JPH05226767A - 埋め込み型半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 制御性や再現性に優れた方法で活性層を含む
メサストライプ領域を埋込み、その後高温プロセスを導
入することなく特性に優れた半絶縁性半導体埋込み型半
導体レーザを提供する。 【構成】 半導体基板３１上に基板と同一導電型の第１
クラッド層３２、活性層３３、基板と反対導電型の第２
クラッド層３４及び第２クラッド層と同一導電型のコン
タクト層３５を、この順にエピタキシャルに積層して誘
電体ストライプマスクを形成し、このマスクを用いて第
１クラッド層の一部、活性層、第２クラッド層及びコン
タクト層を含んで形成されたメサストライプ領域４０を
エッチングにより形成した後、ストライプマスクを除去
する。次にメサストライプ領域４０の両側に該領域と平
行に２本の選択成長用ストライプマスク３６ａ，３６ｂ
を形成する。その後該マスクの間に配置され、低指数結
晶面の側面をもつテーパ状半絶縁性半導体領域３７によ
るメサストライプ領域の埋込を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物を
用いた半導体レーザに関し、特に閾値電流が低く、横モ
ードが制御された埋め込み型半導体レーザおよびその製
造方法に関する。

【０００２】埋め込み型半導体レーザは、ダブルヘテロ
構造による縦モード制御が行なわれると同様に埋め込み
用半導体と活性層半導体との禁制帯幅差に基づく屈折率
差により横モード制御が行なわれる。また、同時に全て
の注入キャリアがレーザ発振に寄与するため、非常に低
い閾値電流と高い外部微分量子効率が得られる。この結
果、高出力領域まで縦横モードが単一化されて直線性の
高い電流−光出力特性曲線が得られる。

【０００３】したがって、アナログ変調時の高周波歪も
少なく、また、緩和振動も制御されており、大容量、高
速光通信用光源に最も適した半導体レーザと言われる。
特に活性層の両側を格子整合した半絶縁性半導体で埋め
込んだ構造は、横方向への洩れ電流を防止し、かつ高出
力領域迄長時間安定動作するために非常に有効である。

【０００４】

【従来の技術】このような半絶縁性半導体埋め込み型半
導体レーザは、従来図２、図３に示した如き典型的方法
によって製造されていた。すなわち、図２はｐ型領域へ
の通電極をコンタクト層経由で行なう方法（従来技術
Ｉ）であり、図３はｐ型領域への通電極を拡散層経由で
行なう方法（従来技術ＩＩ）である。以下、図を用いて
説明する。

【０００５】従来技術Ｉにおいては、まず図２（Ａ）に
示すように、ｎ型基板２１、たとえばｎ−ＩｎＰの（１
００）基板面上にｎ−ＩｎＰからなるｎ型クラッド層２
２、ｉ−ＧａＩｎＡｓＰからなる１．５５μｍ発振用活
性層２３、ｐ−ＩｎＰからなるｐ型クラッド層２４、ｐ
⁺ −ＧａＩｎＡｓからなるコンタクト層２５をこの順序
でエピタキシャル成長させ、ｐ−コンタクト層２５表面
に所定の幅を有する誘電体ストライプマスク２６を堆
積、パターニングで形成する。

【０００６】次に、図２（Ｂ）に示すように、誘電体ス
トライプマスク２６の下に位置するｎ型クラッド層２２
の一部、活性層２３、ｐ型クラッド層２４およびｐ型コ
ンタクト２５を含むストライプ領域を残してｎ型クラッ
ド層２２領域まで誘電体ストライプマスク２６をマスク
として用いた異方性エッチングでメサエッチングし、続
いて等方性エッチングを行なってメサの幅を減少させ、
誘電体ストライプマスク２６にひさし２７を形成する。

【０００７】次に、図２（Ｃ）に示すように、誘電体ス
トライプマスク２６を選択成長用マスクとして利用し、
前記エッチングによって形成したメサストライプ領域
を、たとえばＦｅドープＩｎＰからなる半絶縁性半導体
領域２８によって埋め込む。

