この際に用いるエッチングガス種として
は、例えばＣ2 Ｈ6 ＋Ｈ2 などがある。上記のエッチン
グは異方性エッチングであるため、ＳｉＮ膜７の幅とリ
ッジ部３０の幅は、ほぼ同じとなる。次に、図１(c) に
示すように、ＳｉＮ膜７をマスクとして、ＭＯＣＶＤ法
を用いてＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４を選択成長させ、リッ
ジ部３０両脇の半導体層の上記エッチングにより除去さ
れた部分を埋め込む。高抵抗層４は、この部分に電流が
流れることを阻止し、リッジ部３０にのみ電流を流すよ
うにするための電流ブロック層である。この際、ＳｉＮ
膜７上には高抵抗層は成長しない。ＩｎＡｌＡｓ高抵抗
層４は、前述のように、通常用いられる６００〜７００
℃より低い５００℃程度の成長温度で成長させたもので
あり、これによって、成長層中に取り込まれる浅いアク
セプタとなる不純物である炭素（Ｃ）の濃度を高くし
て、Ｓｉ等の残留不純物からなる浅いドナーを補償し、
この浅いドナーの濃度を上回る濃度の浅いアクセプタを
主に酸素からなる深いドナーで補償することによって、
５×１０4 Ω・ cm程度以上の高い抵抗率を実現している
ものである。すなわち、この高抵抗層中では、これに含
まれる浅いドナーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度Ｎ
SA，及び深いドナーの濃度ＮDDの間に ＮSA＞ＮSD か
つ ＮSA−ＮSD＜ＮDDの関係が成り立っている。この高
抵抗層においては、浅いドナーを補償するのに、Ｆｅの
ように拡散し易い深いアクセプタとなる不純物は用いら
れていないため、このＦｅが活性層に拡散して、特性劣
化を引き起こすことがなく、従って、高い信頼性を有す
る半導体レーザ装置が得られる。次に、ＳｉＮ膜７を除
去した後、ＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４の表面上にこれを覆
うように第２の絶縁膜であるＳｉＯ2 膜９を形成する。
さらに、図１(d) に示すように、ｐ型ＩｎＧａＡｓコン
タクト層８の表面領域を含むそれより広い領域にＡｕＺ
ｎ／Ａｕ（１００〜２００ｎｍ／２μｍ）からなる表面
電極（ｐ側電極）５を形成し、ＩｎＰ基板１００の裏面
にはＡｕＧｅ／Ａｕ（１００〜２００ｎｍ／１μｍ）か
らなる裏面電極（ｎ側電極）６を形成する。表面電極及
び裏面電極のＡｕ層はメッキによって形成される。
【０１１６】以上述べた製造方法により、下クラッド層
１，活性層２，上クラッド層３，及びコンタクト層８か
らなるリッジ部の両脇にＭＯＣＶＤ法によって成長させ
たＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４が設けられ、コンタクト層８
とのみ接触している表面電極５を有する、図１(d) に示
した半導体レーザ装置が作製される。
【０１１７】本実施例１においては、ＩｎＡｌＡｓ高抵
抗層４の選択成長の後、ＳｉＮ膜７をエッチング除去す
る工程で高抵抗層４の表面が大気に曝され、酸化される
が、この酸化されたＩｎＡｌＡｓ高抵抗層表面上に、前
述の従来の製造方法のようにコンタクト層を含む半導体
層を再成長させることはなく、従ってこのような再成長
層における結晶品質の劣化という問題は発生しない。
【０１１８】さらに、本実施例１においては、表面電極
５はｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８には接触している
が、ＳｉＯ2 膜９によってＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４には
直接接触しないようになっている。コンタクト層８はＡ
ｌのように酸化され易い元素を含んでいないため、Ｓｉ
Ｎ膜７の除去後、その表面が酸化されることはなく、こ
の層と表面電極５との間の接触を良好なオーミック接触
とすることができる。これにより、この半導体レーザ装
置の電気特性を良好なものとすることができる。
【０１１９】なお、ＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４に含まれる
浅いアクセプタとなる主な不純物は、上記の炭素ではな
くドーピングしたベリリウムまたはマグネシウムであっ
てもよい。また、深いドナーとなる酸素をさらにドーピ
ングすると、ＮDDが増大し、ＮSA−ＮSD＜ＮDD が成り
立つ浅いアクセプタの濃度ＮSAの範囲が広くなり、ＮSA
の制御が容易となる。また、上記のＩｎＡｌＡｓと同様
の成長条件のもとで、ＩｎＡｌＧａＡｓを成長させて
も、上記と同様の高抵抗層が得られる。
【０１２０】実施例２．この発明の第２の実施例による
半導体装置の製造方法，及びそれにより作製される半導
体装置について説明する。図２(a)-(e) は、本実施例２
によるリッジ部の両脇にＭＯＣＶＤ法によってＩｎＡｌ
Ａｓ高抵抗層を成長させる半導体レーザ装置の製造方
法，及びそれにより作製される半導体レーザ装置（図２
(e) ）を示す断面図である。図において、３０１はリッ
ジ部基部である。なお、図１と同一部分には同一符号を
付し、その詳しい説明は省略する。
【０１２１】まず、本実施例による半導体レーザ装置の
製造方法について説明する。最初に、実施例１と同様
に、ｎ型ＩｎＰ基板１００上の全面に、ｎ型ＩｎＰ下ク
ラッド層１（数μｍ，１×１０18cm-3），ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層２（１０〜１００ｎｍ，アンドープ），ｐ型Ｉ
ｎＰ上クラッド層３（１μｍ，５×１０17〜１×１０18
cm-3），ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８（０．１μ
ｍ，１×１０18cm-3）を順にＭＯＣＶＤ法を用いて成長
させる。活性層２を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成は、
発光波長が１．３〜１．６μｍとなり、かつＩｎＰとほ
ぼ等しい格子定数を有する組成である。この活性層は、
前述のように量子井戸を含む層であってもよい。次に、
ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８上の全面に厚さ１００
〜２００ｎｍのＳｉＮ膜を堆積し、写真製版及びエッチ
ングによりパターンニングして、図２(a) に示すように
ストライプ形状のＳｉＮ膜（第１の絶縁膜）７を形成す
る。ただし、このストライプの伸びる方向は、この図の
断面に垂直な方向である。この後、図１(b) に示すよう
に、ＳｉＮ膜（第１の絶縁膜）７をマスクとして、ＲＩ
Ｅ等の異方性を有するドライエッチングにより、ｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓコンタクト層８のみをエッチングする。
【０１２２】次に、図１(c) に示すように、ＳｉＮ膜
（第１の絶縁膜）７及びこの膜の下に残されたＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層８をマスクとして、ＩｎＰ上クラッド
層３，ＩｎＧａＡｓＰ活性層２，及びＩｎＰ下クラッド
層１をウェットエッチングにより選択的にエッチング
し、ＩｎＧａＡｓコンタクト層８の下に残った半導体層
からなるリッジ部基部３０１を形成する。このエッチン
グの深さは４μｍ程度になるようにする。この際に用い
るエッチング液としては、例えばＨＣｌ系のエッチング
液がある。このエッチングは等方性のエッチングである
ため、深さ方向のみでなく横方向にもエッチングが進
み、リッジ部基部３０１の幅は、ＳｉＮ膜７の幅すなわ
ちＩｎＧａＡｓコンタクト層８幅より狭くなる。
【０１２３】次に、図２(d) に示すように、ＳｉＮ膜７
をマスクとして、ＭＯＣＶＤ法を用いてＩｎＡｌＡｓ高
抵抗層４を選択成長させ、リッジ部基部３０１両脇の半
導体層の上記エッチングにより除去された部分を埋め込
む。高抵抗層４は、この部分に電流が流れることを阻止
し、リッジ部３０にのみ電流を流すようにするための電
流ブロック層である。この際、ＳｉＮ膜７上には高抵抗
層は成長しない。ＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４は、実施例１
で説明したように５００℃程度の比較的低い成長温度で
形成され、これに含まれる浅いドナーの濃度ＮSD，主に
炭素からなる浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いドナ
ーの濃度ＮDDの間に ＮSA＞ＮSD かつＮSA−ＮSD＜Ｎ
DD の関係が成り立つようにして、５×１０4 Ω・ cm程
度以上の高い抵抗率を実現している。また、このように
成長温度が低いため、高抵抗層４はリッジ部基部３０１
の側面の外側において露出したＩｎＧａＡｓコンタクト
層８の裏面に密着するように形成される。
【０１２４】次に、ＳｉＮ膜７を除去した後、ＩｎＡｌ
Ａｓ高抵抗層４の表面上にこれを覆うように第２の絶縁
膜であるＳｉＯ2 膜９を形成する。さらに、図２(e) に
示すように、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８の表面領
域を含むそれより広い領域にＡｕＺｎ／Ａｕ（１００〜
２００ｎｍ／２μｍ）からなる表面電極（ｐ側電極）５
を形成し、ＩｎＰ基板１００の裏面にはＡｕＧｅ／Ａｕ
（１００〜２００ｎｍ／１μｍ）からなる裏面電極（ｎ
側電極）６を形成する。表面電極及び裏面電極のＡｕ層
はメッキによって形成される。
【０１２５】以上述べた製造方法により、下クラッド層
１，活性層２，及び上クラッド層３からなるリッジ部基
部３０１の両脇にＭＯＣＶＤ法によって成長させたＩｎ
ＡｌＡｓ高抵抗層４が設けられ、コンタクト層８とのみ
接触している表面電極５を有する、図２(e) に示した半
導体レーザ装置が作製される。
【０１２６】本実施例２においても、前述の実施例１と
同様に、ＳｉＮ膜７をエッチング除去する工程でＩｎＡ
ｌＡｓ高抵抗層４の表面が大気に曝され、酸化される
が、この酸化された高抵抗層表面上に、前述の従来の製
造方法のようにコンタクト層を含む半導体層を再成長さ
せることはなく、従ってこのような再成長層における結
晶品質の劣化という問題は発生しない。さらに、表面電
極５はｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８には接触してい
るが、ＳｉＯ2 膜９によってＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４に
は直接接触しないようになっている。コンタクト層８は
Ａｌのように酸化され易い元素を含んでいないため、Ｓ
ｉＮ膜７の除去後、その表面が酸化されることはなく、
この層と表面電極５との間の接触を良好なオーミック接
触とすることができる。これにより、この半導体レーザ
装置の特性を良好なものとすることができる。
【０１２７】さらに、本実施例２においては、ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層８の幅を半導体レーザ装置に要求
される性能により決まるリッジ部基部３０１の幅より広
くすることができる。これにより、コンタクト層８と表
面電極５の接触面積を広くでき、その接触抵抗を低減す
ることができるため、半導体レーザ装置の特性を一層向
上させることができる。
【０１２８】なお、ＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４に含まれる
浅いアクセプタとなる主な不純物は、上記の炭素ではな
くドーピングしたベリリウムまたはマグネシウムであっ
てもよい。また、深いドナーとなる酸素をさらにドーピ
ングすると、ＮDDが増大し、ＮSA−ＮSD＜ＮDD が成り
立つ浅いアクセプタの濃度ＮSAの範囲が広くなり、ＮSA
の制御が容易となる。また、上記のＩｎＡｌＡｓと同様
の成長条件のもとで、ＩｎＡｌＧａＡｓを成長させて
も、上記と同様の高抵抗層が得られる。
【０１２９】実施例３．この発明の第３の実施例による
半導体装置の製造方法，及びそれにより作製される半導
体装置について説明する。図３(a)-(d) は、本実施例３
によるリッジ部の両脇にＭＯＣＶＤ法によってＩｎＡｌ
Ａｓ高抵抗層を成長させる半導体レーザ装置の製造方
法，及びそれにより作製される半導体レーザ装置（図３
(d) ）を示す断面図である。図において、１１はｎ型Ｉ
ｎＰ被覆層下層，１３はｐ型ＩｎＰ被覆層上層である。
なお、図１，２と同一部分には同一符号を付し、その詳
しい説明は省略する。
【０１３０】まず、本実施例による半導体レーザ装置の
製造方法について説明する。最初に、ｎ型ＩｎＰ基板１
００上の全面に、ｎ型ＩｎＰ下クラッド層１（数μｍ，
１×１０18cm-3），ＩｎＧａＡｓＰ活性層２（１０〜１
００ｎｍ，アンドープ），ｐ型ＩｎＰ上クラッド層３
（１μｍ，５×１０17〜１×１０18cm-3）を順にＭＯＣ
ＶＤ法を用いて成長させる。活性層２を構成するＩｎＧ
ａＡｓＰの組成は、発光波長が１．３〜１．６μｍとな
り、かつＩｎＰとほぼ等しい格子定数を有する組成であ
る。この活性層は、前述のように量子井戸を含む層であ
ってもよい。次に、ｐ型ＩｎＰ上クラッド層３上の全面
に厚さ１００〜２００ｎｍのＳｉＮ膜を堆積し、写真製
版及びエッチングによりパターンニングして、ストライ
プ形状のＳｉＮ膜（第１の絶縁膜）７を形成する。ただ
し、このストライプの伸びる方向は、この図の断面に垂
直な方向である。この後、図３(a) に示すように、Ｓｉ
Ｎ膜（第１の絶縁膜）７をマスクとして、ＲＩＥ等の異
方性を有するドライエッチングにより、ＩｎＰ基板上に
成長させた上記の半導体層をエッチングする。このエッ
チングの深さは４μｍ程度になるようにする。このエッ
チングは異方性エッチングであるため、ＳｉＮ膜７の幅
とその下に残った半導体層の幅はほぼ同じとなる。
【０１３１】次に、ＳｉＮ膜７をマスクとして半導体層
を０．１μｍ以下程度の微小な厚さだけウェットエッチ
ングを行う。このエッチングは等方的なエッチングであ
るから、図３(b) に示すように、ＳｉＮ膜７の下に残っ
た半導体層の側面は、このエッチングされた厚さの分だ
けＳｉＮ膜７の両端より内側に後退する。これにより、
ＳｉＮ膜７の下に残った半導体層からなるリッジ部３０
が形成される。
【０１３２】この後、図３(c) に示すように、ＳｉＮ膜
７をマスクとして、ＭＯＣＶＤ法を用いてＩｎＡｌＡｓ
高抵抗層４，ｎ型ＩｎＰ被覆層下層１１，及びｐ型Ｉｎ
Ｐ被覆層上層１３を順に選択成長させ、リッジ部３０両
脇の半導体層の上記のエッチングにより除去された部分
を埋め込む。この際、ＳｉＮ膜７上には高抵抗層及び被
覆層は成長しない。高抵抗層４は、この部分に電流が流
れることを阻止し、リッジ部３０にのみ電流を流すよう
にするための電流ブロック層である。また、ＩｎＰから
なる被覆層下層１１及び被覆層上層１３は、ＩｎＡｌＡ
ｓ高抵抗層４の表面が大気に曝されて酸化されるのを防
止するためのものである。さらに、被覆層下層１１は、
高抵抗層４へのホールの注入を抑制するためｎ型層とな
っており、被覆層上層１３は、後にこの層上に再成長さ
せるｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層との界面がp-n 接合
面となってこの面を通るリーク電流が発生するのを防止
するためにｐ型層となっている。ＩｎＡｌＡｓ高抵抗層
４は、実施例１で説明したように５００℃程度の比較的
低い成長温度で形成され、これに含まれる浅いドナーの
濃度ＮSD，主に炭素からなる浅いアクセプタの濃度
ＮSA，及び深いドナーの濃度ＮDDの間に ＮSA＞ＮSD
かつ ＮSA−ＮSD＜ＮDDの関係が成り立つようにして、
５×１０4 Ω・ cm程度以上の高い抵抗率を実現してい
る。
【０１３３】次に、ＳｉＮ膜７を除去した後、ｐ型Ｉｎ
Ｐ上クラッド層３，及びｐ型ＩｎＰ被覆層上層１３上の
全面にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８を成長させる。
ただし、ＩｎＧａＡｓコンタクト層８は、ＩｎＰと格子
整合する組成となっている。さらに、図３(d) に示すよ
うに、コンタクト層８上のリッジ部領域以外の領域にＳ
ｉＯ2 膜９を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８
の表面が露出した領域を含むそれより広い領域にＡｕＺ
ｎ／Ａｕ（１００〜２００ｎｍ／２μｍ）からなる表面
電極（ｐ側電極）５を形成し、ＩｎＰ基板１００の裏面
にはＡｕＧｅ／Ａｕ（１００〜２００ｎｍ／１μｍ）か
らなる裏面電極（ｎ側電極）６を形成する。なお、表面
電極及び裏面電極のＡｕ層はメッキによって形成され
る。
【０１３４】以上述べた製造方法により、下クラッド層
１，活性層２，及び上クラッド層３からなるリッジ部３
０の両脇にＭＯＣＶＤ法によって成長させたＩｎＡｌＡ
ｓ高抵抗層４，被覆層上層１３，及び被覆層下層１１が
設けられた、図３(d) に示した半導体レーザ装置が作製
される。
【０１３５】本実施例３においては、酸化され易い元素
であるＡｌを含むＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４の表面は、こ
の高抵抗層４の成長に続けて成長させたＩｎＰからなる
