JP2547001B2 - 半導体構造の製造方法 - Google Patents
半導体構造の製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体構造の製造方法に関する。特に、半導
体レーザ等の光学電子素子の製造に関する。
体レーザ等の光学電子素子の製造に関する。
ある種の光学電子素子は、半導体基板上にメサ構造が
設けられ、このメサ構造の両側に埋め込み層が設けられ
た中心構造をもつ。このような素子は、ミカミ他、「1.
5μm GaInP/InPベリイド・ヘテロストラクチャー・レー
ザ・ファブリケーテド・バイ・ハイブリッド・コンビネ
ーション・オブ・リキッド−・アンド・ベーパーフェー
ズ・エピタキシ」、エレクトロニクス・レターズ第18巻
第５号（1982年３月４日）第237頁ないし第239頁（O.Mi
kami et al,“1.5μm GaInP/InP Buried Heterostructu
re Lasers Fabricated by Hybrid Combination of Liqu
id− and Vapour−Phase Epitaxy",Electronics Letter
s,18（５）（4.3.82）pp 237−239）に説明されてい
る。ここで「メサ構造」とは、側面が急峻で上面が平坦
な直線状のストライプをいう。
設けられ、このメサ構造の両側に埋め込み層が設けられ
た中心構造をもつ。このような素子は、ミカミ他、「1.
5μm GaInP/InPベリイド・ヘテロストラクチャー・レー
ザ・ファブリケーテド・バイ・ハイブリッド・コンビネ
ーション・オブ・リキッド−・アンド・ベーパーフェー
ズ・エピタキシ」、エレクトロニクス・レターズ第18巻
第５号（1982年３月４日）第237頁ないし第239頁（O.Mi
kami et al,“1.5μm GaInP/InP Buried Heterostructu
re Lasers Fabricated by Hybrid Combination of Liqu
id− and Vapour−Phase Epitaxy",Electronics Letter
s,18（５）（4.3.82）pp 237−239）に説明されてい
る。ここで「メサ構造」とは、側面が急峻で上面が平坦
な直線状のストライプをいう。
このような素子は、電流が通過するpn接合（一般には
ｐからｎに流れる）と、光が閉じ込められる導波領域と
を備える。導波領域は「活性層」を含み、その内部で、
放射性再結合により電子と正孔とが結合して光子を発生
する。活性層のこのようなプロセスを適度に「閉じ込
め」るために、活性層は、そのバンドギャップおよび屈
折率が構造内の他の半導体領域に対して適当な関係にな
っている必要がある。導波領域の両側で向かい合ってこ
の導波領域に接している材料層は、「閉じ込め層」と呼
ばれている。
ｐからｎに流れる）と、光が閉じ込められる導波領域と
を備える。導波領域は「活性層」を含み、その内部で、
放射性再結合により電子と正孔とが結合して光子を発生
する。活性層のこのようなプロセスを適度に「閉じ込
め」るために、活性層は、そのバンドギャップおよび屈
折率が構造内の他の半導体領域に対して適当な関係にな
っている必要がある。導波領域の両側で向かい合ってこ
の導波領域に接している材料層は、「閉じ込め層」と呼
ばれている。
半導体光素子は、主に、光ファイバ通信システムの分
野で利用される。一般には、周期表のIII族およびＶ族
から選択された元素の材料により構成される。近年製造
されているシリカ光ファイバは、損失の極小値が1.3μ
ｍおよび1.55μｍの波長近傍にあり、1.55μｍの極小値
がより小さい。したがって、1.1ないし1.65μｍ、特に
1.3ないし1.6μｍの波長範囲で動作する素子が特に必要
である（これらの波長は、文脈から異なることが示され
る場合を除いてすべての波長がそうであるように、真空
中の波長である）。この赤外領域で動作する半導体レー
ザは、通常は、インジウム・リンInPおよび四元系材料
のインジウム・ガリウム・ヒ素リンInxGa1-xAsyP1-yの
領域を含む。ｘおよびｙの値を適切に選択することによ
り、種々の領域と格子定数を整合させることができ、こ
の一方で、材料のバンドギャップを変化させることがで
きる（バンドギャップは、例えばホトルミネッセンスに
より実験的に決定することができる）。さらに、インジ
ウム・リンおよび四元系材料には、必要に応じてｐまた
はｎ型になるように不純物を添加できる。
野で利用される。一般には、周期表のIII族およびＶ族
から選択された元素の材料により構成される。近年製造
されているシリカ光ファイバは、損失の極小値が1.3μ
ｍおよび1.55μｍの波長近傍にあり、1.55μｍの極小値
がより小さい。したがって、1.1ないし1.65μｍ、特に
1.3ないし1.6μｍの波長範囲で動作する素子が特に必要
である（これらの波長は、文脈から異なることが示され
る場合を除いてすべての波長がそうであるように、真空
中の波長である）。この赤外領域で動作する半導体レー
ザは、通常は、インジウム・リンInPおよび四元系材料
のインジウム・ガリウム・ヒ素リンInxGa1-xAsyP1-yの
領域を含む。ｘおよびｙの値を適切に選択することによ