【０００８】図示していないが、その後、誘電体ストラ
イプマスク２６を除去後、ｐ型コンタクト層２５上にｐ
側電極を、また基板２１裏面にｎ側電極を設ける。図３
は、従来技術ＩＩを示す。図３（Ａ）に示すように、た
とえばｎ−ＩｎＰの（１００）面基板からなるｎ型基板
２１上に、ｎ−ＩｎＰからなるｎ型クラッド層２２、ｉ
−ＧａＩｎＡｓＰからなる活性層２３およびｐ−ＩｎＰ
からなるｐ型クラッド層２４をこの順序でエピタキシャ
ル成長させた後、ｐ型クラッド層２４表面に所定の幅の
誘電体ストライプマスク２６を堆積、パターニングによ
って形成する。

【０００９】図３（Ｂ）に示すように、誘電体ストライ
プマスク２６の下に位置するｎ型クラッド層２２の一
部、活性層２３およびｐ型クラッド層２４を含むストラ
イプ領域を残してｎ−クラッド層２２領域まで誘電体ス
トライプマスク２６をマスクとして用いた異方性エッチ
ングにより、メサエッチング後、誘電体ストライプマス
ク２６を除去する。

【００１０】次に、図３（Ｃ）に示すように、たとえ
ば、ＦｅドープＩｎＰからなる半絶縁性半導体領域２８
を全面上に成長し、ｐ型クラッド層２４表面も覆ってメ
サエッチングした領域を埋め込む。

【００１１】次に、図３（Ｄ）に示すように、ｐ型クラ
ッド層２４上方の半絶縁性半導体領域２８表面に、ｐ型
クラッド層２４領域より広い開口部を有する誘電体マス
ク３０を形成した後、当該マスク開口部よりたとえばＺ
ｎのようなｐ型不純物を拡散させて拡散領域２９がｐ型
クラッド層２４に達するようにする。

【００１２】その後、図示していないが、誘電体マスク
３０を除去後、拡散層表面にｐ側電極を、また基板２１
裏面にｎ側電極を設ける。従来技術Ｉ、ＩＩのいずれに
おいても、活性層２３は縦方向、すなわち通電方向にお
いて広い禁制帯幅をもつクラッド層２２、２４で挟まれ
たダブルヘテロ構造となっている。このため、レーザ発
振時に縦モードが単一基本モードに制御さる。また、活
性層２３は横方向において広い禁制帯幅をもつ半絶縁性
半導体領域２８で挟まれているため横モードも基本モー
ドに制御されている。

【００１３】また、埋め込み層である半導体領域２８が
半絶縁性であるため、横方向への洩れ電流がほとんどな
く非常に低い閾値で発振するという利点をもっている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図２に示した
従来技術Ｉの製造工程においては、図２（Ｂ）のメサエ
ッチング工程でエッチングによって形成した誘電体スト
ライプマスク２６とメサストライプ領域側面とで作られ
るひさし２７の幅を適当な値に制御する必要があった。

【００１５】ひさし２７がない場合は、次の埋め込み成
長工程でマスク２６の上面にまわり込み成長が起き、ま
たひさし２７の幅が広すぎるとコンタクト層２５側面が
充分埋め込まれないためである。反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）等のドライエッチングは微細な精度でエッ
チング幅や深さを制御することができるが、切り口がエ
ッチングの深さ方向にシャープカットとなるのでひさし
２７を得ることは困難である。

【００１６】したがって、図２（Ｂ）に示すようなひさ
し２７を形成するメサエッチングを行うには、一旦誘電
体ストライプマスク２６の幅でドライエッチングを行っ
た後、次に化合物半導体のみを選択的にエッチングする
ウェットエッチングを行なう必要があった。この結果、
エッチング幅や深さ、端面状態の制御性、再現性が低下
するという欠点が生じる。

【００１７】一方、図３に示した従来技術ＩＩの製造工
程においては、半絶縁性半導体領域２８による埋め込み
成長後のｐ型不純物拡散によるｐ型領域形成（図３
（Ｄ）の工程）で、半絶縁性半導体２８の拡散領域２９
がクラッド層化されるため、ｐ型クラッド層全体の抵抗
値が高くなるという問題が発生する。本例ではｎ型基板
を用いて従来技術を説明しているが、ｐ型基板を用いた
場合は当該拡散領域はｎ型となり、ｎ型クラッド層全体
の高抵抗化が問題になる。

【００１８】さらに、図３の従来技術ＩＩの場合、半絶
縁性埋め込み領域２８上部をｐ型化する拡散工程は高温
で行なわれるため、微細構造の活性層２３において界面
で相互拡散を生じ、発振特性の劣化を引き起こすという
危険がある。特に、活性層２３が量子井戸構造を有する
場合、特性劣化の危険性はより大きくなる。