被覆層上層１３及び被覆層下層１１により覆われている
から、ＳｉＮ膜７をエッチング除去する工程で、この高
抵抗層４の表面が大気に曝されて酸化されることはな
い。また、この被覆層はＩｎＰからなり、Ａｌを含まな
いため、この層の表面は大気に曝されても酸化されるこ
とはない。従って、この被覆層上に成長させるＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層８は、その結晶の品質が良好なものと
なる。さらに、これにより、コンタクト層８とこの層上
に形成される表面電極との間で良好なオーミック接触を
得ることができる。
【０１３６】また、本実施例３においては、ＳｉＮ膜７
をマスクとしてＩｎＰ基板上に成長させた半導体層に対
して異方性のドライエッチングを行った後、さらに等方
性のウェットエッチングを行うことにより、リッジ部３
０の両側面をＳｉＮ膜７の両端より内側に位置させるよ
うにしている。異方性のドライエッチングのみによりリ
ッジ部を形成し、リッジ部両側面の位置がＳｉＮ膜の両
端と一致するようにした場合、すなわちリッジ部３０の
幅がＳｉＮ膜７の幅と同じになるようにした場合には、
このリッジ部３０の両脇にリッジ部の高さと同程度の厚
さまで高抵抗層４及び被覆層１１，１３を選択成長させ
ると、これらの成長層がＳｉＮ膜７両端部分の表面側に
も付着し、ＳｉＮ膜除去工程において、このＳｉＮ膜表
面に付着した高抵抗層が大気に曝されてしまうという問
題を生じることがある。これに対して、本実施例３のよ
うに、リッジ部３０の両側面がＳｉＮ膜７の両端より内
側に位置するようにすると、上記のようなＳｉＮ膜７表
面の両端に近い領域での成長層の付着を防止することが
できる。ただし、本実施例３の場合、ＩｎＡｌＡｓ高抵
抗層４はリッジ部両側面より外側に突出したＳｉＮ膜７
の裏面の一部に接するように成長するため、ＳｉＮ膜７
をエッチング除去した後に高抵抗層４のＳｉＮ膜７の裏
面に接していた部分が露出し、その表面が大気に曝され
て酸化されることとなる。しかし、上記のリッジ部両側
面より外側に突出したＳｉＮ膜７の部分の幅は、それぞ
れ上記ウェットエッチングによりエッチングされる半導
体の厚さと同じ０．１μｍ程度以下であるから、ＳｉＮ
膜７の除去後に露出するＩｎＡｌＡｓ高抵抗層の表面部
分の幅も０．１μｍ以下の微小なものとなる。従って、
この上に成長させるｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８の
結晶品質にはほとんど影響しない。
【０１３７】なお、ＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４に含まれる
浅いアクセプタとなる主な不純物は、上記の炭素ではな
くドーピングしたベリリウムまたはマグネシウムであっ
てもよい。また、深いドナーとなる酸素をさらにドーピ
ングすると、ＮDDが増大し、ＮSA−ＮSD＜ＮDD が成り
立つ浅いアクセプタの濃度ＮSAの範囲が広くなり、ＮSA
の制御が容易となる。また、上記のＩｎＡｌＡｓと同様
の成長条件のもとで、ＩｎＡｌＧａＡｓを成長させて
も、上記と同様の高抵抗層が得られる。
【０１３８】実施例４．この発明の第４の実施例による
半導体装置の製造方法，及びそれにより作製される半導
体装置について説明する。図４(a)-(c) は、本実施例４
によるリッジ部の両脇にＭＯＣＶＤ法によってＩｎＡｌ
Ａｓ高抵抗層を成長させる半導体レーザ装置の製造方
法，及びそれにより作製される半導体レーザ装置（図４
(c) ）を示す断面図である。図において、１８はｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓキャップ層である。なお、図１，２，３と同
一部分には同一符号を付し、その詳しい説明は省略す
る。
【０１３９】まず、本実施例による半導体レーザ装置の
製造方法について説明する。最初に、実施例１と同様
に、ｎ型ＩｎＰ基板１００上の全面に、ｎ型ＩｎＰ下ク
ラッド層１（数μｍ，１×１０18cm-3），ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層２（１０〜１００ｎｍ，アンドープ），ｐ型Ｉ
ｎＰ上クラッド層３（１μｍ，５×１０17〜１×１０18
cm-3），ｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層１８（０．１μ
ｍ，１×１０18cm-3）を順にＭＯＣＶＤ法を用いて成長
させる。活性層２を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成は、
発光波長が１．３〜１．６μｍとなり、かつＩｎＰとほ
ぼ等しい格子定数を有する組成である。この活性層は、
前述のように量子井戸を含む層であってもよい。また、
ＩｎＧａＡｓキャップ層１８は、ＩｎＰと格子整合する
組成となっている。次に、キャップ層１８上の全面に厚
さ１００〜２００ｎｍのＳｉＮ膜を堆積し、写真製版及
びエッチングによりパターンニングして、ストライプ形
状のＳｉＮ膜（第１の絶縁膜）７を形成する。ただし、
このストライプの伸びる方向は、図４の断面に垂直な方
向である。この後、ＳｉＮ膜（第１の絶縁膜）７をマス
クとして、ＲＩＥ等の異方性を有するドライエッチング
により、ｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層１８のみをエッチ
ングする。このエッチング後のキャップ層１８の幅は、
ＳｉＮ膜７の幅と同じである。
【０１４０】次に、図４(a) に示すように、ＳｉＮ膜
（第１の絶縁膜）７及びこの膜の下に残されたＩｎＧａ
Ａｓキャップ層１８をマスクとして、ＩｎＰ上クラッド
層３，ＩｎＧａＡｓＰ活性層２，及びＩｎＰ下クラッド
層１をウェットエッチングにより選択的にエッチング
し、ＩｎＧａＡｓキャップ層１８の下に残った半導体層
からなるリッジ部基部３０１を形成する。このエッチン
グの深さは４μｍ程度になるようにする。この際に用い
るエッチング液としては、例えばＨＣｌ系のエッチング
液がある。このエッチングは等方性のエッチングである
ため、深さ方向のみでなく横方向にもエッチングが進
み、リッジ部基部３０１の幅は、ＳｉＮ膜７の幅すなわ
ちＩｎＧａＡｓキャップ層１８の幅より狭くなる。
【０１４１】この後、図４(b) に示すように、ＳｉＮ膜
７をマスクとして、ＭＯＣＶＤ法を用いてＩｎＡｌＡｓ
高抵抗層４をリッジ部基部３０１の高さと同程度の厚さ
まで選択成長させ、続けてｎ型ＩｎＰ被覆層下層１１，
及びｐ型ＩｎＰ被覆層上層１３を順に選択成長させて、
上記キャップ層１８と上記リッジ部基部３０１とからな
るリッジ部３０両脇の半導体層の上記エッチングにより
除去された部分を埋め込む。高抵抗層４は電流ブロック
層であり、実施例３において述べたように、被覆層下層
及び上層１１，１３は、ＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４の表面
が大気に曝されて酸化されるのを防止するためのもので
ある。さらに、被覆層下層１１は、高抵抗層４へのホー
ルの注入を抑制し、また被覆層上層１３は、後にこの層
上に再成長させるｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層との間
にリーク電流が発生するのを防止する機能を有する。Ｉ
ｎＡｌＡｓ高抵抗層４は、実施例１で説明したように５
００℃程度の比較的低い成長温度で形成され、これに含
まれる浅いドナーの濃度ＮSD，主に炭素からなる浅いア
クセプタの濃度ＮSA，及び深いドナーの濃度ＮDDの間に
ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜ＮDD の関係が成り
立つようにして、５×１０4 Ω・ cm程度以上の高い抵抗
率を実現している。また、このように成長温度が低いた
め、高抵抗層４はリッジ部基部の側面の外側において露
出したＩｎＧａＡｓキャップ層１８の裏面に密着するよ
うに形成される。
【０１４２】次に、ＳｉＮ膜７を除去した後、ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓキャップ層１８上，及びｐ型ＩｎＰ被覆層上層
１３上の全面にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８を成長
させる。ただし、ＩｎＧａＡｓコンタクト層８は、Ｉｎ
Ｐと格子整合する組成となっている。さらに、図４(c)
に示すように、コンタクト層８上のリッジ部領域以外の
領域にＳｉＯ2 膜９を形成した後、ｐ型ＩｎＧａＡｓコ
ンタクト層８の表面が露出した領域を含むそれより広い
領域にＡｕＺｎ／Ａｕ（１００〜２００ｎｍ／２μｍ）
からなる表面電極（ｐ側電極）５を形成し、ＩｎＰ基板
１００の裏面にはＡｕＧｅ／Ａｕ（１００〜２００ｎｍ
／１μｍ）からなる裏面電極（ｎ側電極）６を形成す
る。なお、表面電極及び裏面電極のＡｕ層はメッキによ
って形成される。
【０１４３】以上述べた製造方法により、上記リッジ部
基部３０１とキャップ層１８とで構成されるリッジ部３
０の両脇にＭＯＣＶＤ法によって成長させたＩｎＡｌＡ
ｓ高抵抗層４，被覆層下層１１，及び被覆層上層１３が
設けられた、図４(c) に示した半導体レーザ装置が作製
される。
【０１４４】本実施例４においては、酸化され易い元素
であるＡｌを含むＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４の表面は、こ
の高抵抗層４の成長に続けて成長させたＩｎＰからなる
被覆層下層１１，被覆層上層１３及びキャップ層１８に
より覆われているから、ＳｉＮ膜７をエッチング除去す
る工程で、この高抵抗層４の表面が大気に曝されて酸化
されることはない。また、このＩｎＰ被覆層１１，１３
及びＩｎＧａＡｓキャップ層１８は、Ａｌを含まないた
め、これら層の表面は大気に曝されても酸化されること
はない。従って、被覆層及びキャップ層上に成長するＩ
ｎＧａＡｓコンタクト層８は、その結晶の品質が良好な
ものとなる。さらに、これにより、コンタクト層８とこ
の層上に形成される表面電極との間で良好なオーミック
接触を得ることができる。
【０１４５】なお、ＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４に含まれる
浅いアクセプタとなる主な不純物は、上記の炭素ではな
くドーピングしたベリリウムまたはマグネシウムであっ
てもよい。また、深いドナーとなる酸素をさらにドーピ
ングすると、ＮDDが増大し、ＮSA−ＮSD＜ＮDD が成り
立つ浅いアクセプタの濃度ＮSAの範囲が広くなり、ＮSA
の制御が容易となる。また、上記のＩｎＡｌＡｓと同様
の成長条件のもとで、ＩｎＡｌＧａＡｓを成長させて
も、上記と同様の高抵抗層が得られる。
【０１４６】実施例５．この発明の第５の実施例による
半導体装置の製造方法，及びそれにより作製される半導
体装置について説明する。図５(a)-(c) は、本実施例５
によるリッジ部の両脇にＭＯＣＶＤ法によってＩｎＡｌ
Ａｓ高抵抗層を成長させ、半導体レーザ素子と光変調器
とを同一基板上に集積化する半導体装置の製造方法，及
びそれにより作製される半導体装置を示す図である。た
だし、図５(a) は上記半導体装置を構成する半導体層を
成長させる工程を示す上面図，図５(b) は上記半導体装
置のリッジ部の伸びる方向に沿った平面における断面
図, 図５(c) は図５(b) におけるＡ- Ａ面での光変調器
の断面図である。図において、１０はＳｉＯ2 等の絶縁
膜，１２は多重量子井戸活性層，５１はレーザ素子表面
電極（ｐ側電極），５２は光変調器表面電極（ｐ側電
極），２０１は半導体レーザ素子形成領域，２０２は光
変調器形成領域，２１１は半導体レーザ素子，２１２は
光変調器である。なお、図１と同一部分には同一符号を
付し、その詳しい説明は省略する。
【０１４７】まず、本実施例５による半導体装置の製造
方法について説明する。最初に、図５(a) に示すよう
に、ｎ型ＩｎＰ基板１００表面の半導体レーザ素子を形
成すべき領域２０１の両脇の領域にＳｉＯ2 等の絶縁膜
１０を形成する。この半導体レーザ素子形成領域２０１
に隣接する領域２０２は、光変調器を形成すべき領域で
ある。次に、絶縁膜１０をマスクとしてＩｎＰ基板１０
０上の全面にｎ型ＩｎＰ下クラッド層１，多重量子井戸
活性層１２，ｐ型ＩｎＰ上クラッド層３，及びｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層８を順に選択成長させる。これら
の成長層の内、下クラッド層１，上クラッド層３，コン
タクト層８は、実施例１に示したものと同じである。多
重量子井戸活性層１２は、複数の量子井戸を含み、その
井戸層はＩｎＧａＡｓＰからなり、バリア層はＩｎＧａ
ＡｓＰ，ＩｎＧａＰまたはＩｎＰからなるものである。
ＩｎＰ基板表面の絶縁膜１０上には、上記の半導体層は
成長しないため、半導体レーザ素子形成領域２０１にお
ける上記の半導体成長層の層厚は、その他の（光変調器
形成領域２０２を含む）領域における層厚より厚くな
る。従って、上記多重量子井戸活性層１２に含まれる各
量子井戸の幅も、光変調器形成領域より半導体レーザ素
子形成領域における量子井戸幅の方が広くなる。
【０１４８】この後、実施例１と同様に、リッジ部の形
成及び電極の形成を行う。すなわち、まずｐ型ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層８上にストライプ形状のＳｉＮ膜（第
１の絶縁膜）を形成する。ただし、このストライプ状Ｓ
ｉＮ膜は、半導体レーザ素子形成領域２０１，光変調器
形成領域２０２にわたって形成されている。次に、この
ＳｉＮ膜（第１の絶縁膜）をマスクとして、反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）等の異方性を有するドライエッ
チングにより、ＩｎＰ基板上に成長させた上記の半導体
層をエッチングし、ＳｉＮ膜の下に残った半導体層から
なるリッジ部３０を形成する。このエッチングの深さは
４μｍ程度である。また、上記のエッチングは異方性エ
ッチングであるため、ＳｉＮ膜７の幅とリッジ部３０の
幅は、ほぼ同じとなる。このリッジ部は、半導体レーザ
素子形成領域２０１，及び光変調器形成領域２０２にわ
たって一体に形成されることとなる。さらに、上記Ｓｉ
Ｎ膜をマスクとして、ＭＯＣＶＤ法を用いてＩｎＡｌＡ
ｓ高抵抗層４を選択成長させ、リッジ部３０両脇の半導
体層の上記エッチングにより除去された部分を埋め込
む。このＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４は、実施例１で説明し
たように５００℃程度の比較的低い成長温度で形成さ
れ、これに含まれる浅いドナーの濃度ＮSD，主に炭素か
らなる浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いドナーの濃
度ＮDDの間に ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜ＮDD
の関係が成り立つようにして、５×１０４Ω・ ｃｍ程
度以上の高い抵抗率を実現している。次に、上記ＳｉＮ
膜を除去した後、ＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４の表面上にこ
れを覆うように第２の絶縁膜であるＳｉＯ2 膜９を形成
する。ただし、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８の表面
は露出するようにする。さらに、このコンタクト層８上
の半導体レーザ素子形成領域２０１に半導体レーザ素子
表面電極（ｐ側電極）５１を、光変調器形成領域２０２
に光変調器表面電極（ｐ側電極）５２を互いに電気的に
分離されるように形成する。これらの表面電極は、Ａｕ
Ｚｎ／Ａｕ（１００〜２００ｎｍ／２μｍ）からなるも
のである。また、ＩｎＰ基板１００の裏面の全面にはＡ
ｕＧｅ／Ａｕ（１００〜２００ｎｍ／１μｍ）からなる
裏面電極（ｎ側電極）６を形成する。これにより、図５
(b),(c) に示す半導体装置が作製される。ただし、図５
(b) はリッジ部の伸びる方向に沿った断面図であり、こ
の図のＡ- Ａ（一点鎖線）における断面を示したものが
図５(c) である。
【０１４９】この半導体装置は、図５(b),(c) からわか
るように、同一基板上に活性層１２が一体に形成された
半導体レーザ素子２１１及び光変調器２１２を備え、こ
の活性層１２を含むリッジ部の両脇にＩｎＡｌＡｓ高抵
抗層４が設けられているものである。この半導体装置に
おいては、上記のように多重量子井戸活性層１２に含ま
れる各量子井戸の幅は、光変調器２１２より半導体レー
ザ素子２１１において広くなっているから、半導体レー
ザ素子２１１における量子井戸内の伝導帯と価電子帯の
基底準位間のエネルギー差は、光変調器２１２における
それより小さい。このため、光変調器２１２にバイアス
電圧が印加されていないときは、光変調器の活性層１２
では半導体レーザ素子において発振され光変調器に入射
したレーザ光は吸収されず、そのまま通過する。一方、
光変調器２１２に逆バイアス電圧が印加されると量子閉
じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）によりレーザ素子で