り、種々の領域と格子定数を整合させることができ、こ
の一方で、材料のバンドギャップを変化させることがで
きる（バンドギャップは、例えばホトルミネッセンスに
より実験的に決定することができる）。さらに、インジ
ウム・リンおよび四元系材料には、必要に応じてｐまた
はｎ型になるように不純物を添加できる。
公知の素子のうち最上部にメサ構造が設けられた半導
体レーザについて説明すると、このような半導体レーザ
は、メサ構造内に活性層を有する。メサ構造の電極は、
基板のメサ構造から最も離れた端面に設けられる。必要
な「閉じ込め」は、鉛直方向には半導体材料の屈折率の
変化により光学的に提供され、水平方向には埋め込み層
により光学的および電気的に提供される。埋め込み層
は、電極間のすべての電流がメサ構造を通過し、したが
って活性層を通過するようにする。ひとつの形態とし
て、埋め込み層が、素子の使用時には電極間の電流を導
通しない半導体接合となるようにする。
体レーザについて説明すると、このような半導体レーザ
は、メサ構造内に活性層を有する。メサ構造の電極は、
基板のメサ構造から最も離れた端面に設けられる。必要
な「閉じ込め」は、鉛直方向には半導体材料の屈折率の
変化により光学的に提供され、水平方向には埋め込み層
により光学的および電気的に提供される。埋め込み層
は、電極間のすべての電流がメサ構造を通過し、したが
って活性層を通過するようにする。ひとつの形態とし
て、埋め込み層が、素子の使用時には電極間の電流を導
通しない半導体接合となるようにする。
電極間の半導体層がpn接合により構成され、埋め込み
層が、基板との組み合わせにより同じ方向にnpn接合を
構成する場合には、良好な電気的閉じ込めが達成され
る。使用時には、埋め込み層および基板は、双方向に、
逆バイアスとなる半導体接合を含む。この代わりに、埋
め込み層および基板が、一方向または双方向に多重に逆
バイアスされる半導体接合となる構造としてもよい。
層が、基板との組み合わせにより同じ方向にnpn接合を
構成する場合には、良好な電気的閉じ込めが達成され
る。使用時には、埋め込み層および基板は、双方向に、
逆バイアスとなる半導体接合を含む。この代わりに、埋
め込み層および基板が、一方向または双方向に多重に逆
バイアスされる半導体接合となる構造としてもよい。
他の形態として、埋め込み層が「半絶縁」材料、例え
ば鉄FeがドープされたInPを含むこともできる。このよ
うな材料は、例えばドープされていないInPに比較して
大きな抵抗を有する。この形態における埋め込み層は、
実質的に完全に電流の流れを防ぎ、低容量である利点が
ある。低容量であることにより素子の速度が増加する。
ば鉄FeがドープされたInPを含むこともできる。このよ
うな材料は、例えばドープされていないInPに比較して
大きな抵抗を有する。この形態における埋め込み層は、
実質的に完全に電流の流れを防ぎ、低容量である利点が
ある。低容量であることにより素子の速度が増加する。
従来は、このタイプの素子は、液相エピタキシ（LP
E）法により製造されていた。しかし、この技術は、溶
融体内での対流、埋め込み層の厚さの制御が不正確であ
ること、製造中のメサ構造が溶け出すこと等の問題があ
る。これらの問題により、特に、大きな領域での均一性
を保つことができず、この技術で大量生産を行うことは
容量ではない。
E）法により製造されていた。しかし、この技術は、溶
融体内での対流、埋め込み層の厚さの制御が不正確であ
ること、製造中のメサ構造が溶け出すこと等の問題があ
る。これらの問題により、特に、大きな領域での均一性
を保つことができず、この技術で大量生産を行うことは
容量ではない。
ミカミ他の論文には、抵抗性の埋め込み層を含む素子
の製造方法が開示されている。メサ構造を構成する層
は、InPおよび四元系の層を含み、LPEにより半導体ウェ
ハ上に成長し、窒化ケイ素Si3N4のマスク・ストライプ
の両側を化学エッチングすることよりメサ構造が形成さ
れる。埋め込み層は高抵抗のインジウム・リンInPで構
成され、メサ構造の両側に、気相エピタキシ（VPE）に
より成長させられる。VPE成長の段階ではSi3N4ストライ
プは残っており、メサ構造自身の表面における成長を防
ぎ、この後に除去される。
の製造方法が開示されている。メサ構造を構成する層
は、InPおよび四元系の層を含み、LPEにより半導体ウェ
ハ上に成長し、窒化ケイ素Si3N4のマスク・ストライプ
の両側を化学エッチングすることよりメサ構造が形成さ
れる。埋め込み層は高抵抗のインジウム・リンInPで構
成され、メサ構造の両側に、気相エピタキシ（VPE）に
より成長させられる。VPE成長の段階ではSi3N4ストライ
プは残っており、メサ構造自身の表面における成長を防
ぎ、この後に除去される。
ミカミ他により製造された二つのレーザの特性は、 1.（ｉ）活性層の厚さ0.2μｍ、 （ii）活性層の幅４μｍ、 （iii）パレスしきい電流が約85mA、 2.（ｉ）活性層の厚さ0.2μｍ、 （ii）活性層の幅10μｍ、 （iii）パレスしきい電流は約800mAないし500mA、 （iv）波長1.525μｍで単一縦モード出力 であると主張されている。
ミカミ他のLPE−VPEハイブリッド技術は、製造中にお