【００１９】本発明の目的は、制御性、再現性にすぐれ
た方法で活性層２３を含むメサストライプ領域を埋め込
み、その後高温プロセスを導入することなく特性に優れ
た半絶縁性半導体埋め込み型半導体レーザを得ることに
ある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】図１は、本発明の原理説
明図である。図１（Ａ）に示すように、従来技術Ｉの場
合同様、半導体基板３１の特定面上に第１クラッド層３
２、活性層３３、第２クラッド層３４およびコンタクト
層３５をこの順序でエピタキシャル成長後、誘電体スト
ライプマスクを形成し、このマスクを利用して第１クラ
ッド層３２の一部、活性層３３、第２クラッド層３４お
よびコンタクト層３５を含むメサストライプ領域４０を
エッチングにより形成し、その後、誘電体ストライプマ
スクを除去する。

【００２１】次に、メサストライプ領域４０の両側の第
１クラッド層３２の露出面にメサストライプ領域４０に
平行な選択成長用ストライプマスク３６ａ、３６ｂを形
成する。

【００２２】本発明の好ましい形態においては、マスク
３６ａ、３６ｂは、酸化物、窒化物等の誘電体からな
る。しかる後、図１（Ｂ）で示すように、半絶縁性半導
体３７によるメサストライプ領域４０の完全埋め込み工
程を行なう。

【００２３】この場合、成長条件を適当に選択すると、
マスク３６ａ、３６ｂ間の第１クラッド領域３２上に堆
積する半絶縁性半導体領域３７の側面が成長速度（した
がってエッチング速度）の遅い低指数結晶面（平坦なフ
ァセット）で構成されるようにして、メサストライプ領
域４０を埋め込むことができる。ここで、コンタクト層
３５の上方の半絶縁性半導体領域３７表面は通常荒れて
いる。

【００２４】本発明のより好ましい形態においては、半
導体基板３１の（１００）面を用いた場合、半絶縁性半
導体３７の低指数ファセット面は（１１１）Ｂまたは
（１１１）Ａ面となる。

【００２５】さらに、次の工程では、図１（Ｃ）に示す
ように、半絶縁性半導体領域３７をエッチングしてコン
タクト層３５表面を露出する。好ましくはコンタクト層
３５はエッチングされず、半絶縁性半導体領域３７のみ
がエッチングされるエッチ液を用いてコンタクト層３５
表面が露呈するまで、異方性エッチングを行なう。

【００２６】このウェットエッチングでは、成長速度の
遅いファセット面のエッチング速度をこれ以外の面のエ
ッチング速度より遅く選ぶことができる。このため、図
１（Ｃ）に示す如くコンタクト層３５表面が露呈しても
メサストライプ領域４０側面は半絶縁性半導体３７で被
われたままである。しかる後、コンタクト層３５表面お
よび基板３１裏面に電極を形成すれば、半導体レーザが
完成する。

【００２７】本発明の好ましい形態においては、半導体
基板３１、半絶縁性半導体領域３７をＩｎＰとし、上記
した異方性エッチ液はＨＣｌを主成分とするものであ
る。また、本発明の別の好ましい形態においては、Ｃｌ
系ガスを主成分として異方性ドライエッチングを行なう
ことも可能である。

【００２８】

【作用】図１（Ａ）、（Ｂ）で示したように、メサスト
ライプ形成後、選択成長用ストライプマスク３６ａ、３
６ｂで領域指定を行なった箇所に、成長速度の遅い低指
数自然面（ファセット）を側面に有する半絶縁性半導体
領域３７を堆積してメサストライプ領域の埋め込みを行
なう。次いで好ましくはエッチングが上方から進むよう
な条件設定を行なってコンタクト層３５を露呈させる。

【００２９】コンタクト層３５がエッチングされないエ
ッチングの場合は、オーバーエッチングしてもコンタク
ト層３５がエッチングされないため、マスクの役割を果
たしてエッチングの自動停止が生ずる。

【００３０】このように、結晶の成長における面速度の
違いという自然法則を利用して所定位置のみへ埋め込み
層を形成し、その後必要な埋め込み領域を残したままコ
ンタクト層を露出し、コンタクト層へ電極形成すること
を可能にしている。