発振されたレーザ光は、光変調器の活性層で吸収され
る。これにより、直流動作させている半導体レーザ素子
２１１から放射される光を光変調器２１２に加えるバイ
アス電圧を変化させることによって変調することができ
る。
【０１５０】本実施例５においても、実施例１と同様
に、ＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４の選択成長の後、ＳｉＮ膜
をエッチング除去する工程で高抵抗層４の表面が大気に
曝され、酸化されるが、この酸化されたＩｎＡｌＡｓ高
抵抗層表面上に、コンタクト層を含む半導体層を再成長
させることはなく、従ってこのような再成長層における
結晶品質の劣化という問題は発生しない。さらに、Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層８はＡｌのように酸化され易い元
素を含んでいないため、ＳｉＮ膜７の除去後、その表面
が酸化されることはなく、この層と表面電極５１，５２
との間の接触を良好なオーミック接触とすることができ
る。これにより、この半導体レーザ装置の電気特性を良
好なものとすることができる。
【０１５１】なお、ＩｎＡｌＡｓ高抵抗層４に含まれる
浅いアクセプタとなる主な不純物は、上記の炭素ではな
くドーピングしたベリリウムまたはマグネシウムであっ
てもよい。また、深いドナーとなる酸素をさらにドーピ
ングすると、ＮDDが増大し、ＮSA−ＮSD＜ＮDD が成り
立つ浅いアクセプタの濃度ＮSAの範囲が広くなり、ＮSA
の制御が容易となる。
【０１５２】また、上記のＩｎＡｌＡｓと同様の成長条
件のもとで、ＩｎＡｌＧａＡｓを成長させても、上記と
同様の高抵抗層が得られる。また、リッジ部形成工程以
降の工程は、実施例１と同様の工程としたが、これを実
施例２，３または４と同様の工程としてもよい。
【０１５３】
【発明の効果】以上のように、この発明（請求項１）に
係る半導体装置の製造方法によれば、半導体層上にスト
ライプ形状の第１の絶縁膜を形成する工程と、この第１
の絶縁膜をマスクとして上記半導体層を所要の深さまで
エッチングして、上記第１の絶縁膜下に残された上記半
導体層からなるリッジ部を形成する工程と、このリッジ
部の両脇の上記半導体層がエッチングされた部分に、上
記第１の絶縁膜をマスクとして、ＩｎＡｌＡｓまたはＩ
ｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅いドナーの濃度
ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いドナーの濃
度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜ＮDD とな
る高抵抗層を有機金属気相成長法により選択成長させる
工程と、上記第１の絶縁膜を除去した後、上記高抵抗層
上にその露出した表面の全面を覆うように第２の絶縁膜
を形成する工程と、上記半導体層のリッジ部の表面に表
面電極を形成する工程とを含むので、上記の大気に曝さ
れた高抵抗層表面に半導体層を再成長させないため、こ
のような再成長半導体層における半導体結晶の品質が良
好でないといった問題が発生せず、また、表面電極はリ
ッジ部表面に直接接触しているため、リッジ部を構成し
ている半導体との良好なオーミック接触を容易に得るこ
とができ、半導体装置の特性を向上させることができ
る。
【０１５４】また、この発明（請求項２）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１）において、上記半導体層をエッチングして
上記リッジ部を形成する工程は、上記半導体層に対して
異方性のドライエッチングを行い、上記リッジ部を形成
するものであり、上記のように、表面電極はリッジ部表
面に直接接触しているので、リッジ部を構成している半
導体との良好なオーミック接触を容易に得ることがで
き、半導体装置の特性を向上させることができる。
【０１５５】また、この発明（請求項３）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１）において、上記半導体層は、半導体基層
と、この半導体基層上に成長させた、上記表面電極との
間でオーミック接触をなす半導体からなるコンタクト層
とからなり、上記リッジ部を形成する工程は、上記コン
タクト層上に形成された上記第１の絶縁膜をマスクとし
て上記コンタクト層に対する異方性のドライエッチング
を行い、次に上記第１の絶縁膜及びこの絶縁膜の下に残
された上記コンタクト層をマスクとして、上記半導体基
層に対して所要の深さまで選択的なウエットエッチング
を行って、その側面が上記コンタクト層の両端より内側
に位置し、上記半導体基層からなる上記リッジ部基部を
形成し、上記コンタクト層及びこのリッジ部基部からな
るリッジ部を形成するものであり、上記高抵抗層を選択
成長させる工程は、上記リッジ部基部の側面の外側にお
いて露出した上記コンタクト層の裏面に上記高抵抗層の
表面が接するようにこの高抵抗層を成長させるものであ
るので、上記表面電極と上記コンタクト層との接触を良
好なオーミック接触とすることができるだけでなく、上
記第１の絶縁膜の下に残されたコンタクト層の幅を上記
リッジ部基部の幅より広くすることができ、これにより
表面電極とコンタクト層との接触抵抗を低減できるた
め、半導体装置の特性を向上させることができる。
【０１５６】また、この発明（請求項４）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項１または２）において、上記半導体層は、第１
導電型の半導体基板，及びこの半導体基板上に順に成長
させた上記第１導電型の半導体からなる下クラッド層，
この下クラッド層を構成する半導体よりバンドギャップ
の小さいアンドープの半導体を含む活性層，この活性層
を構成する半導体よりバンドギャップの大きい上記第１
導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる上クラッド
層，上記第２導電型の半導体からなるコンタクト層から
なり、上記半導体層のエッチングは、上記下クラッド層
または上記半導体基板が露出する深さまで行うものであ
り、上記表面電極は、上記リッジ部の最上層であるコン
タクト層に直接接触しているので、リッジ部の最上層で
ある上記コンタクト層との接触を良好なオーミック接触
とすることができ、半導体装置の特性を向上させること
ができる。
【０１５７】また、この発明（請求項５）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項３）において、上記半導体基層は、第１導電型
の半導体基板，及びこの半導体基板上に順に成長させた
上記第１導電型の半導体からなる下クラッド層，この下
クラッド層を構成する半導体よりバンドギャップの小さ
いアンドープの半導体を含む活性層，この活性層を構成
する半導体よりバンドギャップの大きい上記第１導電型
とは逆の第２導電型の半導体からなる上クラッド層から
なり、上記コンタクト層は、上記第２導電型の半導体か
らなり、上記半導体基層のエッチングは、上記下クラッ
ド層または上記半導体基板が露出する深さまで行うの
で、上記のように、上記表面電極と上記コンタクト層と
の接触を良好なオーミック接触とすることができるとと
もに、上記第１の絶縁膜の下に残されたコンタクト層の
幅を上記リッジ部基部の幅より広くすることができ、こ
れにより表面電極とコンタクト層との接触抵抗を低減で
きるため、半導体装置の特性を向上させることができ
る。
【０１５８】また、この発明（請求項６）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項４または５）において、上記半導体基板，上記
下クラッド層，及び上記上クラッド層は、ＩｎＰからな
り、上記コンタクト層は、ＩｎＧａＡｓからなり、上記
表面電極は上記リッジ部の最上層である上記コンタクト
層に直接接触しているので、上記表面電極と上記コンタ
クト層との接触を良好なオーミック接触とすることがで
き、半導体装置の特性を向上させることができる。
【０１５９】また、この発明（請求項７）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項４ないし６のいずれか）において、上記活性層
は、ＩｎＧａＡｓＰからなるものであり、上記表面電極
は上記リッジ部の最上層である上記ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層に直接接触しているので、上記表面電極と上記
コンタクト層との接触を良好なオーミック接触とするこ
とができ、半導体装置の特性を向上させることができ
る。
【０１６０】また、この発明（請求項８）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項４ないし６のいずれか）において、上記活性層
は、一つまたは複数の量子井戸を含むものであり、上記
表面電極は上記リッジ部の最上層である上記コンタクト
層に直接接触しているので、上記表面電極と上記コンタ
クト層との接触を良好なオーミック接触とすることがで
き、半導体装置の特性を向上させることができる。
【０１６１】また、この発明（請求項９）に係る半導体
装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方法
（請求項８）において、上記量子井戸の井戸層は、Ｉｎ
ＧａＡｓＰからなり、上記量子井戸のバリア層は、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ，ＩｎＧａＰまたはＩｎＰからなるものであ
り、上記表面電極は上記リッジ部の最上層である上記コ
ンタクト層に直接接触しているので、上記表面電極と上
記コンタクト層との接触を良好なオーミック接触とする
ことができ、半導体装置の特性を向上させることができ
る。
【０１６２】また、この発明（請求項１０）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項４ないし９のいずれか）において、上記活性
層は、その内部でレーザ光が発振される層であり、この
活性層を有する半導体レーザ素子が作製されるととも
に、上記表面電極は上記リッジ部の最上層である上記コ
ンタクト層に直接接触しているので、上記表面電極と上
記コンタクト層との接触を良好なオーミック接触とする
ことができ、半導体レーザ装置の特性を向上させること
ができる。
【０１６３】また、この発明（請求項１１）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項８または９）において、上記活性層は、その
内部で量子閉じ込めシュタルク効果により光を吸収する
層であり、この活性層を有する光変調器が作製されると
ともに、上記表面電極は上記リッジ部の最上層である上
記コンタクト層に直接接触しているので、上記表面電極
と上記コンタクト層との接触を良好なオーミック接触と
することができ、半導体装置の特性を向上させることが
できる。
【０１６４】また、この発明（請求項１２）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項８または９）において、上記半導体層は、上
記半導体基板と、この半導体基板表面の半導体レーザ素
子を形成すべき領域の両脇の領域に絶縁膜を形成し、こ
の絶縁膜をマスクとして上記半導体基板上の上記半導体
レーザ素子形成領域，及びこの領域に隣接した光変調器
を形成すべき領域を含む領域に順に選択成長させた上記
下クラッド層，上記活性層，上記上クラッド層，及び上
記コンタクト層とからなり、これらの成長層は、上記半
導体レーザ素子を形成すべき領域における層厚が、この
領域の他の領域における層厚より厚いものであり、上記
リッジ部は、上記半導体レーザ素子形成領域及び上記光
変調器形成領域にまたがって形成され、上記半導体レー
ザ素子形成領域における上記活性層は、その内部でレー
ザ光が発振される層であり、上記光変調器形成領域にお
ける上記活性層は、その内部で量子閉じ込めシュタルク
効果により上記レーザ光を吸収する層であり、上記表面
電極を形成する工程は、上記リッジ部の表面の上記半導
体レーザ素子形成領域に半導体レーザ素子表面電極を、
上記光変調器形成領域に光変調器表面電極を、互いに電
気的に分離して形成するものであり、上記表面電極を形
成する工程の後に、上記半導体基板の裏面に裏面電極を
形成する工程を含み、同一半導体基板上に、一体に形成
され連続した上記活性層を有する半導体レーザ素子と光
変調器とが作製されるとともに、上記半導体レーザ素子
表面電極及び上記光変調器表面電極は、上記リッジ部の
最上層である上記コンタクト層に直接接触しているの
で、これらの表面電極と上記コンタクト層との接触を良
好なオーミック接触とすることができ、半導体装置の特
性を向上させることができる。
【０１６５】また、この発明（請求項１３）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１ないし１２のいずれか）において、上記高
抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物である炭素を含
むものであり、上記表面電極は上記リッジ部の最上層に
直接接触しているので、上記表面電極と上記リッジ部最
上層との接触を良好なオーミック接触とすることがで
き、半導体装置の特性を向上させることができる。
【０１６６】また、この発明（請求項１４）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１ないし１２のいずれか）において、上記高
抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物であるベリリウ
ムまたはマグネシウムがドーピングされているものであ
り、上記表面電極は上記リッジ部の最上層に直接接触し
ているので、上記表面電極と上記リッジ部最上層との接
触を良好なオーミック接触とすることができ、半導体装
置の特性を向上させることができる。
【０１６７】また、この発明（請求項１５）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１ないし１４のいずれか）において、上記高
抵抗層は、深いドナーとなる不純物である酸素がドーピ
ングされているものであり、上記表面電極は上記リッジ
部の最上層に直接接触しているので、上記表面電極と上
記リッジ部最上層との接触を良好なオーミック接触とす
ることができ、半導体装置の特性を向上させることがで
きる。
【０１６８】また、この発明（請求項１６）に係る半導
体装置の製造方法によれば、半導体層上にストライプ形
状の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜をマスクとし
て上記半導体層に対して所要の深さまで異方性のドライ
エッチングを行い、上記絶縁膜下に残された上記半導体
層からなるリッジ部を形成する工程と、このリッジ部の
両脇の上記半導体層がエッチングされた部分に、上記絶
縁膜をマスクとして、ＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａ
Ａｓからなり、それが含む浅いドナーの濃度ＮSD，浅い
アクセプタの濃度ＮSA，及び深いドナーの濃度ＮDDが
ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜ＮDD となる高抵抗層
を有機金属気相成長法により選択成長させ、続けてこの
高抵抗層上にその表面の全面を覆うようにこの高抵抗層
を構成する半導体より酸素と結合し難い半導体からなる
被覆層を選択成長させる工程と、上記絶縁膜を除去した
後、上記リッジ部上及び上記被覆層上の全面に、後述の
表面電極との間でオーミック接触をなす半導体からなる
コンタクト層を成長させる工程と、上記コンタクト層の
表面に表面電極を形成する工程とを含むので、上記高抵
抗層の表面は上記被覆層で覆われ、さらにこの被覆層の
表面は酸化され難いため、この被覆層上に成長させるコ
ンタクト層は良好な半導体結晶となる。このため、この
コンタクト層と上記表面電極との接触を良好なオーミッ
ク接触とすることができ、半導体装置の特性を向上させ
ることができる。
【０１６９】また、この発明（請求項１７）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１６）において、上記リッジ部を形成する工
程は、上記絶縁膜をマスクとして上記半導体層に対して
所要の深さまで異方性のドライエッチングを行い、次に
上記半導体層に対してウェットエッチングを行い、上記
リッジ部の両側面が上記絶縁膜の両端より内側に位置す
るようにするものであるので、上記リッジ部の両脇に成
長させる上記高抵抗層が上記絶縁膜表面の両端に近い部
分に付着して大気に曝され酸化されることを防止するこ
とができる。これにより、上記コンタクト層の結晶性を
一層良好なものとすることができ、このコンタクト層と
上記表面電極との接触をさらに良好なオーミック接触と
することができ、半導体装置の特性を向上させることが
できる。
【０１７０】また、この発明（請求項１８）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１６または１７）において、上記半導体層