けるメサ構造からの溶け出しの問題を解決できるが、ま
だ欠点が残っている。LPE成長の工程を含むため大量生
産に適さず、埋め込み層内に大きな漏れ電流が観測さ
れ、Si3N4ストライプの幅が狭いときには、埋め込み層
が架橋してしまう傾向がある。
けるメサ構造からの溶け出しの問題を解決できるが、ま
だ欠点が残っている。LPE成長の工程を含むため大量生
産に適さず、埋め込み層内に大きな漏れ電流が観測さ
れ、Si3N4ストライプの幅が狭いときには、埋め込み層
が架橋してしまう傾向がある。
別の成膜技術として有機金属気相エピタキシ（MOVP
E）が公知であり、この技術は素子の大量生産に有望で
ある。この技術は、原子的なスケールでの界面の急激な
変化、正確な組成制御および大きな領域にわたる厚さお
よび組成の均一性という強く望まれている特徴を組み合
わせて提供する。
E）が公知であり、この技術は素子の大量生産に有望で
ある。この技術は、原子的なスケールでの界面の急激な
変化、正確な組成制御および大きな領域にわたる厚さお
よび組成の均一性という強く望まれている特徴を組み合
わせて提供する。
残念ながら、ミカミの技術におけるLPE・VPE成長工程
をMOVPE工程で単純に置き換えることの可能性は見出さ
れていない。これが可能ならば、埋め込み層の逆バイア
ス接合によりさらに電流閉じ込めの良好な構造を作るこ
とができ、さらに、大きな出力パワーが得られる。メサ
構造の層を成長させるためにMOVPEを使用できるが、ミ
カミの技術では、埋め込み層の連続的成長がVPEの成長
特性に依存する。ミカミの技術における化学エッチング
工程は、断面形状が特徴的なメサ構造を作り出す。MOVP
Eを使用し、そのようなメサ構造上に埋め込み層を成長
させると、埋め込み層が横に成長するのではなく、イン
ジウム・リンInPの「耳」が直立に成長してしまい、メ
サ構造の側面を連続的に被覆することができない。
をMOVPE工程で単純に置き換えることの可能性は見出さ
れていない。これが可能ならば、埋め込み層の逆バイア
ス接合によりさらに電流閉じ込めの良好な構造を作るこ
とができ、さらに、大きな出力パワーが得られる。メサ
構造の層を成長させるためにMOVPEを使用できるが、ミ
カミの技術では、埋め込み層の連続的成長がVPEの成長
特性に依存する。ミカミの技術における化学エッチング
工程は、断面形状が特徴的なメサ構造を作り出す。MOVP
Eを使用し、そのようなメサ構造上に埋め込み層を成長
させると、埋め込み層が横に成長するのではなく、イン
ジウム・リンInPの「耳」が直立に成長してしまい、メ
サ構造の側面を連続的に被覆することができない。
低圧「有機金属化学気相成長（LP−MOCVD）」エピタ
キシャル成長工程だけを用いて埋め込みメサ構造のレー
ザを製造する方法の概略が、「ベリイ・ロー・スレッシ
ョルド・ベリイド・リッジ・ストラクチャ・レーザズ・
エミッティング・アト1.3μｍグロウン・バイ・ロー・
プレッシャ・メタルオーガニック・ケミカル・ベイハ・
デポジッション」、エム・ラゼギ他、アプライド・フィ
ジクス・レターズ第46巻（２）（1985年１月15日）第13
1頁ないし第133頁（“Very Low Threshold Buried Ridg
e Structure Lasers Emitting at 1.3μm Grown by Low
Pressure Metalorganic Chemical Vapour Deposition"
by M.Razeghi et al,Applied Physics Letters,46
（２）（15.1.85）pages 131−133）に説明されている
（MOCVDはMOVPEの別な用語である）。この方法は、InP
基板上に、ｎ型にドープされたInP閉じ込め層と、ドー
プされていないGaAsInP活性層と、エッチング中に活性
層近傍に欠陥が生じることを防ぐためのｐ型にドープさ
れたInP層とを成長させる工程を含む。マスクを用いた
エッチングにより、活性層を小さくしてメサ構造に形成
する。マスクを除去した後に、メサ構造をｐ型にドープ
されたInP層およびｐ型にドープされたGaInAsキャップ
層で覆う。
キシャル成長工程だけを用いて埋め込みメサ構造のレー
ザを製造する方法の概略が、「ベリイ・ロー・スレッシ
ョルド・ベリイド・リッジ・ストラクチャ・レーザズ・
エミッティング・アト1.3μｍグロウン・バイ・ロー・
プレッシャ・メタルオーガニック・ケミカル・ベイハ・
デポジッション」、エム・ラゼギ他、アプライド・フィ
ジクス・レターズ第46巻（２）（1985年１月15日）第13
1頁ないし第133頁（“Very Low Threshold Buried Ridg
e Structure Lasers Emitting at 1.3μm Grown by Low
Pressure Metalorganic Chemical Vapour Deposition"
by M.Razeghi et al,Applied Physics Letters,46
（２）（15.1.85）pages 131−133）に説明されている
（MOCVDはMOVPEの別な用語である）。この方法は、InP
基板上に、ｎ型にドープされたInP閉じ込め層と、ドー
プされていないGaAsInP活性層と、エッチング中に活性