【００３１】この結果、従来技術で必要であった、メサ
ストライプ領域最上層でのひさし形成用サイドエッチン
グという不安定なプロセスや不純物拡散という高温プロ
セスが不要となった。

【００３２】さらに、予め選択成長用ストライプマスク
３６ａ、３６ｂを用いて単一素子毎に埋め込み領域を形
成しているので、電極形成後に素子間分離メサエッチン
グを行なうプロセスを省くことができる。

【００３３】以下、実施例に沿って本発明をより詳しく
述べる。

【００３４】

【実施例】図４、図５は本発明の実施例による埋め込み
型半導体レーザの製造工程を示す。

【００３５】図４ａ（Ａ）においては、ｎ型ＩｎＰ基板
１の（１００）面上にＭＯＣＶＤ法を用いて厚さ１μ
ｍ、キャリア濃度１０¹⁸ｃｍ^-3のｎ型ＩｎＰクラッド層
２、厚さ０．１μｍのアンドープｉ型Ｇａ_0.42Ｉｎ_0.58
Ａｓ_0.9 Ｐ_0.1 （λｇ＝１．５５μｍ）活性層３、厚さ
２μｍ、キャリア濃度１０¹⁸ｃｍ^-3のｐ型ＩｎＰクラッ
ド層４、厚さ０．２μｍ、キャリア濃度１０¹⁹ｃｍ^-3の
ｐ⁺ 型Ｇａ_0.47Ｉｎ_0.53Ａｓコンタクト層５をこの順序
でエピタキシャル成長させる。その後、幅１．２μｍの
ＳｉＯ₂ ストライプマスク１２を＜０１１＞方向に長く
フォトリソグラフィの技術を用いてコンタクト層５上に
形成する。

【００３６】図４（Ｂ）において、前記ＳｉＯ₂ ストラ
イプマスク１２をエッチングマスクとし、Ｃ₂ Ｈ₆ ガス
を用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により深さ
３μｍのメサエッチングを行ない、ｎ型ＩｎＰクラッド
層２の一部、活性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４および
ｐ⁺ コンタクト層５を含む＜０１１＞方向のメサストラ
イプ領域１１を得る。その後、ＳｉＯ₂ ストライプマス
ク１２を除去する。

【００３７】図４（Ｃ）において、メサストライプ領域
１１を挟み各メサストライプ領域１１端より５μｍ離れ
た位置のｎ型ＩｎＰクラッド層２露出面上に、幅３μｍ
のＳｉＯ₂ からなる選択成長用ストライプマスク６ａ、
６ｂを＜０１１＞方向に形成する。この工程にもフォト
リソグラフィが利用される。この結果、メサストライプ
領域１１中心より各ストライプマスク６ａ、６ｂ中心ま
での距離は７．１μｍとなる。

【００３８】図５（Ａ）において、圧力７６Ｔｏｒｒ、
Ｖ／ＩＩＩ供給モル比１００／２０の減圧ＭＯＶＰＥ法
を用いて６２０℃でＦｅを約１０¹⁶ａｔｏｍ／ｃｍ³ ド
ープした半絶縁性ＩｎＰ領域７を選択成長用ストライプ
マスク６ａ、６ｂ間に堆積する。

【００３９】この条件下では半絶縁性ＩｎＰ領域７の成
長側面に平坦な（１１１）Ｂ面が形成され、図示したよ
うにテーパ状成長断面をもつ結晶によってｎ型ＩｎＰク
ラッド層２露出面と、メサストライプ領域１１側面と、
ｐ⁺ 型コンタクト層５上面が埋め込まれる。

【００４０】図５（Ｂ）において、好ましくはＨＣｌ系
エッチ液（ＨＣｌ、ＨＣｌ＋Ｈ₂ Ｏ、ＨＣｌ＋Ｈ₃ ＰＯ
₄ 、ＨＣｌ＋ＣＨ₃ ＣＯＯＨ等）を用いてＦｅドープ半
絶縁性ＩｎＰ領域７を異方性エッチングし、ｐ⁺ 型コン
タクト層５表面を露呈させる。

【００４１】このエッチ液はＩｎＰに対して有効である
がＧａＩｎＡｓはエッチングせず、また、ＩｎＰの（１
１１）Ｂ面に対するエッチング速度が非常に遅いという
特性をもつ。