は、第１導電型の半導体基板，及びこの半導体基板上に
順に成長させた上記第１導電型の半導体からなる下クラ
ッド層，この下クラッド層を構成する半導体よりバンド
ギャップの小さいアンドープの半導体を含む活性層，こ
の活性層を構成する半導体よりバンドギャップの大きい
上記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる上
クラッド層からなり、上記コンタクト層は、上記第２導
電型の半導体からなり、上記半導体層のエッチングは、
上記下クラッド層または上記半導体基板が露出する深さ
まで行うものであり、上記高抵抗層の表面は上記被覆層
で覆われることにより、大気に曝されて酸化されること
はなく、さらにこの被覆層の表面は酸化され難いので、
この被覆層上に成長させるコンタクト層は良好な半導体
結晶となり、このコンタクト層と上記表面電極との接触
を良好なオーミック接触とすることができ、半導体装置
の特性を向上させることができる。
【０１７１】また、この発明（請求項１９）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１８）において、上記半導体基板，上記下ク
ラッド層，上記上クラッド層，及び上記被覆層は、Ｉｎ
Ｐからなり、上記コンタクト層は、ＩｎＧａＡｓからな
るものであり、上記高抵抗層の表面は上記ＩｎＰ被覆層
で覆われることにより、大気に曝されて酸化されること
はなく、さらにこのＩｎＰ被覆層の表面は酸化され難い
ので、この被覆層上に成長させるコンタクト層は良好な
半導体結晶となり、このコンタクト層と上記表面電極と
の接触を良好なオーミック接触とすることができ、半導
体装置の特性を向上させることができる。
【０１７２】また、この発明（請求項２０）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１９）において、上記被覆層は、上記高抵抗
層の表面に成長させた上記第１導電型のＩｎＰからなる
被覆層下層と、この被覆層下層上に成長させた上記第２
導電型のＩｎＰからなる被覆層上層とからなるので、上
記のように、コンタクト層を良好な半導体結晶にでき、
このコンタクト層と上記表面電極との接触を良好なオー
ミック接触とすることができるだけでなく、上記被覆層
下層により上記コンタクト層からのキャリアの高抵抗層
への注入を防止することができ、また上記被覆層上層に
より被覆層とこの層上に再成長させるコンタクト層との
界面がp-n 接合界面とはならず、同一導電型の半導体の
間の界面となるため、この界面でのリーク電流を抑制す
ることができ、半導体装置の特性を一層向上させること
ができる。
【０１７３】また、この発明（請求項２１）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１９または２０）において、上記活性層は、
ＩｎＧａＡｓＰからなるものであり、上記高抵抗層の表
面は上記被覆層で覆われることにより、大気に曝されて
酸化されることはなく、さらにこの被覆層の表面は酸化
され難いので、この被覆層上に成長させるコンタクト層
は良好な半導体結晶となり、このコンタクト層と上記表
面電極との接触を良好なオーミック接触とすることがで
き、半導体装置の特性を向上させることができる。
【０１７４】また、この発明（請求項２２）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１９または２０）において、上記活性層は、
一つまたは複数の量子井戸を含むものであり、上記高抵
抗層の表面は上記被覆層で覆われることにより、大気に
曝されて酸化されることはなく、さらにこの被覆層の表
面は酸化され難いので、この被覆層上に成長させるコン
タクト層は良好な半導体結晶となり、このコンタクト層
と上記表面電極との接触を良好なオーミック接触とする
ことができ、半導体装置の特性を向上させることができ
る。
【０１７５】また、この発明（請求項２３）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項２２）において、上記量子井戸の井戸層は、
ＩｎＧａＡｓＰからなり、上記量子井戸のバリア層は、
ＩｎＧａＡｓＰ，ＩｎＧａＰまたはＩｎＰからなるもの
であり、上記高抵抗層の表面は上記被覆層で覆われるこ
とにより、大気に曝されて酸化されることはなく、さら
にこの被覆層の表面は酸化され難いので、この被覆層上
に成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となり、
このコンタクト層と上記表面電極との接触を良好なオー
ミック接触とすることができ、半導体装置の特性を向上
させることができる。
【０１７６】また、この発明（請求項２４）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１８ないし２３のいずれか）において、上記
活性層は、その内部でレーザ光が発振される層であり、
この活性層を有する半導体レーザ素子が作製されるとと
もに、上記高抵抗層の表面は上記被覆層で覆われること
により、大気に曝されて酸化されることはなく、さらに
この被覆層の表面は酸化され難いので、この被覆層上に
成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となり、こ
のコンタクト層と上記表面電極との接触を良好なオーミ
ック接触とすることができ、半導体レーザ装置の特性を
向上させることができる。
【０１７７】また、この発明（請求項２５）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項２２または２３）において、上記活性層は、
その内部で量子閉じ込めシュタルク効果により光を吸収
する層であり、この活性層を有する光変調器が作製され
るとともに、上記高抵抗層の表面は上記被覆層で覆われ
ることにより、大気に曝されて酸化されることはなく、
さらにこの被覆層の表面は酸化され難いので、この被覆
層上に成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶とな
り、このコンタクト層と上記表面電極との接触を良好な
オーミック接触とすることができ、半導体装置の特性を
向上させることができる。
【０１７８】また、この発明（請求項２６）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項２２または２３）において、上記半導体層
は、上記半導体基板と、この半導体基板表面の半導体レ
ーザ素子を形成すべき領域の両脇の領域に絶縁膜を形成
し、この絶縁膜をマスクとして上記半導体基板上の上記
半導体レーザ素子形成領域，及びこの領域に隣接した光
変調器を形成すべき領域を含む領域に順に選択成長させ
た上記下クラッド層，上記活性層，及び上記上クラッド
層とからなり、これらの成長層は、上記半導体レーザ素
子を形成すべき領域における層厚が、この領域の他の領
域における層厚より厚いものであり、上記リッジ部は、
上記半導体レーザ素子形成領域及び上記光変調器形成領
域にまたがって形成され、上記半導体レーザ素子形成領
域における上記活性層は、その内部でレーザ光が発振さ
れる層であり、上記光変調器形成領域における上記活性
層は、その内部で量子閉じ込めシュタルク効果により上
記レーザ光を吸収する層であり、上記表面電極を形成す
る工程は、上記リッジ部の表面の上記半導体レーザ素子
形成領域に半導体レーザ素子表面電極を、上記光変調器
形成領域に光変調器表面電極を、互いに電気的に分離し
て形成するものであり、上記表面電極を形成する工程の
後に、上記半導体基板の裏面に裏面電極を形成する工程
を含み、同一半導体基板上に、一体に形成され連続した
上記活性層を有する半導体レーザ素子と光変調器とが作
製されるとともに、上記高抵抗層の表面は上記被覆層で
覆われることにより、大気に曝されて酸化されることは
なく、さらにこの被覆層の表面は酸化され難いので、こ
の被覆層上に成長させるコンタクト層は良好な半導体結
晶となり、このコンタクト層と上記半導体レーザ素子表
面電極及び上記光変調器表面電極との接触を良好なオー
ミック接触とすることができ、半導体装置の特性を向上
させることができる。
【０１７９】また、この発明（請求項２７）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１６ないし２６のいずれか）において、上記
高抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物である炭素を
含み、上記高抵抗層の表面は上記被覆層で覆われること
により、大気に曝されて酸化されることはなく、さらに
この被覆層の表面は酸化され難いので、この被覆層上に
成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となり、こ
のコンタクト層と上記表面電極との接触を良好なオーミ
ック接触とすることができ、半導体装置の特性を向上さ
せることができる。
【０１８０】また、この発明（請求項２８）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１６ないし２６のいずれか）において、上記
高抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物であるベリリ
ウムまたはマグネシウムがドーピングされているもので
あり、上記高抵抗層の表面は上記被覆層で覆われること
により、大気に曝されて酸化されることはなく、さらに
この被覆層の表面は酸化され難いので、この被覆層上に
成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となり、こ
のコンタクト層と上記表面電極との接触を良好なオーミ
ック接触とすることができ、半導体装置の特性を向上さ
せることができる。
【０１８１】また、この発明（請求項２９）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項１６ないし２８のいずれか）において、上記
高抵抗層は、深いドナーとなる不純物である酸素がドー
ピングされているものであり、上記高抵抗層の表面は上
記被覆層で覆われることにより、大気に曝されて酸化さ
れることはなく、さらにこの被覆層の表面は酸化され難
いので、この被覆層上に成長させるコンタクト層は良好
な半導体結晶となり、このコンタクト層と上記表面電極
との接触を良好なオーミック接触とすることができ、半
導体装置の特性を向上させることができる。
【０１８２】また、この発明（請求項３０）に係る半導
体装置の製造方法によれば、半導体基層上にこの半導体
基層の表面部分を構成する半導体と異なる半導体からな
るキャップ層を成長させる工程と、上記キャップ層上に
ストライプ形状の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜
をマスクとして上記キャップ層に対して異方性のドライ
エッチングを行い、次に上記絶縁膜及びこの絶縁膜下に
残された上記キャップ層をマスクとして上記半導体基層
に対する選択的なウットエッチングを行って、上記半導
体基層からなり、その側面が上記キャップ層の両端より
内側に位置するリッジ部基部を形成し、上記キャップ層
及びこのリッジ部基部からなるリッジ部を形成する工程
と、上記リッジ部基部の両脇の上記半導体基層がエッチ
ングされた部分に、上記絶縁膜をマスクとしてＩｎＡｌ
ＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅い
ドナーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深
いドナーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD
＜ＮDD となる高抵抗層を上記リッジ部の側面の外側に
おいて露出した上記キャップ層の裏面にこの高抵抗層の
表面が接するように有機金属気相成長法により選択成長
させ、続けてこの高抵抗層上にこの高抵抗層の露出して
いる表面の全面を覆うようにこの高抵抗層を構成する半
導体より酸素と結合し難い半導体からなる被覆層を選択
成長させる工程と、上記絶縁膜を除去した後、上記リッ
ジ部上及び上記被覆層上の全面に、後述の表面電極との
間でオーミック接触をなす半導体からなるコンタクト層
を成長させる工程と、上記コンタクト層の表面に表面電
極を形成する工程とを含むので、上記高抵抗層の表面は
上記被覆層及び上記キャップ層で覆われ、さらにこの被
覆層及びキャップ層の表面は酸化され難いため、この被
覆層及びキャップ層上に成長させるコンタクト層は良好
な半導体結晶となる。このため、このコンタクト層と上
記表面電極との接触を良好なオーミック接触とすること
ができ、半導体装置の特性を向上させることができる。
【０１８３】また、この発明（請求項３１）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項３０）において、上記半導体基層は、第１導
電型の半導体基板，及びこの半導体基板上に順に成長さ
せた上記第１導電型の半導体からなる下クラッド層，こ
の下クラッド層を構成する半導体よりバンドギャップの
小さいアンドープの半導体を含む活性層，この活性層を
構成する半導体よりバンドギャップの大きい上記第１導
電型とは逆の第２導電型の半導体からなる上クラッド層
からなり、上記コンタクト層は、上記第２導電型の半導
体からなり、上記キャップ層は、上記第２導電型の半導
体からなり、上記半導体基層のエッチングは、上記下ク
ラッド層または上記半導体基板が露出する深さまで行う
ものであり、上記高抵抗層の表面は上記被覆層及び上記
キャップ層で覆われることにより、大気に曝されて酸化
されることはなく、さらにこの被覆層及びキャップ層の
表面は酸化され難いので、この被覆層及びキャップ層上
に成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となる。
このため、このコンタクト層と上記表面電極との接触を
良好なオーミック接触とすることができ、半導体装置の
特性を向上させることができる。
【０１８４】また、この発明（請求項３２）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項３１）において、上記半導体基板，上記下ク
ラッド層，上記上クラッド層，及び上記被覆層は、Ｉｎ
Ｐからなり、上記コンタクト層及び上記キャップ層は、
ＩｎＧａＡｓからなるものであり、上記高抵抗層の表面
は上記被覆層及び上記キャップ層で覆われることによ
り、大気に曝されて酸化されることはなく、さらにこの
被覆層及びキャップ層の表面は酸化され難いので、この
被覆層及びキャップ層上に成長させるコンタクト層は良
好な半導体結晶となる。このため、このコンタクト層と
上記表面電極との接触を良好なオーミック接触とするこ
とができ、半導体装置の特性を向上させることができ
る。
【０１８５】また、この発明（請求項３３）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項３２）において、上記被覆層は、上記高抵抗
層の表面に成長させた上記第１導電型のＩｎＰからなる
被覆層下層と、この被覆層下層の表面に成長させた上記
第２導電型のＩｎＰからなる被覆層上層とからなるもの
であるので、上記のように、コンタクト層を良好な半導
体結晶にでき、このコンタクト層と上記表面電極との接
触を良好なオーミック接触とすることができるだけでな
く、上記被覆層下層により上記コンタクト層からのキャ
リアの高抵抗層への注入を防止することができ、また上
記被覆層上層によりこの層とこの層上に再成長させるコ
ンタクト層との界面がp-n 接合界面とはならず、同一導
電型の半導体の間の界面となるため、この界面でのリー
ク電流を抑制することができ、半導体装置の特性を一層
向上させることができる。
【０１８６】また、この発明（請求項３４）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項３１ないし３３のいずれか）において、上記
活性層は、ＩｎＧａＡｓＰからなるものであり、上記高
抵抗層の表面は上記被覆層及び上記キャップ層で覆われ
ることにより、大気に曝されて酸化されることはなく、
さらにこの被覆層及びキャップ層の表面は酸化され難い
ので、この被覆層及びキャップ層上に成長させるコンタ
クト層は良好な半導体結晶となる。このため、このコン
タクト層と上記表面電極との接触を良好なオーミック接
触とすることができ、半導体装置の特性を向上させるこ
とができる。
【０１８７】また、この発明（請求項３５）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項３１ないし３３のいずれか）において、上記
活性層は、一つまたは複数の量子井戸を含むものであ
り、上記高抵抗層の表面は上記被覆層及び上記キャップ
層で覆われることにより、大気に曝されて酸化されるこ
とはなく、さらにこの被覆層及びキャップ層の表面は酸
化され難いので、この被覆層及びキャップ層上に成長さ
せるコンタクト層は良好な半導体結晶となる。このた
め、このコンタクト層と上記表面電極との接触を良好な
オーミック接触とすることができ、半導体装置の特性を
向上させることができる。