層近傍に欠陥が生じることを防ぐためのｐ型にドープさ
れたInP層とを成長させる工程を含む。マスクを用いた
エッチングにより、活性層を小さくしてメサ構造に形成
する。マスクを除去した後に、メサ構造をｐ型にドープ
されたInP層およびｐ型にドープされたGaInAsキャップ
層で覆う。
上述の方法では、すべての成長工程を低圧MOVPEによ
り実行するため、大量生産に有利である。さらに、ひと
つの成長技術だけを利用するので非常に便利である。し
かし、製造された素子は、活性領域の両側の大面積のpn
ヘテロ接合と、活性領域自身の比較的小さい領域を通過
するpnヘテロ接合との間に生じる本来的な電位差に依存
するか、または、さらに複雑な製造プロセスを含む。連
続発振動作で観測された最も小さいしきい電流が11mAで
あったことが述べられているが、269素子について測定
して得られた値は、17.9mA以上50.0mA以内の範囲で変化
した。これらの素子の44.6％はしきい電流が45mAを越え
ていた。さらに、光パワー放射はたった15mA程度であっ
た。
り実行するため、大量生産に有利である。さらに、ひと
つの成長技術だけを利用するので非常に便利である。し
かし、製造された素子は、活性領域の両側の大面積のpn
ヘテロ接合と、活性領域自身の比較的小さい領域を通過
するpnヘテロ接合との間に生じる本来的な電位差に依存
するか、または、さらに複雑な製造プロセスを含む。連
続発振動作で観測された最も小さいしきい電流が11mAで
あったことが述べられているが、269素子について測定
して得られた値は、17.9mA以上50.0mA以内の範囲で変化
した。これらの素子の44.6％はしきい電流が45mAを越え
ていた。さらに、光パワー放射はたった15mA程度であっ
た。
本発明の目的は、改善された半導体構造を提供し、そ
の製造方法を提供することである。
の製造方法を提供することである。
以下では、構造または素子の特定の方向を意味する
「上」等の用語を用いて構造および素子を説明する。こ
のような用語の使用は説明の便利ためであり、構造また
は素子の特定の方向を制限するものではない。
「上」等の用語を用いて構造および素子を説明する。こ
のような用語の使用は説明の便利ためであり、構造また
は素子の特定の方向を制限するものではない。
本発明は、半導体構造を製造する方法において、 〔ｉ〕インジウム・リンInPの最上層を含む半導体ウェ
ハ上に有機金属気相成長を抑制する成長抑制材料の層を
堆積させる工程と、 〔ii〕成長抑制材料を選択的にエッチングして、ウェハ
の〈110〉結晶方向に成長抑制材料のストライプを形成
する工程と、 〔iii〕ストライプの下に、実質的に窪みのない側面を
有するメサ構造を形成する工程と、 〔iv〕有機金属気相エピタキシにより埋め込み層を成長
させてメサ構造の側面を埋める工程と、 〔ｖ〕成長抑制材料のストライプを除去する工程と を含み、〔iv〕の工程の前に、600℃以上の温度で少な
くとも１分以上の時間にわたって、ホスフィンPH3の存
在下に初期半導体構造を保持する工程を含むことを特徴
とする。初期半導体構造を保持する工程は、700℃以下
の温度で行うことが望ましい。この工程の処理時間を３
分または５分以上にすることが望ましい。
ハ上に有機金属気相成長を抑制する成長抑制材料の層を
堆積させる工程と、 〔ii〕成長抑制材料を選択的にエッチングして、ウェハ
の〈110〉結晶方向に成長抑制材料のストライプを形成
する工程と、 〔iii〕ストライプの下に、実質的に窪みのない側面を
有するメサ構造を形成する工程と、 〔iv〕有機金属気相エピタキシにより埋め込み層を成長
させてメサ構造の側面を埋める工程と、 〔ｖ〕成長抑制材料のストライプを除去する工程と を含み、〔iv〕の工程の前に、600℃以上の温度で少な
くとも１分以上の時間にわたって、ホスフィンPH3の存
在下に初期半導体構造を保持する工程を含むことを特徴
とする。初期半導体構造を保持する工程は、700℃以下
の温度で行うことが望ましい。この工程の処理時間を３
分または５分以上にすることが望ましい。
この方法により、メサ構造の最上層がインジウム・リ
ンInPにより形成され、このメサ構造の側面が実質的に
窪みの無い形状、その側面は埋め込み層により埋め込ま
れ、これらの埋め込み層の最上面はメサ構造の最上面か
ら上方に伸びて朝顔状の溝を形成する構造の半導体構造
が得られる。この構造は、特にインジウム・リンInP系
の埋め込み型ヘテロ構造のレーザとしての利用に適す
る。
ンInPにより形成され、このメサ構造の側面が実質的に
窪みの無い形状、その側面は埋め込み層により埋め込ま
れ、これらの埋め込み層の最上面はメサ構造の最上面か
ら上方に伸びて朝顔状の溝を形成する構造の半導体構造
が得られる。この構造は、特にインジウム・リンInP系
の埋め込み型ヘテロ構造のレーザとしての利用に適す
る。
この半導体構造は、メサ構造の最上部の材料としてイ
ンジウム・リンInPを設けたままで、すべての成長工程
にMOVPEを使用して製造できる利点がある。インジウム
・リンInPは特に良好な光学的および電気的な閉じ込め
特性を示す。
ンジウム・リンInPを設けたままで、すべての成長工程
にMOVPEを使用して製造できる利点がある。インジウム