【００４２】それ故、図示したようにＦｅドープ半絶縁
性ＩｎＰ領域７のエッチングは成長面上方より進行して
ＧａＩｎＡｓコンタクト層５表面で自動停止するが、こ
の時、側面エッチングは僅少である。

【００４３】図５（Ｃ）において、メサストライプ領域
を覆い、上記異方性エッチングにより露呈したｐ⁺ 型Ｇ
ａＩｎＡｓコンタクト層５表面および隣接する半絶縁性
ＩｎＰ領域７表面に開口部を有するＳｉＯ₂ 保護膜８を
フォトリソグラフィを利用して形成する。

【００４４】しかる後、ｐ⁺ 型コンタクト層５に対する
ＴｉＰｔ／Ａｕ複合電極を前記開口部に、またｎ型Ｉｎ
Ｐ基板１に対するＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ複合電極を基板１
裏面に形成する。この結果、隣接素子間分離の行なわれ
た埋め込み型半導体レーザ構造が完成する。その後、成
長層ごと半導体基板をへき開して共振器構造を形成す
る。

【００４５】なお、上述した実施例では活性層３として
ＧａＩｎＡｓＰ単一組成を用いたが、より高機能の半導
体レーザを得る目的で活性層材料にＳＣＨ構造を含むＧ
ａＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓＰ量子井戸構造やＧａＩｎＡ
ｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓ量子井戸構造を用いることもでき
る。また、ＭＯＶＰＥの他、分子線成長（ＭＢＥ）、ガ
スソースＭＢＥ等の他の結晶成長法を用いることもでき
る。

【００４６】また、図４（Ｂ）に示したメサストライプ
領域１１の形成工程では、ＲＩＥ以外の他のドライエッ
チングまたはウェットエッチングを用いることも可能で
あり、エッチング用あるいは選択成長用マスク材料はＳ
ｉＯ₂ 以外にも周知の誘電体材料、たとえばＳｉＮ_x や
選択作用を用いる金属等を用いることもできる。

【００４７】さらに、図４（Ｂ）に示したメサ領域の形
成方向は＜０１１＞以外に＜０１−１＞を用いることも
できる。この場合、選択成長用ストライプマスク６ａ、
６ｂ間に堆積する半絶縁性ＩｎＰ領域側面に現れる低指
数自然面は（１１１）Ａ面となる。ＨＣｌ系エッチ液の
エッチング速度は、（１１１）Ａ面においてもまた遅
い。

【００４８】図５（Ｂ）における異方性エッチングは、
ＨＣｌ系エッチング液によるウェットエッチングの例を
述べてきたが、これをＣｌ系ガスによるドライエッチン
グ等に切り替えることも可能である。

【００４９】また、本実施例では長距離光通信用光源を
念頭において１．５５μｍ発振のＧａＩｎＡｓＰを活性
層材料とするＩｎＰ系レーザについて述べた。しかし、
本発明はこれにとどまらず、ＧａＡｓを活性層とするＧ
ａＡｌＡｓ系レーザ等にも適用できることは言うまでも
ない。この他にも種々の変更、改良、組み合わせ等が可
能なことは当業者に自明であろう。

【００５０】

【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば、製
造工程における制御性の優れた半導体レーザ装置が得ら
れる。半絶縁性半導体によるメサストライプ領域埋め込
み工程において、再現性よく異常成長をおこさない制御
された結晶成長が可能である。

【００５１】また、埋め込み工程後に高温プロセスを用
いることなく、コンタクト層に電極形成することができ
る。活性層の組成分布や不純物分布の変化が少なく、特
性劣化の危険が小さい。

【００５２】さらに、埋め込み工程で選択成長用ストラ
イプマスクによる素子間分離が同時にできる。従来行な
われていた埋め込み工程後の分離プロセスを不要とする
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理説明図である。図１（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、主要な製造工程に対応する
断面図を示す。

【図２】従来技術による半絶縁性半導体による埋め込み
工程で誘電体マスクを使用する製造工程（従来技術Ｉ）
を示す。

【図３】従来技術によるマスクレスで埋め込み成長後、
拡散マスクを用いてコンタクト層を形成する製造工程
（従来技術ＩＩ）を示す。

【図４】実施例による製造工程を示す。図４（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）は埋め込み型半導体レーザを製造する主
要工程を示す断面図である。