【０１８８】また、この発明（請求項３６）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項３５）において、上記量子井戸の井戸層は、
ＩｎＧａＡｓＰからなり、上記量子井戸のバリア層は、
ＩｎＧａＡｓＰ，ＩｎＧａＰまたはＩｎＰからなるもの
であり、上記高抵抗層の表面は上記被覆層及び上記キャ
ップ層で覆われることにより、大気に曝されて酸化され
ることはなく、さらにこの被覆層及びキャップ層の表面
は酸化され難いので、この被覆層及びキャップ層上に成
長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となる。この
ため、このコンタクト層と上記表面電極との接触を良好
なオーミック接触とすることができ、半導体装置の特性
を向上させることができる。
【０１８９】また、この発明（請求項３７）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項３１ないし３６のいずれか）において、上記
活性層は、その内部でレーザ光が発振される層であり、
この活性層を有する半導体レーザ素子が作製されるとと
もに、上記高抵抗層の表面は上記被覆層及び上記キャッ
プ層で覆われることにより、大気に曝されて酸化される
ことはなく、さらにこの被覆層及びキャップ層の表面は
酸化され難いので、この被覆層及びキャップ層上に成長
させるコンタクト層は良好な半導体結晶となる。このた
め、このコンタクト層と上記表面電極との接触を良好な
オーミック接触とすることができ、半導体装置の特性を
向上させることができる。
【０１９０】また、この発明（請求項３８）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項３５または３６）において、上記活性層は、
その内部で量子閉じ込めシュタルク効果により光を吸収
する層であり、この活性層を有する光変調器が作製され
るとともに、上記高抵抗層の表面は上記被覆層及び上記
キャップ層で覆われることにより、大気に曝されて酸化
されることはなく、さらにこの被覆層及びキャップ層の
表面は酸化され難いので、この被覆層及びキャップ層上
に成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶となる。
このため、このコンタクト層と上記表面電極との接触を
良好なオーミック接触とすることができ、半導体装置の
特性を向上させることができる。
【０１９１】また、この発明（請求項３９）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項３５または３６）において、上記半導体基層
は、上記半導体基板と、この半導体基板表面の半導体レ
ーザ素子を形成すべき領域の両脇の領域に絶縁膜を形成
し、この絶縁膜をマスクとして上記半導体基板上の上記
半導体レーザ素子形成領域，及びこの領域に隣接した光
変調器を形成すべき領域を含む領域に順に選択成長させ
た上記下クラッド層，上記活性層，及び上記上クラッド
層とからなり、上記キャップ層の成長は、上記半導体基
層形成における上記上クラッド層の成長に続けて行うも
のであり、上記下クラッド層，上記活性層，上記上クラ
ッド層，及び上記キャップ層は、上記半導体レーザ素子
を形成すべき領域における層厚が、この領域の他の領域
における層厚より厚いものであり、上記リッジ部は、上
記半導体レーザ素子形成領域及び上記光変調器形成領域
にまたがって形成され、上記半導体レーザ素子形成領域
における上記活性層は、その内部でレーザ光が発振され
る層であり、上記光変調器形成領域における上記活性層
は、その内部で量子閉じ込めシュタルク効果により上記
レーザ光を吸収する層であり、上記表面電極を形成する
工程は、上記リッジ部の表面の上記半導体レーザ素子形
成領域に半導体レーザ素子表面電極を、上記光変調器形
成領域に光変調器表面電極を、互いに電気的に分離して
形成するものであり、上記表面電極を形成する工程の後
に、上記半導体基板の裏面に裏面電極を形成する工程を
含み、同一半導体基板上に、一体に形成され連続した上
記活性層を有する、半導体レーザ素子と光変調器とが作
製されるとともに、上記高抵抗層の表面は上記被覆層及
び上記キャップ層で覆われることにより、大気に曝され
て酸化されることはなく、さらにこの被覆層及びキャッ
プ層の表面は酸化され難いので、この被覆層及びキャッ
プ層上に成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶と
なる。このため、このコンタクト層と上記半導体レーザ
素子表面電極及び上記光変調器表面電極との接触を良好
なオーミック接触とすることができ、半導体装置の特性
を向上させることができる。
【０１９２】また、この発明（請求項４０）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項３０ないし３９のいずれか）において、上記
高抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物である炭素を
含むものであり、上記高抵抗層の表面は上記被覆層及び
上記キャップ層で覆われることにより、大気に曝されて
酸化されることはなく、さらにこの被覆層及びキャップ
層の表面は酸化され難いので、この被覆層及びキャップ
層上に成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶とな
る。このため、このコンタクト層と上記表面電極との接
触を良好なオーミック接触とすることができ、半導体装
置の特性を向上させることができる。
【０１９３】また、この発明（請求項４１）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項３０ないし３９のいずれか）において、上記
高抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物であるベリリ
ウムまたはマグネシウムがドーピングされているもので
あり、上記高抵抗層の表面は上記被覆層及び上記キャッ
プ層で覆われることにより、大気に曝されて酸化される
ことはなく、さらにこの被覆層及びキャップ層の表面は
酸化され難いので、この被覆層及びキャップ層上に成長
させるコンタクト層は良好な半導体結晶となる。このた
め、このコンタクト層と上記表面電極との接触を良好な
オーミック接触とすることができ、半導体装置の特性を
向上させることができる。
【０１９４】また、この発明（請求項４２）に係る半導
体装置の製造方法によれば、上記の半導体装置の製造方
法（請求項３０ないし４１のいずれか）において、上記
高抵抗層は、深いドナーとなる不純物である酸素がドー
ピングされているものであり、上記高抵抗層の表面は上
記被覆層及び上記キャップ層で覆われることにより、大
気に曝されて酸化されることはなく、さらにこの被覆層
及びキャップ層の表面は酸化され難いので、この被覆層
及びキャップ層上に成長させるコンタクト層は良好な半
導体結晶となる。このため、このコンタクト層と上記表
面電極との接触を良好なオーミック接触とすることがで
き、半導体装置の特性を向上させることができる。
【０１９５】また、この発明（請求項４３）に係る半導
体装置によれば、半導体層上にストライプ形状の第１の
絶縁膜を形成し、この第１の絶縁膜をマスクとして上記
半導体層を所要の深さまでエッチングして、上記第１の
絶縁膜下に残された上記半導体層からなるリッジ部を形
成し、このリッジ部の両脇の上記半導体層がエッチング
された部分に、上記第１の絶縁膜をマスクとしてＩｎＡ
ｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅
いドナーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び
深いドナーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−Ｎ
SD＜ＮDD となる高抵抗層を有機金属気相成長法により
選択成長させ、上記第１の絶縁膜を除去した後、上記高
抵抗層上にその露出した表面の全面を覆うように第２の
絶縁膜を形成し、上記半導体層のリッジ部の表面に表面
電極を、上記半導体層の裏面に裏面電極を形成して、作
製されてなるので、大気に曝された高抵抗層表面上に半
導体層を再成長させておらず、このような再成長半導体
層における半導体結晶の品質が良好でないといった問題
が発生しない。また、表面電極はリッジ部表面に直接接
触しているため、リッジ部を構成している半導体との良
好なオーミック接触を容易に得ることができ、半導体装
置の特性を向上させることができる。
【０１９６】また、この発明（請求項４４）に係る半導
体装置によれば、上記の半導体装置（請求項４３）にお
いて、上記半導体層のエッチングによる上記リッジ部の
形成は、上記半導体層に対して異方性のドライエッチン
グを行うことにより上記リッジ部を形成するものであ
り、上記のように、表面電極はリッジ部表面に直接接触
しているので、リッジ部を構成している半導体との良好
なオーミック接触を容易に得ることができ、半導体装置
の特性を向上させることができる。
【０１９７】また、この発明（請求項４５）に係る半導
体装置によれば、上記の半導体装置（請求項４４）にお
いて、上記半導体層は、第１導電型の半導体基板と、こ
の半導体基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域
の両脇の領域に絶縁膜を形成し、この絶縁膜をマスクと
して上記半導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領
域，及びこの領域に隣接した光変調器を形成すべき領域
を含む領域に順に選択成長させた上記第１導電型の半導
体からなる下クラッド層，その井戸層がこの下クラッド
層を構成する半導体よりバンドギャップの小さいアンド
ープの半導体からなる一つまたは複数の量子井戸を含む
活性層，上記井戸層を構成する半導体よりバンドギャッ
プの大きい上記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体
からなる上クラッド層，及び上記第２導電型の半導体か
らなるコンタクト層とからなり、上記半導体層を構成す
る各層は、上記半導体レーザ素子を形成すべき領域にお
ける層厚が、この領域の他の領域における層厚より厚い
ものであり、上記リッジ部を上記半導体レーザ素子形成
領域及び上記光変調器形成領域にまたがって形成し、上
記半導体レーザ素子形成領域における上記活性層は、そ
の内部でレーザ光が発振される層であり、上記光変調器
形成領域における上記活性層は、その内部で量子閉じ込
めシュタルク効果により上記レーザ光を吸収する層であ
り、上記表面電極として、上記リッジ部の表面の上記半
導体レーザ素子形成領域に形成された半導体レーザ素子
表面電極と、上記光変調器形成領域に形成された光変調
器表面電極とが、互いに電気的に分離されて設けられ、
上記半導体基板の裏面の上記半導体レーザ素子形成領域
及び上記光変調器形成領域にまたがって裏面電極を形成
して作製されてなり、上記半導体基板上の半導体レーザ
素子形成領域に形成された半導体レーザ素子と、上記光
変調器形成領域に形成された光変調器とを備え、上記活
性層は、上記半導体レーザ素子及び上記光変調器にわた
って一体に形成され連続したものであり、上記半導体レ
ーザ素子表面電極及び上記光変調器表面電極は、上記リ
ッジ部の最上層である上記コンタクト層に直接接触して
いるので、これらの表面電極と上記コンタクト層との接
触を良好なオーミック接触とすることができ、半導体装
置の特性を向上させることができる。
【０１９８】また、この発明（請求項４６）に係る半導
体装置によれば、上記の半導体装置（請求項４３）にお
いて、上記半導体層は、半導体基層と、該半導体基層上
に成長させた上記表面電極との間でオーミック接触をな
す半導体からなるコンタクト層とからなり、上記リッジ
部の形成は、上記コンタクト層上に形成された上記第１
の絶縁膜をマスクとして上記コンタクト層に対する異方
性のドライエッチングを行い、次に上記第１の絶縁膜及
び該絶縁膜の下に残された上記コンタクト層をマスクと
して、上記半導体基層に対して所要の深さまで選択的な
ウエットエッチングを行って、その側面が上記コンタク
ト層の両端より内側に位置し、上記半導体基層からなる
リッジ部基部を形成し、上記コンタクト層及び該リッジ
部基部からなるリッジ部を形成するものであり、上記高
抵抗層は、上記リッジ部基部の側面の外側において露出
した上記コンタクト層の裏面に上記高抵抗層の表面が接
するように選択成長させてなるものであるので、上記表
面電極と上記コンタクト層との接触を良好なオーミック
接触とすることができるだけでなく、上記第１の絶縁膜
の下に残されたコンタクト層の幅を上記リッジ部基部の
幅より広くすることができ、これにより表面電極とコン
タクト層との接触抵抗を低減できるため、半導体装置の
特性を向上させることができる。
【０１９９】また、この発明（請求項４７）に係る半導
体装置によれば、上記の半導体装置（請求項４６）にお
いて、上記半導体基層は、第１導電型の半導体基板と、
該半導体基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域
の両脇の領域に絶縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとし
て上記半導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領域，
及び該領域に隣接した光変調器を形成すべき領域を含む
領域に順に選択成長させた上記第１導電型の半導体から
なる下クラッド層，その井戸層が該下クラッド層を構成
する半導体よりバンドギャップの小さいアンドープの半
導体からなる一つまたは複数の量子井戸を含む活性層，
上記井戸層を構成する半導体よりバンドギャップの大き
い上記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる
上クラッド層とからなり、上記コンタクト層は、上記第
２導電型の半導体からなり、上記半導体基層を構成する
各層，及び上記コンタクト層は、上記半導体レーザ素子
を形成すべき領域における層厚が、該領域の他の領域に
おける層厚より厚いものであり、上記リッジ部を上記半
導体レーザ素子形成領域及び上記光変調器形成領域にま
たがって形成し、上記半導体レーザ素子形成領域におけ
る上記活性層は、その内部でレーザ光が発振される層で
あり、上記光変調器形成領域における上記活性層は、そ
の内部で量子閉じ込めシュタルク効果により上記レーザ
光を吸収する層であり、上記表面電極として、上記リッ
ジ部の表面の上記半導体レーザ素子形成領域に形成され
た半導体レーザ素子表面電極と、上記光変調器形成領域
に形成された光変調器表面電極とが、互いに電気的に分
離されて設けられ、上記半導体基板の裏面の上記半導体
レーザ素子形成領域及び上記光変調器形成領域にまたが
って裏面電極を形成して作製されてなり、上記半導体基
板上の半導体レーザ素子形成領域に形成された半導体レ
ーザ素子と、上記光変調器形成領域に形成された光変調
器とを備え、上記活性層は、上記半導体レーザ素子及び
上記光変調器にわたって一体に形成され連続したもので
あり、上記半導体レーザ素子表面電極及び上記光変調器
表面電極は、上記リッジ部の最上層である上記コンタク
ト層に直接接触しているので、これらの表面電極と上記
コンタクト層との接触を良好なオーミック接触とするこ
とができ、さらに、上記第１の絶縁膜の下に残されたコ
ンタクト層の幅を上記リッジ部基部の幅より広くするこ
とができ、これにより表面電極とコンタクト層との接触
抵抗を低減できるため、半導体装置の特性を向上させる
ことができる。
【０２００】また、この発明（請求項４８）に係る半導
体装置によれば、半導体層上にストライプ形状の絶縁膜
を形成し、この絶縁膜をマスクとして上記半導体層に対
して所要の深さまで異方性のドライエッチングを行い、
上記絶縁膜下に残された上記半導体層からなるリッジ部
を形成し、このリッジ部の両脇の上記半導体層がエッチ
ングされた部分に、上記絶縁膜をマスクとしてＩｎＡｌ
ＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅い
ドナーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深
いドナーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD
＜ＮDD となる高抵抗層を有機金属気相成長法により選
択成長させ、続けてこの高抵抗層上にこの高抵抗層を構
成する半導体より酸素と結合し難い半導体からなる被覆
層を選択成長させ、この高抵抗層の表面の全面をこの被
覆層により覆うようにし、上記絶縁膜を除去した後、上
記リッジ部上及び上記被覆層上の全面に、後述の表面電
極との間でオーミック接触をなす半導体からなるコンタ
クト層を成長させ、上記コンタクト層の表面に表面電極
を、上記半導体層の裏面に裏面電極を形成して作製され
てなるので、上記高抵抗層の表面は上記被覆層で覆わ
れ、さらにこの被覆層の表面は酸化され難いため、この
被覆層上に成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶
となる。これにより、このコンタクト層と上記表面電極
との接触を良好なオーミック接触とすることができ、半
導体装置の特性を向上させることができる。
【０２０１】また、この発明（請求項４９）に係る半導
体装置によれば、上記の半導体装置（請求項４８）にお
いて、上記半導体層は、第１導電型の半導体基板と、こ
の半導体基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域
の両脇の領域に絶縁膜を形成し、この絶縁膜をマスクと
して上記半導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領
域，及びこの領域に隣接した光変調器を形成すべき領域
を含む領域に順に選択成長させた上記第１導電型の半導
体からなる下クラッド層，その井戸層がこの下クラッド
層を構成する半導体よりバンドギャップの小さいアンド
ープの半導体からなる一つまたは複数の量子井戸を含む
活性層，及び上記井戸層を構成する半導体よりバンドギ
ャップの大きい上記第１導電型とは逆の第２導電型の半
導体からなる上クラッド層とからなり、上記半導体層を
構成する各層は、上記半導体レーザ素子を形成すべき領
域における層厚が、この領域の他の領域における層厚よ
り厚いものであり、上記リッジ部を上記半導体レーザ素
子形成領域及び上記光変調器形成領域にまたがって形成
し、上記半導体レーザ素子形成領域における上記活性層
は、その内部でレーザ光が発振される層であり、上記光
変調器形成領域における上記活性層は、その内部で量子
閉じ込めシュタルク効果により上記レーザ光を吸収する
層であり、上記表面電極として、上記リッジ部の表面の
上記半導体レーザ素子形成領域に形成された半導体レー
ザ素子表面電極と、上記光変調器形成領域に形成された
光変調器表面電極とが、互いに電気的に分離されて設け
られ、上記半導体基板の裏面に裏面電極を形成して作製
されてなり、上記半導体基板上の半導体レーザ素子形成
領域に形成された半導体レーザ素子と、上記光変調器形
成領域に形成された光変調器とを備え、上記活性層は、
上記半導体レーザ素子及び上記光変調器にわたって一体
に形成され連続したものであり、上記高抵抗層の表面は
上記被覆層で覆われ、さらにこの被覆層の表面は酸化さ
れ難いので、この被覆層上に成長させるコンタクト層は
良好な半導体結晶となり、このコンタクト層と上記半導
体レーザ素子表面電極及び上記光変調器表面電極との接
触を良好なオーミック接触とすることができ、半導体装
置の特性を向上させることができる。
【０２０２】また、この発明（請求項５０）に係る半導
体装置によれば、半導体基層上にこの半導体基層の表面
部分を構成する半導体と異なる半導体からなるキャップ
層を成長させ、上記キャップ層上にストライプ形状の絶
縁膜を形成し、この絶縁膜をマスクとして上記キャップ
層に対して異方性のドライエッチングを行い、次に上記
絶縁膜及びこの絶縁膜下に残された上記キャップ層をマ
スクとして上記半導体基層に対する選択的なウットエッ
チングを行って、その側面が上記キャップ層の両端より
内側に位置し、上記半導体基層からなるリッジ部基部を
形成して、上記キャップ層及びこのリッジ部基部からな
るリッジ部を形成し、上記リッジ部基部の両脇の上記半
導体基層がエッチングされた部分に、上記絶縁膜をマス
クとしてＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓからな
り、それが含む浅いドナーの濃度ＮSD，浅いアクセプタ
の濃度ＮSA，及び深いドナーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD
かつ ＮSA−ＮSD＜ＮDD となる高抵抗層を上記リッ
ジ部基部の側面の外側において露出した上記キャップ層
の裏面にこの高抵抗層の表面が接するように有機金属気
相成長法により選択成長させ、続けてこの高抵抗層上に
この高抵抗層を構成する半導体より酸素と結合し難い半
導体からなる被覆層を選択成長させ、この高抵抗層の表
面の全面をこの被覆層により覆うようにし、上記絶縁膜
を除去した後、上記リッジ部上及び上記被覆層上の全面
に、後述の表面電極との間でオーミック接触をなす半導
体からなるコンタクト層を成長させ、上記コンタクト層
の表面に表面電極を、上記半導体基層の裏面に裏面電極
を形成して作製されてなるので、上記高抵抗層の表面は
上記被覆層及び上記キャップ層で覆われ、さらにこの被
覆層及びキャップ層の表面は酸化され難いため、この被
覆層及びキャップ層上に成長させるコンタクト層は良好
な半導体結晶となる。このため、このコンタクト層と上
記表面電極との接触を良好なオーミック接触とすること
ができ、半導体装置の特性を向上させることができる。
【０２０３】また、この発明（請求項５１）に係る半導
体装置によれば、上記の半導体装置（請求項５０）にお
いて、上記半導体基層は、第１導電型の半導体基板と、
この半導体基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領
域の両脇の領域に絶縁膜を形成し、この絶縁膜をマスク
として上記半導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領
域，及びこの領域に隣接した光変調器を形成すべき領域
を含む領域に順に選択成長させた上記第１導電型の半導
体からなる下クラッド層，その井戸層がこの下クラッド
層を構成する半導体よりバンドギャップの小さいアンド
ープの半導体からなる一つまたは複数の量子井戸を含む
活性層，及び上記井戸層を構成する半導体よりバンドギ
ャップの大きい上記第１導電型とは逆の第２導電型の半
導体からなる上クラッド層とからなり、上記キャップ層
は、上記半導体基層形成における上記上クラッド層の成
長に続けて、この上クラッド層上に上記第２導電型の半
導体を成長させるものであり、上記下クラッド層，上記
活性層，上記上クラッド層，及び上記キャップ層は、上
記半導体レーザ素子を形成すべき領域における層厚が、
この領域の他の領域における層厚より厚いものであり、
上記リッジ部を上記半導体レーザ素子形成領域及び上記
光変調器形成領域にまたがって形成し、上記半導体レー
ザ素子形成領域における上記活性層は、その内部でレー
ザ光が発振される層であり、上記光変調器形成領域にお
ける上記活性層は、その内部で量子閉じ込めシュタルク
効果により上記レーザ光を吸収する層であり、上記表面
電極として、上記リッジ部の表面の上記半導体レーザ素
子形成領域に形成された半導体レーザ素子表面電極と、
上記光変調器形成領域に形成された光変調器表面電極と
が、互いに電気的に分離されて設けられ、上記半導体基
板の裏面に裏面電極を形成して作製されてなり、上記半
導体基板上の半導体レーザ素子形成領域に形成された半
導体レーザ素子と、上記光変調器形成領域に形成された
光変調器とを備え、上記活性層は、上記半導体レーザ素
子及び上記光変調器にわたって一体に形成され連続した
ものであり、上記高抵抗層の表面は上記被覆層及び上記
キャップ層で覆われ、さらにこの被覆層及びキャップ層
の表面は酸化され難いので、この被覆層及びキャップ層
上に成長させるコンタクト層は良好な半導体結晶とな
る。このため、このコンタクト層と上記半導体レーザ素
子表面電極及び上記光変調器表面電極との接触を良好な
オーミック接触とすることができ、半導体装置の特性を
向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の第１の実施例による半導体レーザ
装置の製造方法，及びそれにより作製される半導体レー
ザ装置を示す断面図である。
【図２】 この発明の第２の実施例による半導体レーザ
装置の製造方法，及びそれにより作製される半導体レー
ザ装置を示す断面図である。
【図３】 この発明の第３の実施例による半導体レーザ
装置の製造方法，及びそれにより作製される半導体レー
ザ装置を示す断面図である。
【図４】 この発明の第４の実施例による半導体レーザ
装置の製造方法，及びそれにより作製される半導体レー
ザ装置を示す断面図である。
【図５】 この発明の第５の実施例による半導体レーザ
素子と光変調器を同一基板上に集積化した半導体装置の
製造方法，及びそれにより作製される半導体装置を示す
上面図（図５(a) ），及び断面図（図５(b),(c) ）であ
る。
【図６】 従来の半導体レーザ装置の製造方法，及びそ
れにより作製される半導体レーザ装置を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１ ｎ型ＩｎＰ下クラッド層，２ ＩｎＧａＡｓＰ活性
層，３ ｐ型ＩｎＰ上クラッド層，４ ＩｎＡｌＡｓ高
抵抗層，５ 表面電極（ｐ側電極：ＡｕＺｎ／Ａｕ），
６ 裏面電極（ｎ側電極：ＡｕＧｅ／Ａｕ），７ Ｓｉ
Ｎ膜（第１の絶縁膜），８ ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層，９ ＳｉＯ2 膜（第２の絶縁膜），１０ 絶縁膜
（ＳｉＯ2 ），１１ ｎ型ＩｎＰ被覆層下層，１２ 多
重量子井戸活性層，１３ ｐ型ＩｎＰ被覆層上層，１８
ｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層，３０ リッジ部，５１
半導体レーザ素子表面電極（ｐ側電極），５２ 光変
調器表面電極（ｐ側電極），１００ ｎ型ＩｎＰ基板，
２０１ 半導体レーザ素子形成領域，２０２ 光変調器
形成領域，２１１ 半導体レーザ素子，２１２ 光変調
器，３０１ リッジ部基部。

Claims (51)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体層上にストライプ形状の第１の絶
    縁膜を形成する工程と、 該第１の絶縁膜をマスクとして上記半導体層を所要の深
    さまでエッチングして、上記第１の絶縁膜下に残された
    上記半導体層からなるリッジ部を形成する工程と、 該リッジ部の両脇の上記半導体層がエッチングされた部
    分に、上記第１の絶縁膜をマスクとして、ＩｎＡｌＡｓ
    またはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅いドナ
    ーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いド
    ナーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜Ｎ
    DD となる高抵抗層を有機金属気相成長法により選択成
    長させる工程と、 上記第１の絶縁膜を除去した後、上記高抵抗層上にその
    露出した表面の全面を覆うように第２の絶縁膜を形成す
    る工程と、 上記半導体層の上記リッジ部の表面に表面電極を形成す
    る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置の製造方法
    において、 上記半導体層をエッチングして上記リッジ部を形成する
    工程は、上記半導体層に対して異方性のドライエッチン
    グを行い、上記リッジ部を形成するものであることを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の半導体装置の製造方法
    において、 上記半導体層は、半導体基層と、該半導体基層上に成長
    させた、上記表面電極との間でオーミック接触をなす半
    導体からなるコンタクト層とからなり、 上記リッジ部を形成する工程は、上記コンタクト層上に
    形成された上記第１の絶縁膜をマスクとして上記コンタ
    クト層に対する異方性のドライエッチングを行い、次に
    上記第１の絶縁膜及び該絶縁膜の下に残された上記コン
    タクト層をマスクとして、上記半導体基層に対して所要
    の深さまで選択的なウエットエッチングを行って、その
    側面が上記コンタクト層の両端より内側に位置し、上記
    半導体基層からなるリッジ部基部を形成し、上記コンタ
    クト層及び該リッジ部基部からなるリッジ部を形成する
    ものであり、 上記高抵抗層を選択成長させる工程は、上記リッジ部基
    部の側面の外側において露出した上記コンタクト層の裏
    面に上記高抵抗層の表面が接するように該高抵抗層を成
    長させるものであることを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
  4. 【請求項４】 請求項１または２に記載の半導体装置の
    製造方法において、 上記半導体層は、第１導電型の半導体基板，及び該半導
    体基板上に順に成長させた上記第１導電型の半導体から
    なる下クラッド層，該下クラッド層を構成する半導体よ
    りバンドギャップの小さいアンドープの半導体を含む活
    性層，該活性層を構成する半導体よりバンドギャップの
    大きい上記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体から
    なる上クラッド層，上記第２導電型の半導体からなるコ
    ンタクト層からなり、 上記半導体層のエッチングは、上記下クラッド層または
    上記半導体基板が露出する深さまで行うことを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項３に記載の半導体装置の製造方法
    において、 上記半導体基層は、第１導電型の半導体基板，及び該半
    導体基板上に順に成長させた上記第１導電型の半導体か
    らなる下クラッド層，該下クラッド層を構成する半導体
    よりバンドギャップの小さいアンドープの半導体を含む
    活性層，該活性層を構成する半導体よりバンドギャップ
    の大きい上記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体か
    らなる上クラッド層からなり、 上記コンタクト層は、上記第２導電型の半導体からな
    り、 上記半導体基層のエッチングは、上記下クラッド層また
    は上記半導体基板が露出する深さまで行うことを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項４または５に記載の半導体装置の
    製造方法において、 上記半導体基板，上記下クラッド層，及び上記上クラッ
    ド層は、ＩｎＰからなり、 上記コンタクト層は、ＩｎＧａＡｓからなることを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項４ないし６のいずれかに記載の半
    導体装置の製造方法において、 上記活性層は、ＩｎＧａＡｓＰからなることを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 請求項４ないし６のいずれかに記載の半
    導体装置の製造方法において、 上記活性層は、一つまたは複数の量子井戸を含むことを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 請求項８に記載の半導体装置の製造方法
    において、 上記量子井戸の井戸層は、ＩｎＧａＡｓＰからなり、 上記量子井戸のバリア層は、ＩｎＧａＡｓＰ，ＩｎＧａ
    ＰまたはＩｎＰからなることを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  10. 【請求項１０】 請求項４ないし９のいずれかに記載の
    半導体装置の製造方法において、 上記活性層は、その内部でレーザ光が発振される層であ
    り、 該活性層を有する半導体レーザ素子を作製することを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 請求項８または９に記載の半導体装置
    の製造方法において、 上記活性層は、その内部で量子閉じ込めシュタルク効果
    により光を吸収する層であり、 該活性層を有する光変調器を作製することを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項８または９に記載の半導体装置
    の製造方法において、 上記半導体層は、上記半導体基板と、該半導体基板表面
    の半導体レーザ素子を形成すべき領域の両脇の領域に絶
    縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして上記半導体基板
    上の上記半導体レーザ素子形成領域，及び該領域に隣接
    した光変調器を形成すべき領域を含む領域に順に選択成
    長させた上記下クラッド層，上記活性層，上記上クラッ
    ド層，及び上記コンタクト層とからなり、これらの成長
    層は、上記半導体レーザ素子を形成すべき領域における
    層厚が、該領域の他の領域における層厚より厚いもので
    あり、 上記リッジ部は、上記半導体レーザ素子形成領域及び上
    記光変調器形成領域にまたがって形成され、 上記半導体レーザ素子形成領域における上記活性層は、
    その内部でレーザ光が発振される層であり、 上記光変調器形成領域における上記活性層は、その内部
    で量子閉じ込めシュタルク効果により上記レーザ光を吸
    収する層であり、 上記表面電極を形成する工程は、上記リッジ部の表面の