・リンInPは特に良好な光学的および電気的な閉じ込め
特性を示す。
MOVPEにより埋め込み層を成長させるために、メサ構
造の側面が実質的に窪んでいないことが重要である。特
に、メサ構造の最上層は、側面に〔111〕Ａ面が現れな
いことが望ましい。双方の側面のどの部分も、メサ構造
の最上面の幅の10％以上に側面から張り出す（オーバハ
ングとなる）べきではない。さらに望ましくは、どのよ
うなオーバハングもメサ構造の最上面の幅の５％以上に
なってはならず、または、オーバハングが無く、メサ構
造の側面が垂直または最上面に向かって細くなる形状で
なければならない。
造の側面が実質的に窪んでいないことが重要である。特
に、メサ構造の最上層は、側面に〔111〕Ａ面が現れな
いことが望ましい。双方の側面のどの部分も、メサ構造
の最上面の幅の10％以上に側面から張り出す（オーバハ
ングとなる）べきではない。さらに望ましくは、どのよ
うなオーバハングもメサ構造の最上面の幅の５％以上に
なってはならず、または、オーバハングが無く、メサ構
造の側面が垂直または最上面に向かって細くなる形状で
なければならない。
本発明の方法により初期半導体構造を製造することに
より、成長抑制材料のストライプを自己配置（セルフ・
アライン）により製造でき、メサ構造上の中央に配置す
ることができる。
より、成長抑制材料のストライプを自己配置（セルフ・
アライン）により製造でき、メサ構造上の中央に配置す
ることができる。
成長抑制材料としては、例えばシリカを用いる。
成長抑制材料は、その幅がメサ構造の最上面と幅と実
質的に等しいことが望ましい。これは、埋め込み層の成
長に有利である。例えば、ストライプは、その幅がメサ
構造の最上面の幅より0.4μｍ以上は広くないように、
またはメサ構造の最上面の幅より狭くする。
質的に等しいことが望ましい。これは、埋め込み層の成
長に有利である。例えば、ストライプは、その幅がメサ
構造の最上面の幅より0.4μｍ以上は広くないように、
またはメサ構造の最上面の幅より狭くする。
上述の〔ii〕および〔iii〕の構成を実行するには一
以上の方法がある。第一の方法は、 （ａ） 成長抑制材料の層の上にレジスト材料のマスク
を形成する工程と、 （ｂ） このマスクを用いて、このマスクがアンダカッ
トされるように成長抑制材料の層をエッチングする工程
と、 （ｃ） 上記マスクのアンダカットされた部分が落下し
て半導体ウェハに接するように、上記マスクのレジスト
材料を溶融再固化する工程と、 （ｄ） レジスト・マスクを用いて半導体ウェハの基板
をエッチングしてメサ構造を形成する工程と、 （ｅ） 上記レジスト材料のマスクを除去する工程と を含む 第二の方法は、 （ｆ） 成長抑制材料の層上にレジスト材料のマスクを
形成する工程と、 （ｇ） 上記成長抑制材料の層を上記レジスト材料のマ
スクにより選択的にエッチングして二層マスクを形成す
る工程と、 （ｈ） この二層マスクを用いて半導体ウェハをエッチ
ングしてメサ構造を形成する工程と、 （ｉ） 上記レジスト材料のマスクを除去する工程と を含み、〔ｉ〕の工程の前に、ウェハの最上面を酸化さ
せてこのウエハの最上面と有機金属成長抑制材料との間
に生じる界面の完全性を劣化させる。
以上の方法がある。第一の方法は、 （ａ） 成長抑制材料の層の上にレジスト材料のマスク
を形成する工程と、 （ｂ） このマスクを用いて、このマスクがアンダカッ
トされるように成長抑制材料の層をエッチングする工程
と、 （ｃ） 上記マスクのアンダカットされた部分が落下し
て半導体ウェハに接するように、上記マスクのレジスト
材料を溶融再固化する工程と、 （ｄ） レジスト・マスクを用いて半導体ウェハの基板
をエッチングしてメサ構造を形成する工程と、 （ｅ） 上記レジスト材料のマスクを除去する工程と を含む 第二の方法は、 （ｆ） 成長抑制材料の層上にレジスト材料のマスクを
形成する工程と、 （ｇ） 上記成長抑制材料の層を上記レジスト材料のマ
スクにより選択的にエッチングして二層マスクを形成す
る工程と、 （ｈ） この二層マスクを用いて半導体ウェハをエッチ
ングしてメサ構造を形成する工程と、 （ｉ） 上記レジスト材料のマスクを除去する工程と を含み、〔ｉ〕の工程の前に、ウェハの最上面を酸化さ
せてこのウエハの最上面と有機金属成長抑制材料との間
に生じる界面の完全性を劣化させる。
酸化は酸化性の気体または混合気体、例えば窒素N2と
酸素O2との混合気体をウェハの最上面上に流すことによ
り実行される。
酸素O2との混合気体をウェハの最上面上に流すことによ
り実行される。
本発明の特に重要な応用は、単一伝搬モードで動作す
るレーザの製造である。これらのレーザは、光通信シス
テムにおいて非常に重要である。このようなレーザを本
発明の方法により製造された半導体構造から製造でき、
メサ構造の最上面の幅を５μｍ以下に制限することがで
きる。
るレーザの製造である。これらのレーザは、光通信シス
テムにおいて非常に重要である。このようなレーザを本
発明の方法により製造された半導体構造から製造でき、
メサ構造の最上面の幅を５μｍ以下に制限することがで
きる。
本発明の実施例について、単一伝搬モードの半導体レ
ーザおよびその製造方法を例に、添付図面を参照して説
明する。
ーザおよびその製造方法を例に、添付図面を参照して説