【図５】図４で示した製造工程に続く製造工程を示す断
面図である。

【符号の説明】

１ ｎ型ＩｎＰ基板 ２ ｎ型ＩｎＰクラッド層 ３ ｉ型ＧａＩｎＡｓＰ活性層 ４ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ５ ｐ⁺ 型ＧａＩｎＡｓコンタクト層 ６ａ、６ｂ 選択成長用ストライプマスク ７ Ｆｅドープ半絶縁性ＩｎＰ埋め込み領域 ８ 保護誘電体層（ＳｉＯ₂ ） ９ ｐ⁺ 型コンタクト層用電極（ＴｉＰｔ／Ａｕ） １０ 基板用電極（ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ） １１ メサストライプ領域 １２ ストライプマスク（ＳｉＯ₂ ） ２１ ｎ型基板 ２２ ｎ型クラッド層 ２３ 活性層 ２４ ｐ型クラッド層 ２５ ｐ型コンタクト層 ２６ 誘電体ストライプマスク ２７ ひさし ２８ 半絶縁性半導体領域 ２９ 拡散領域 ３０ 拡散用マスク ３１ 半導体基板 ３２ 第１クラッド層 ３３ 活性層 ３４ 第２クラッド層 ３５ コンタクト層 ３６ａ、３６ｂ 選択成長用ストライプマスク ３７ 半絶縁性半導体領域 ４０ メサストライプ領域

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板（３１）上に基板と同一の導
   電型を有する下側クラッド層（３２）、活性層（３
   ３）、基板と反対導電型を有する上側クラッド層（３
   ４）および上側クラッド層（３４）と同一導電型を有す
   るコンタクト層（３５）をこの順序でエピタキシャル積
   層してなるダブルヘテロ接合半導体レーザにおいて、 下側クラッド層（３２）の少なくとも一部、活性層（３
   ３）、上側クラッド層（３４）およびコンタクト層（３
   ５）を含んで形成されたメサストライプ領域（４０）
   と、 当該メサストライプ領域（４０）の両側の非ストライプ
   領域上に当該メサストライプ領域（４０）と平行に形成
   された二本の選択成長用ストライプマスク（３６ａ、３
   ６ｂ）と、 当該ストライプマスク（３６ａ、３６ｂ）の間に選択的
   に配置され、上記メサストライプ領域（４０）側面を埋
   め込み、低指数結晶面の側面を有するテーパ状半絶縁性
   半導体領域（３７）とを含む埋め込み型半導体レーザ。
2. 【請求項２】 半導体基板（３１）の特定面上に第１ク
   ラッド層（３２）、活性層（３３）、第２クラッド層
   （３４）、コンタクト層（３５）をこの順序でヘテロエ
   ピタキシャル成長させた後、コンタクト層（３５）表面
   に選択エッチングを行なうためのストライプマスクを形
   成する工程と、 当該ストライプマスクをエッチングマスクとして少なく
   とも第１クラッド層（３２）の一部に達するエッチング
   を行ない、メサストライプ領域（４０）を形成した後、
   前記ストライプマスクを除去する工程と、 当該メサストライプ領域（４０）を挟み当該メサストラ
   イプ領域（４０）から距離をおいた非ストライプ領域上
   に、当該メサストライプ領域（４０）と平行に二本の選
   択成長用ストライプマスク（３６ａ、３６ｂ）を形成す
   る工程と、 当該二本のストライプマスク（３６ａ、３６ｂ）の間の
   半導体表面上に、成長側面に低指数結晶面が現れるよう
   な条件下で活性層（３３）より低い屈折率を有する半絶
   縁性半導体領域（３７）を成長し、メサストライプ領域
   （４０）を完全に埋め込む工程と、 半絶縁性半導体領域（３７）をエッチングし、コンタク
   ト層（３５）表面を露出させるエッチング工程とを含む
   埋め込み型半導体レーザの製造方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載の製造方法であって、前記
   半導体基板（３１）の材料がＩｎＰで、その特定面が
   （１００）であり、メサストライプ領域（４０）の長手
   方向が＜０１１＞または＜０１−１＞であり、半絶縁性
   半導体領域（３７）の低指数結晶面がＩｎＰの（１１
   １）Ｂ面または（１１１）Ａ面であり、コンタクト層
   （３５）表面を露呈するための選択エッチングがＨＣｌ
   を主成分とするエッチ液によるウェットエッチングであ
   る埋め込み型半導体レーザの製造方法。