    上記半導体レーザ素子形成領域に半導体レーザ素子表面
    電極を、上記光変調器形成領域に光変調器表面電極を、
    互いに電気的に分離して形成するものであり、 上記表面電極を形成する工程の後に、上記半導体基板の
    裏面に裏面電極を形成する工程を含み、 同一半導体基板上に、一体に形成され連続した上記活性
    層を有する半導体レーザ素子と光変調器とを作製するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１ないし１２のいずれかに記載
    の半導体装置の製造方法において、 上記高抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物である炭
    素を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１ないし１２のいずれかに記載
    の半導体装置の製造方法において、 上記高抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物であるベ
    リリウムまたはマグネシウムがドーピングされているこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１ないし１４のいずれかに記載
    の半導体装置の製造方法において、 上記高抵抗層は、深いドナーとなる不純物である酸素が
    ドーピングされていることを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
  16. 【請求項１６】 半導体層上にストライプ形状の絶縁膜
    を形成する工程と、 該絶縁膜をマスクとして上記半導体層に対して所要の深
    さまで異方性のドライエッチングを行い、上記絶縁膜下
    に残された上記半導体層からなるリッジ部を形成する工
    程と、 該リッジ部の両脇の上記半導体層がエッチングされた部
    分に、上記絶縁膜をマスクとして、ＩｎＡｌＡｓまたは
    ＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅いドナーの濃
    度ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いドナーの
    濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜ＮDD と
    なる高抵抗層を有機金属気相成長法により選択成長さ
    せ、続けて該高抵抗層上にその表面の全面を覆うように
    該高抵抗層を構成する半導体より酸素と結合し難い半導
    体からなる被覆層を選択成長させる工程と、 上記絶縁膜を除去した後、上記リッジ部上及び上記被覆
    層上の全面に、後述の表面電極との間でオーミック接触
    をなす半導体からなるコンタクト層を成長させる工程
    と、 上記コンタクト層の表面に表面電極を形成する工程とを
    含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１６に記載の半導体装置の製造
    方法において、 上記リッジ部を形成する工程は、上記絶縁膜をマスクと
    して上記半導体層に対して所要の深さまで異方性のドラ
    イエッチングを行い、次に上記半導体層に対してウェッ
    トエッチングを行い、上記リッジ部の両側面が上記絶縁
    膜の両端より内側に位置するようにすることを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１６または１７に記載の半導体
    装置の製造方法において、 上記半導体層は、第１導電型の半導体基板，及び該半導
    体基板上に順に成長させた上記第１導電型の半導体から
    なる下クラッド層，該下クラッド層を構成する半導体よ
    りバンドギャップの小さいアンドープの半導体を含む活
    性層，該活性層を構成する半導体よりバンドギャップの
    大きい上記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体から
    なる上クラッド層からなり、 上記コンタクト層は、上記第２導電型の半導体からな
    り、 上記半導体層のエッチングは、上記下クラッド層または
    上記半導体基板が露出する深さまで行うことを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 請求項１８に記載の半導体装置の製造
    方法において、 上記半導体基板，上記下クラッド層，上記上クラッド
    層，及び上記被覆層は、ＩｎＰからなり、 上記コンタクト層は、ＩｎＧａＡｓからなることを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１９に記載の半導体装置の製造
    方法において、 上記被覆層は、上記高抵抗層の表面に成長させた上記第
    １導電型のＩｎＰからなる被覆層下層と、該被覆層下層
    上に成長させた上記第２導電型のＩｎＰからなる被覆層
    上層とからなることを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  21. 【請求項２１】 請求項１９または２０に記載の半導体
    装置の製造方法において、 上記活性層は、ＩｎＧａＡｓＰからなることを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  22. 【請求項２２】 請求項１９または２０に記載の半導体
    装置の製造方法において、 上記活性層は、一つまたは複数の量子井戸を含むことを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
  23. 【請求項２３】 請求項２２に記載の半導体装置の製造
    方法において、 上記量子井戸の井戸層は、ＩｎＧａＡｓＰからなり、 上記量子井戸のバリア層は、ＩｎＧａＡｓＰ，ＩｎＧａ
    ＰまたはＩｎＰからなることを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  24. 【請求項２４】 請求項１８ないし２３のいずれかに記
    載の半導体装置の製造方法において、 上記活性層は、その内部でレーザ光が発振される層であ
    り、 該活性層を有する半導体レーザ素子を作製することを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  25. 【請求項２５】 請求項２２または２３に記載の半導体
    装置の製造方法において、 上記活性層は、その内部で量子閉じ込めシュタルク効果
    により光を吸収する層であり、 該活性層を有する光変調器を作製することを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  26. 【請求項２６】 請求項２２または２３に記載の半導体
    装置の製造方法において、 上記半導体層は、上記半導体基板と、該半導体基板表面
    の半導体レーザ素子を形成すべき領域の両脇の領域に絶
    縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして上記半導体基板
    上の上記半導体レーザ素子形成領域，及び該領域に隣接
    した光変調器を形成すべき領域を含む領域に順に選択成
    長させた上記下クラッド層，上記活性層，及び上記上ク
    ラッド層とからなり、これらの成長層は、上記半導体レ
    ーザ素子を形成すべき領域における層厚が、該領域の他
    の領域における層厚より厚いものであり、 上記リッジ部は、上記半導体レーザ素子形成領域及び上
    記光変調器形成領域にまたがって形成され、 上記半導体レーザ素子形成領域における上記活性層は、
    その内部でレーザ光が発振される層であり、 上記光変調器形成領域における上記活性層は、その内部
    で量子閉じ込めシュタルク効果により上記レーザ光を吸
    収する層であり、 上記表面電極を形成する工程は、上記リッジ部の表面の
    上記半導体レーザ素子形成領域に半導体レーザ素子表面
    電極を、上記光変調器形成領域に光変調器表面電極を、
    互いに電気的に分離して形成するものであり、 上記表面電極を形成する工程の後に、上記半導体基板の
    裏面に裏面電極を形成する工程を含み、 同一半導体基板上に、一体に形成され連続した上記活性
    層を有する半導体レーザ素子と光変調器とを作製するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  27. 【請求項２７】 請求項１６ないし２６のいずれかに記
    載の半導体装置の製造方法において、 上記高抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物である炭
    素を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  28. 【請求項２８】 請求項１６ないし２６のいずれかに記
    載の半導体装置の製造方法において、 上記高抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物であるベ
    リリウムまたはマグネシウムがドーピングされているこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  29. 【請求項２９】 請求項１６ないし２８のいずれかに記
    載の半導体装置の製造方法において、 上記高抵抗層は、深いドナーとなる不純物である酸素が
    ドーピングされていることを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
  30. 【請求項３０】 半導体基層上に該半導体基層の表面部
    分を構成する半導体と異なる半導体からなるキャップ層
    を成長させる工程と、 上記キャップ層上にストライプ形状の絶縁膜を形成する
    工程と、 該絶縁膜をマスクとして上記キャップ層に対して異方性
    のドライエッチングを行い、次に上記絶縁膜及び該絶縁
    膜下に残された上記キャップ層をマスクとして上記半導
    体基層に対する選択的なウエットエッチングを行って、
    上記半導体基層からなり、その側面が上記キャップ層の
    両端より内側に位置するリッジ部基部を形成し、上記キ
    ャップ層及び該リッジ部基部からなるリッジ部を形成す
    る工程と、 上記リッジ部基部の両脇の上記半導体基層がエッチング
    された部分に、上記絶縁膜をマスクとしてＩｎＡｌＡｓ
    またはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅いドナ
    ーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いド
    ナーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜Ｎ
    DD となる高抵抗層を上記リッジ部の側面の外側におい
    て露出した上記キャップ層の裏面に該高抵抗層の表面が
    接するように有機金属気相成長法により選択成長させ、
    続けて該高抵抗層上に該高抵抗層の露出している表面の
    全面を覆うように該高抵抗層を構成する半導体より酸素
    と結合し難い半導体からなる被覆層を選択成長させる工
    程と、 上記絶縁膜を除去した後、上記リッジ部上及び上記被覆
    層上の全面に、後述の表面電極との間でオーミック接触
    をなす半導体からなるコンタクト層を成長させる工程
    と、 上記コンタクト層の表面に表面電極を形成する工程とを
    含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  31. 【請求項３１】 請求項３０に記載の半導体装置の製造
    方法において、 上記半導体基層は、第１導電型の半導体基板，及び該半
    導体基板上に順に成長させた上記第１導電型の半導体か
    らなる下クラッド層，該下クラッド層を構成する半導体
    よりバンドギャップの小さいアンドープの半導体を含む
    活性層，該活性層を構成する半導体よりバンドギャップ
    の大きい上記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体か
    らなる上クラッド層からなり、 上記コンタクト層は、上記第２導電型の半導体からな
    り、 上記キャップ層は、上記第２導電型の半導体からなり、 上記半導体基層のエッチングは、上記下クラッド層また
    は上記半導体基板が露出する深さまで行うことを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  32. 【請求項３２】 請求項３１に記載の半導体装置の製造
    方法において、 上記半導体基板，上記下クラッド層，上記上クラッド
    層，及び上記被覆層は、ＩｎＰからなり、 上記コンタクト層及び上記キャップ層は、ＩｎＧａＡｓ
    からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  33. 【請求項３３】 請求項３２に記載の半導体装置の製造
    方法において、 上記被覆層は、上記高抵抗層の表面に成長させた上記第
    １導電型のＩｎＰからなる被覆層下層と、該被覆層下層
    の表面に成長させた上記第２導電型のＩｎＰからなる被
    覆層上層とからなることを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
  34. 【請求項３４】 請求項３１ないし３３のいずれかに記
    載の半導体装置の製造方法において、 上記活性層は、ＩｎＧａＡｓＰからなることを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  35. 【請求項３５】 請求項３１ないし３３のいずれかに記
    載の半導体装置の製造方法において、 上記活性層は、一つまたは複数の量子井戸を含むことを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
  36. 【請求項３６】 請求項３５に記載の半導体装置の製造
    方法において、 上記量子井戸の井戸層は、ＩｎＧａＡｓＰからなり、 上記量子井戸のバリア層は、ＩｎＧａＡｓＰ，ＩｎＧａ
    ＰまたはＩｎＰからなることを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  37. 【請求項３７】 請求項３１ないし３６のいずれかに記
    載の半導体装置の製造方法において、 上記活性層は、その内部でレーザ光が発振される層であ
    り、 該活性層を有する半導体レーザ素子を作製することを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  38. 【請求項３８】 請求項３５または３６に記載の半導体
    装置の製造方法において、 上記活性層は、その内部で量子閉じ込めシュタルク効果
    により光を吸収する層であり、 該活性層を有する光変調器を作製することを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  39. 【請求項３９】 請求項３５または３６に記載の半導体
    装置の製造方法において、 上記半導体基層は、上記半導体基板と、該半導体基板表
    面の半導体レーザ素子を形成すべき領域の両脇の領域に
    絶縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして上記半導体基
    板上の上記半導体レーザ素子形成領域，及び該領域に隣
    接した光変調器を形成すべき領域を含む領域に順に選択
    成長させた上記下クラッド層，上記活性層，及び上記上
    クラッド層とからなり、 上記キャップ層の成長は、上記半導体基層形成における
    上記上クラッド層の成長に続けて行うものであり、 上記下クラッド層，上記活性層，上記上クラッド層，及
    び上記キャップ層は、上記半導体レーザ素子を形成すべ
    き領域における層厚が、該領域の他の領域における層厚
    より厚いものであり、 上記リッジ部は、上記半導体レーザ素子形成領域及び上
    記光変調器形成領域にまたがって形成され、 上記半導体レーザ素子形成領域における上記活性層は、
    その内部でレーザ光が発振される層であり、 上記光変調器形成領域における上記活性層は、その内部
    で量子閉じ込めシュタルク効果により上記レーザ光を吸
    収する層であり、 上記表面電極を形成する工程は、上記リッジ部の表面の
    上記半導体レーザ素子形成領域に半導体レーザ素子表面
    電極を、上記光変調器形成領域に光変調器表面電極を、
    互いに電気的に分離して形成するものであり、 上記表面電極を形成する工程の後に、上記半導体基板の
    裏面に裏面電極を形成する工程を含み、 同一半導体基板上に、一体に形成され連続した上記活性