明する。
第１図はデータの製造に使用するためのダブル・ヘテ
ロ構造ウェハを示す。
ロ構造ウェハを示す。
第2a図ないし第2f図は第１図のウェハから初期半導体
構造を製造する段階を示す。
構造を製造する段階を示す。
第3a図ないし第3f図は第１図のウェハから初期半導体
構造を製造する別の方法の段階を示す。
構造を製造する別の方法の段階を示す。
第４図は埋め込み層が成長した後の初期半導体構造を
含む半導体構造を示す。
含む半導体構造を示す。
第５図は被覆層で被覆された第４図の構造を示す。
第６図は完成したレーザを示す。
第７図は完成したレーザのバイアス電流に対する出力
パワーのグラフをmWで示す。
パワーのグラフをmWで示す。
第８図は完成したレーザの電流パルス変調に対するパ
ルス応答を示す。
ルス応答を示す。
第９図は複数のレーザについて測定したしきい電流の
度数分布を示す。
度数分布を示す。
上述の第１図ないし第６図はそれぞれ、ウェハの一部
だけを示し、その部分を使用するひとつのレーザだけの
製造の段階を示す。
だけを示し、その部分を使用するひとつのレーザだけの
製造の段階を示す。
第１図ないし第６図は寸法通りではない。どの図面も
断面を示しているが、明確のためにハッチングは省い
た。
断面を示しているが、明確のためにハッチングは省い
た。
第６図を参照すると、完成したレーザは、基板２上に
層状のメサ構造３、４、５を備える。メサ構造３、４、
５の側壁は、最上面15に向かって傾斜している。これら
の側壁は埋め込み層８、９により埋め込まれ、埋め込み
層９の最上面17はメサ構造の最上面15から上方向に伸び
て朝顔形の溝を形成する。
層状のメサ構造３、４、５を備える。メサ構造３、４、
５の側壁は、最上面15に向かって傾斜している。これら
の側壁は埋め込み層８、９により埋め込まれ、埋め込み
層９の最上面17はメサ構造の最上面15から上方向に伸び
て朝顔形の溝を形成する。
第１図を参照すると、レーザの製造の第一段階は、ダ
ブル・ヘテロ構造のウェハ１を製造することである。ベ
ース層２は、イオウＳがドープされた厚さ200μｍ、結
晶面が〔100〕のInP層であり、そのｎ型ドーピング・レ
ベルは約８×1018cm-3である。ベース層上には、以下の
三つの層３、４、５、すなわち、ほぼ２×1018cm-3のｎ
型にイオウＳがドープされた厚さ0.5μｍのInP層３、0.
14μｍのドープされていないGaInAsP層４、およびほぼ
５×1017cm-3のｐ型にカドミウムCdがドープされたInP
層５を成長させる。GaInAsP層４のバンドギャップは、
ホトルミネッセンスにより測定され、1.52μｍと等価で
ある。層３、４、５は格子が整合しており、通常の成長
条件でMOVPEにより成長させた。
ブル・ヘテロ構造のウェハ１を製造することである。ベ
ース層２は、イオウＳがドープされた厚さ200μｍ、結
晶面が〔100〕のInP層であり、そのｎ型ドーピング・レ
ベルは約８×1018cm-3である。ベース層上には、以下の
三つの層３、４、５、すなわち、ほぼ２×1018cm-3のｎ
型にイオウＳがドープされた厚さ0.5μｍのInP層３、0.
14μｍのドープされていないGaInAsP層４、およびほぼ
５×1017cm-3のｐ型にカドミウムCdがドープされたInP
層５を成長させる。GaInAsP層４のバンドギャップは、
ホトルミネッセンスにより測定され、1.52μｍと等価で
ある。層３、４、５は格子が整合しており、通常の成長
条件でMOVPEにより成長させた。
第2a図を参照すると、五番目の層６として二酸化ケイ
素SiO2の層を堆積させている。この層は、化学気相成長
（CVD）によるシランSiH4と酸素O2との混合気体の反応
により、100nmないし300nmの厚さに成長させている。こ
の成長は450℃で実施される。
素SiO2の層を堆積させている。この層は、化学気相成長
（CVD）によるシランSiH4と酸素O2との混合気体の反応
により、100nmないし300nmの厚さに成長させている。こ
の成長は450℃で実施される。
第2b図を参照すると、ウェイコートW43（Waycoat W4
3）とうネガ型ホトレジストを用いて、ウェハ１に対し
て〈110〉方向に伸びる幅５μｍのストライプを含むマ
スク７を形成する。マスク７を通常の方法により露光お
よび現像し、この後に、次の工程でレジストが持ち上が
らないように、150℃で45分間ベーキングする。
3）とうネガ型ホトレジストを用いて、ウェハ１に対し
て〈110〉方向に伸びる幅５μｍのストライプを含むマ
スク７を形成する。マスク７を通常の方法により露光お
よび現像し、この後に、次の工程でレジストが持ち上が
らないように、150℃で45分間ベーキングする。
第2c図を参照すると、マスク７を用いて、秒読み「サ
イロクス・エッチング（silox etch）」により、二酸化
ケイ素SiO2（シリカ）をエッチングする。エッチングは
等方的であり、アンダカットと深さとの比が1:1にアン
ダカットされる。マスク７は透明であり、顕微鏡により
周期的に観測することによりマスク７の下に残っている
シリカの量を決定することができ、シリカ・ストライプ
16が１μｍ幅になるまでエッチングを続ける。このエッ
チング剤によりシリカだけがエッチングされ、下の層は
影響を受けない。エッチング直後に、標本をデシケータ
内に10℃で少なくとも半日間置き、アンダカットされた
レジストの下に閉じ込められた水を除去する。これを実
施せずに水が残った場合には、次の処理段階の後にレジ
ストの端部が不均一になる。
イロクス・エッチング（silox etch）」により、二酸化
ケイ素SiO2（シリカ）をエッチングする。エッチングは
等方的であり、アンダカットと深さとの比が1:1にアン
ダカットされる。マスク７は透明であり、顕微鏡により
周期的に観測することによりマスク７の下に残っている
シリカの量を決定することができ、シリカ・ストライプ
16が１μｍ幅になるまでエッチングを続ける。このエッ
チング剤によりシリカだけがエッチングされ、下の層は
影響を受けない。エッチング直後に、標本をデシケータ
内に10℃で少なくとも半日間置き、アンダカットされた
レジストの下に閉じ込められた水を除去する。これを実
施せずに水が残った場合には、次の処理段階の後にレジ
ストの端部が不均一になる。
第2d図を参照すると、１μｍ幅のシリカ・ストライプ
16を密封するため、この標本を150℃で５分間加熱す
る。これによりホトレジスト・マスク７のストライプが
軟化して流れ、アンダカットの部分が半導体表面上に落
下し、SiO2ストライプ16を密封し、実効的なマスク幅を
約５μｍに戻す。
16を密封するため、この標本を150℃で５分間加熱す
る。これによりホトレジスト・マスク７のストライプが
軟化して流れ、アンダカットの部分が半導体表面上に落
下し、SiO2ストライプ16を密封し、実効的なマスク幅を
約５μｍに戻す。
第2e図を参照すると、次の段階では、溶融再固化した
ホトレジストをマスク７′として用いて、メサ構造のエ
ッチングを行う。ウェハ基板の四元系層がメサ構造内の
活性層を形成する。メサ構造の側部を滑らかにする必要
がある。こうすると、継続する成長の信頼性および再現
性を増大させることができる。さらに、滑らかな側部に
より、完成後のレーザの性能が改善される。メサ構造の
側部を滑らかにするために、活性層を含むダブル・ヘテ
ロ構造ウェハの異なる層２、３、４、５を、実質的に等
しい速度でエッチングするエッチング剤を用いるべきで
ある。本方法では、20℃のメタノールに臭素を0.2％溶
解させたものを用いるが、他のエンチング剤、例えば酢
酸に臭素を溶解させたものを使用することもできる。こ
れにより、活性層４の高さの肩状部が比較的小さいメサ
構造が形成される。
ホトレジストをマスク７′として用いて、メサ構造のエ
ッチングを行う。ウェハ基板の四元系層がメサ構造内の
活性層を形成する。メサ構造の側部を滑らかにする必要
がある。こうすると、継続する成長の信頼性および再現
性を増大させることができる。さらに、滑らかな側部に
より、完成後のレーザの性能が改善される。メサ構造の
側部を滑らかにするために、活性層を含むダブル・ヘテ
ロ構造ウェハの異なる層２、３、４、５を、実質的に等
しい速度でエッチングするエッチング剤を用いるべきで
ある。本方法では、20℃のメタノールに臭素を0.2％溶
解させたものを用いるが、他のエンチング剤、例えば酢
酸に臭素を溶解させたものを使用することもできる。こ
れにより、活性層４の高さの肩状部が比較的小さいメサ
構造が形成される。
エッチング中にホトレジスト・マスク７′がアンダカ
ットされ、その量を再び顕微鏡を使用して監視する。メ
サ構造の最上面15が幅1.2μｍないし1.5μｍの範囲にな
るまでエッチングを続ける。この寸法範囲は、完成した
レーザの正しい動作のために必要である。
ットされ、その量を再び顕微鏡を使用して監視する。メ
サ構造の最上面15が幅1.2μｍないし1.5μｍの範囲にな
るまでエッチングを続ける。この寸法範囲は、完成した
レーザの正しい動作のために必要である。
SiO2のストライプ16およびメサ構造の寸法は変更する
ことができるが、望ましは、信頼性のために、SiO2のス
トライプ16の幅は、メサ構造の最上面15の幅と1.4μｍ
を越えて異なるべきではない。
ことができるが、望ましは、信頼性のために、SiO2のス
トライプ16の幅は、メサ構造の最上面15の幅と1.4μｍ
を越えて異なるべきではない。
メサ構造のエッチングにレジスト・マスク７′を使用
すると、シリカ・マスクとは対照的に、レジスト・マス
ク７′がウェハの材料に強く発着するわけではないの
で、傾斜したメサ構造が形成されると考えられる。シリ
カ・マスクを使用した場合には、側面が大きく窪んだメ
サ構造が形成される傾向がある。上記のホトレジスト材
料以外のレジスト材料でも満足できるだろう。ただし、
シリカ・ストライプ16を密封するために、加熱または他
の方法により、レジスト・マスク７の材料を溶融再固化
できなければならない。
すると、シリカ・マスクとは対照的に、レジスト・マス
ク７′がウェハの材料に強く発着するわけではないの
で、傾斜したメサ構造が形成されると考えられる。シリ
カ・マスクを使用した場合には、側面が大きく窪んだメ
サ構造が形成される傾向がある。上記のホトレジスト材
料以外のレジスト材料でも満足できるだろう。ただし、
シリカ・ストライプ16を密封するために、加熱または他
の方法により、レジスト・マスク７の材料を溶融再固化
できなければならない。