    層を有する、半導体レーザ素子と光変調器とを作製する
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  40. 【請求項４０】 請求項３０ないし３９のいずれかに記
    載の半導体装置の製造方法において、 上記高抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物である炭
    素を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  41. 【請求項４１】 請求項３０ないし３９のいずれかに記
    載の半導体装置の製造方法において、 上記高抵抗層は、浅いアクセプタとなる不純物であるベ
    リリウムまたはマグネシウムがドーピングされているこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  42. 【請求項４２】 請求項３０ないし４１のいずれかに記
    載の半導体装置の製造方法において、 上記高抵抗層は、深いドナーとなる不純物である酸素が
    ドーピングされていることを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
  43. 【請求項４３】 半導体層上にストライプ形状の第１の
    絶縁膜を形成し、 該第１の絶縁膜をマスクとして上記半導体層を所要の深
    さまでエッチングして、上記第１の絶縁膜下に残された
    上記半導体層からなるリッジ部を形成し、 該リッジ部の両脇の上記半導体層がエッチングされた部
    分に、上記第１の絶縁膜をマスクとしてＩｎＡｌＡｓま
    たはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅いドナー
    の濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いドナ
    ーの濃度ＮDDがＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜ＮDD
    となる高抵抗層を有機金属気相成長法により選択成長さ
    せ、 上記第１の絶縁膜を除去した後、上記高抵抗層上にその
    露出した表面の全面を覆うように第２の絶縁膜を形成
    し、 上記半導体層のリッジ部の表面に表面電極を、上記半導
    体層の裏面に裏面電極を形成して、作製されてなること
    を特徴とする半導体装置。
  44. 【請求項４４】 請求項４３に記載の半導体装置におい
    て、 上記半導体層のエッチングによる上記リッジ部の形成
    は、上記半導体層に対して異方性のドライエッチングを
    行うことにより上記リッジ部を形成するものであること
    を特徴とする半導体装置。
  45. 【請求項４５】 請求項４４に記載の半導体装置におい
    て、 上記半導体層は、第１導電型の半導体基板と、該半導体
    基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域の両脇の
    領域に絶縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして上記半
    導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領域，及び該領
    域に隣接した光変調器を形成すべき領域を含む領域に順
    に選択成長させた上記第１導電型の半導体からなる下ク
    ラッド層，その井戸層が該下クラッド層を構成する半導
    体よりバンドギャップの小さいアンドープの半導体から
    なる一つまたは複数の量子井戸を含む活性層，上記井戸
    層を構成する半導体よりバンドギャップの大きい上記第
    １導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる上クラッ
    ド層，及び上記第２導電型の半導体からなるコンタクト
    層とからなり、 上記半導体層を構成する各層は、上記半導体レーザ素子
    を形成すべき領域における層厚が、該領域の他の領域に
    おける層厚より厚いものであり、 上記リッジ部を上記半導体レーザ素子形成領域及び上記
    光変調器形成領域にまたがって形成し、 上記半導体レーザ素子形成領域における上記活性層は、
    その内部でレーザ光が発振される層であり、 上記光変調器形成領域における上記活性層は、その内部
    で量子閉じ込めシュタルク効果により上記レーザ光を吸
    収する層であり、 上記表面電極として、上記リッジ部の表面の上記半導体
    レーザ素子形成領域に形成された半導体レーザ素子表面
    電極と、上記光変調器形成領域に形成された光変調器表
    面電極とが、互いに電気的に分離されて設けられ、 上記半導体基板の裏面の上記半導体レーザ素子形成領域
    及び上記光変調器形成領域にまたがって裏面電極を形成
    して作製されてなり、 上記半導体基板上の半導体レーザ素子形成領域に形成さ
    れた半導体レーザ素子と、上記光変調器形成領域に形成
    された光変調器とを備え、上記活性層は、上記半導体レ
    ーザ素子及び上記光変調器にわたって一体に形成され連
    続したものであることを特徴とする半導体装置。
  46. 【請求項４６】 請求項４３に記載の半導体装置におい
    て、 上記半導体層は、半導体基層と、該半導体基層上に成長
    させた上記表面電極との間でオーミック接触をなす半導
    体からなるコンタクト層とからなり、 上記リッジ部の形成は、上記コンタクト層上に形成され
    た上記第１の絶縁膜をマスクとして上記コンタクト層に
    対する異方性のドライエッチングを行い、次に上記第１
    の絶縁膜及び該絶縁膜の下に残された上記コンタクト層
    をマスクとして、上記半導体基層に対して所要の深さま
    で選択的なウエットエッチングを行って、その側面が上
    記コンタクト層の両端より内側に位置し、上記半導体基
    層からなるリッジ部基部を形成し、上記コンタクト層及
    び該リッジ部基部からなるリッジ部を形成するものであ
    り、 上記高抵抗層は、上記リッジ部基部の側面の外側におい
    て露出した上記コンタクト層の裏面に上記高抵抗層の表
    面が接するように選択成長させてなるものであることを
    特徴とする半導体装置。
  47. 【請求項４７】 請求項４６に記載の半導体装置におい
    て、 上記半導体基層は、第１導電型の半導体基板と、該半導
    体基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域の両脇
    の領域に絶縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして上記
    半導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領域，及び該
    領域に隣接した光変調器を形成すべき領域を含む領域に
    順に選択成長させた上記第１導電型の半導体からなる下
    クラッド層，その井戸層が該下クラッド層を構成する半
    導体よりバンドギャップの小さいアンドープの半導体か
    らなる一つまたは複数の量子井戸を含む活性層，上記井
    戸層を構成する半導体よりバンドギャップの大きい上記
    第１導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる上クラ
    ッド層とからなり、 上記コンタクト層は、上記第２導電型の半導体からな
    り、 上記半導体基層を構成する各層，及び上記コンタクト層
    は、上記半導体レーザ素子を形成すべき領域における層
    厚が、該領域の他の領域における層厚より厚いものであ
    り、 上記リッジ部を上記半導体レーザ素子形成領域及び上記
    光変調器形成領域にまたがって形成し、 上記半導体レーザ素子形成領域における上記活性層は、
    その内部でレーザ光が発振される層であり、 上記光変調器形成領域における上記活性層は、その内部
    で量子閉じ込めシュタルク効果により上記レーザ光を吸
    収する層であり、 上記表面電極として、上記リッジ部の表面の上記半導体
    レーザ素子形成領域に形成された半導体レーザ素子表面
    電極と、上記光変調器形成領域に形成された光変調器表
    面電極とが、互いに電気的に分離されて設けられ、 上記半導体基板の裏面の上記半導体レーザ素子形成領域
    及び上記光変調器形成領域にまたがって裏面電極を形成
    して作製されてなり、 上記半導体基板上の半導体レーザ素子形成領域に形成さ
    れた半導体レーザ素子と、上記光変調器形成領域に形成
    された光変調器とを備え、上記活性層は、上記半導体レ
    ーザ素子及び上記光変調器にわたって一体に形成され連
    続したものであることを特徴とする半導体装置。
  48. 【請求項４８】 半導体層上にストライプ形状の絶縁膜
    を形成し、 該絶縁膜をマスクとして上記半導体層に対して所要の深
    さまで異方性のドライエッチングを行い、上記絶縁膜下
    に残された上記半導体層からなるリッジ部を形成し、 該リッジ部の両脇の上記半導体層がエッチングされた部
    分に、上記絶縁膜をマスクとしてＩｎＡｌＡｓまたはＩ
    ｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅いドナーの濃度
    ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いドナーの濃
    度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜ＮDD とな
    る高抵抗層を有機金属気相成長法により選択成長させ、
    続けて該高抵抗層上に該高抵抗層を構成する半導体より
    酸素と結合し難い半導体からなる被覆層を選択成長さ
    せ、該高抵抗層の表面の全面を該被覆層により覆うよう
    にし、 上記絶縁膜を除去した後、上記リッジ部上及び上記被覆
    層上の全面に、後述の表面電極との間でオーミック接触
    をなす半導体からなるコンタクト層を成長させ、 上記コンタクト層の表面に表面電極を、上記半導体層の
    裏面に裏面電極を形成して作製されてなることを特徴と
    する半導体装置。
  49. 【請求項４９】 請求項４８に記載の半導体装置におい
    て、 上記半導体層は、第１導電型の半導体基板と、該半導体
    基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域の両脇の
    領域に絶縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして上記半
    導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領域，及び該領
    域に隣接した光変調器を形成すべき領域を含む領域に順
    に選択成長させた上記第１導電型の半導体からなる下ク
    ラッド層，その井戸層が該下クラッド層を構成する半導
    体よりバンドギャップの小さいアンドープの半導体から
    なる一つまたは複数の量子井戸を含む活性層，及び上記
    井戸層を構成する半導体よりバンドギャップの大きい上
    記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる上ク
    ラッド層とからなり、 上記半導体層を構成する各層は、上記半導体レーザ素子
    を形成すべき領域における層厚が、該領域の他の領域に
    おける層厚より厚いものであり、 上記リッジ部を上記半導体レーザ素子形成領域及び上記
    光変調器形成領域にまたがって形成し、 上記半導体レーザ素子形成領域における上記活性層は、
    その内部でレーザ光が発振される層であり、 上記光変調器形成領域における上記活性層は、その内部
    で量子閉じ込めシュタルク効果により上記レーザ光を吸
    収する層であり、 上記表面電極として、上記リッジ部の表面の上記半導体
    レーザ素子形成領域に形成された半導体レーザ素子表面
    電極と、上記光変調器形成領域に形成された光変調器表
    面電極とが、互いに電気的に分離されて設けられ、 上記半導体基板の裏面に裏面電極を形成して作製されて
    なり、 上記半導体基板上の半導体レーザ素子形成領域に形成さ
    れた半導体レーザ素子と、上記光変調器形成領域に形成
    された光変調器とを備え、上記活性層は、上記半導体レ
    ーザ素子及び上記光変調器にわたって一体に形成され連
    続したものであることを特徴とする半導体装置。
  50. 【請求項５０】 半導体基層上に該半導体基層の表面部
    分を構成する半導体と異なる半導体からなるキャップ層
    を成長させ、 上記キャップ層上にストライプ形状の絶縁膜を形成し、 該絶縁膜をマスクとして上記キャップ層に対して異方性
    のドライエッチングを行い、次に上記絶縁膜及び該絶縁
    膜下に残された上記キャップ層をマスクとして上記半導
    体基層に対する選択的なウエットエッチングを行って、
    その側面が上記キャップ層の両端より内側に位置し、上
    記半導体基層からなるリッジ部基部を形成して、上記キ
    ャップ層及び該リッジ部基部からなるリッジ部を形成
    し、 上記リッジ部基部の両脇の上記半導体基層がエッチング
    された部分に、上記絶縁膜をマスクとしてＩｎＡｌＡｓ
    またはＩｎＡｌＧａＡｓからなり、それが含む浅いドナ
    ーの濃度ＮSD，浅いアクセプタの濃度ＮSA，及び深いド
    ナーの濃度ＮDDが ＮSA＞ＮSD かつ ＮSA−ＮSD＜Ｎ
    DD となる高抵抗層を上記リッジ部基部の側面の外側に
    おいて露出した上記キャップ層の裏面に該高抵抗層の表
    面が接するように有機金属気相成長法により選択成長さ
    せ、続けて該高抵抗層上に該高抵抗層を構成する半導体
    より酸素と結合し難い半導体からなる被覆層を選択成長
    させ、該高抵抗層の表面の全面を該被覆層により覆うよ
    うにし、 上記絶縁膜を除去した後、上記リッジ部上及び上記被覆
    層上の全面に、後述の表面電極との間でオーミック接触
    をなす半導体からなるコンタクト層を成長させ、 上記コンタクト層の表面に表面電極を、上記半導体基層
    の裏面に裏面電極を形成して作製されてなることを特徴
    とする半導体装置。
  51. 【請求項５１】 請求項５０に記載の半導体装置におい
    て、 上記半導体基層は、第１導電型の半導体基板と、該半導
    体基板表面の半導体レーザ素子を形成すべき領域の両脇
    の領域に絶縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして上記
    半導体基板上の上記半導体レーザ素子形成領域，及び該
    領域に隣接した光変調器を形成すべき領域を含む領域に
    順に選択成長させた上記第１導電型の半導体からなる下
    クラッド層，その井戸層が該下クラッド層を構成する半
    導体よりバンドギャップの小さいアンドープの半導体か
    らなる一つまたは複数の量子井戸を含む活性層，及び上
    記井戸層を構成する半導体よりバンドギャップの大きい
    上記第１導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる上
    クラッド層とからなり、 上記キャップ層は、上記半導体基層形成における上記上
    クラッド層の成長に続けて、該上クラッド層上に上記第
    ２導電型の半導体を成長させるものであり、 上記下クラッド層，上記活性層，上記上クラッド層，及
    び上記キャップ層は、上記半導体レーザ素子を形成すべ
    き領域における層厚が、該領域の他の領域における層厚
    より厚いものであり、 上記リッジ部を上記半導体レーザ素子形成領域及び上記
    光変調器形成領域にまたがって形成し、 上記半導体レーザ素子形成領域における上記活性層は、
    その内部でレーザ光が発振される層であり、 上記光変調器形成領域における上記活性層は、その内部
    で量子閉じ込めシュタルク効果により上記レーザ光を吸
    収する層であり、 上記表面電極として、上記リッジ部の表面の上記半導体
    レーザ素子形成領域に形成された半導体レーザ素子表面
    電極と、上記光変調器形成領域に形成された光変調器表
    面電極とが、互いに電気的に分離されて設けられ、 上記半導体基板の裏面に裏面電極を形成して作製されて
    なり、 上記半導体基板上の半導体レーザ素子形成領域に形成さ
    れた半導体レーザ素子と、上記光変調器形成領域に形成
    された光変調器とを備え、上記活性層は、上記半導体レ
    ーザ素子及び上記光変調器にわたって一体に形成され連
    続したものであることを特徴とする半導体装置。
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