第2f図を参照すると、メサ構造をエッチングした後
に、ホトレジスト・マスク７′を除去する。この除去
は、インダスト・リ・ケム・ラボラトリ製レジスト・ス
トリップJ100（Indust−Ri−Chem Labresist strip J10
0）およびメタノールを用いて行い、シリカ・ストライ
プ16をそのまま残す。次にこの標本を硫酸H2SO4を用い
て洗浄し、イオンを除去した水でリンスし、送風乾燥さ
せた。この段階の標本を初期半導体構造と呼び、この上
に埋め込み層を成長させる。初期半導体構造はメサ構造
が設けられた基板であり、メサ構造上の中央にシリカの
ストライプ16が設けられている。
に、ホトレジスト・マスク７′を除去する。この除去
は、インダスト・リ・ケム・ラボラトリ製レジスト・ス
トリップJ100（Indust−Ri−Chem Labresist strip J10
0）およびメタノールを用いて行い、シリカ・ストライ
プ16をそのまま残す。次にこの標本を硫酸H2SO4を用い
て洗浄し、イオンを除去した水でリンスし、送風乾燥さ
せた。この段階の標本を初期半導体構造と呼び、この上
に埋め込み層を成長させる。初期半導体構造はメサ構造
が設けられた基板であり、メサ構造上の中央にシリカの
ストライプ16が設けられている。
第3a図ないし第3f図を参照すると、初期半導体構造を
製造する他の方法として、再び第１図に示したダブル・
ヘテロ構造のウェハ１から開始する。この第二の方法で
は、最初の段階にウェハの最上面を酸化し、この後に成
長抑制材料のシリカとの間に生じる界面を無効にする。
製造する他の方法として、再び第１図に示したダブル・
ヘテロ構造のウェハ１から開始する。この第二の方法で
は、最初の段階にウェハの最上面を酸化し、この後に成
長抑制材料のシリカとの間に生じる界面を無効にする。
表面を酸化させるために、ウェハ１上に数分間、一般
には10分以下の間、窒素および酸素の混合気体を流す。
１部の酸素O2に窒素N2を約５部混合した気体が適してい
るが、気体を流す時間および混合比は相互に依存し、そ
の組み合わせは一般に実験により定められる。例えば、
酸素O2の比率が非常に小さいときに有効であるかもしれ
ない。
には10分以下の間、窒素および酸素の混合気体を流す。
１部の酸素O2に窒素N2を約５部混合した気体が適してい
るが、気体を流す時間および混合比は相互に依存し、そ
の組み合わせは一般に実験により定められる。例えば、
酸素O2の比率が非常に小さいときに有効であるかもしれ
ない。
第3a図を参照すると、標本に影響しないように、ウェ
ハ１の酸化された最上面に直接に0.27μｍのシリカ６を
堆積させる。
ハ１の酸化された最上面に直接に0.27μｍのシリカ６を
堆積させる。
第3b図を参照すると、ウェイコートのネガ型ホトレジ
ストを再び用いて、ウェハ１に対して〈110〉方向に伸
びるストライプを含むマスク７を形成する。この場合に
は、ストライプの幅は５μｍ以下、例えば４ないし4.5
μｍとし、メサの深さが1.5μｍになるようにする。こ
の後に、シリカ層６のエッチングに先立って、上述した
ようにマスクをベーキングする。
ストを再び用いて、ウェハ１に対して〈110〉方向に伸
びるストライプを含むマスク７を形成する。この場合に
は、ストライプの幅は５μｍ以下、例えば４ないし4.5
μｍとし、メサの深さが1.5μｍになるようにする。こ
の後に、シリカ層６のエッチングに先立って、上述した
ようにマスクをベーキングする。
第3c図を参照すると、マスク７を用いてシリカ層をエ
ッチングし、二層マスク16、７を形成する。
ッチングし、二層マスク16、７を形成する。
第3d図を参照すると、この段階で、上述したように臭
素brの２％メタノール溶液を用いてエッチングする。エ
ッチングは、所望の深さが得られるように、あらかじめ
選択された時間にわたり実行する。この結果、メサ構造
が二層マスク16、７を保持し、マスクがメサ構造の側面
に張り出す（オーバハングとなる）。
素brの２％メタノール溶液を用いてエッチングする。エ
ッチングは、所望の深さが得られるように、あらかじめ
選択された時間にわたり実行する。この結果、メサ構造
が二層マスク16、７を保持し、マスクがメサ構造の側面
に張り出す（オーバハングとなる）。
張り出したシリカによりレーザ製造の後の段階で困難
が生じるので、これを除去する。最初に、レジスト・マ
スク７がシリカ・ストライプ16に密着するように標本を
再びベークするが、レジスト・マスク７のプロフファイ
ルには特別の変化はない。この後に、張り出したシリカ
をこのシリカが表面に出ている下側からエッチングする
に十分な時間にわたり、標本を緩衝剤が添加されたフッ
化水素HFに浸す。
が生じるので、これを除去する。最初に、レジスト・マ
スク７がシリカ・ストライプ16に密着するように標本を
再びベークするが、レジスト・マスク７のプロフファイ
ルには特別の変化はない。この後に、張り出したシリカ
をこのシリカが表面に出ている下側からエッチングする
に十分な時間にわたり、標本を緩衝剤が添加されたフッ
化水素HFに浸す。
第3e図を参照すると、上述のようにして張り出したシ
リカをエッチングすることにより、シリカ・ストライプ
16の幅をメサ構造の最上面15の幅よりわずかに狭くす
る。ストライプ16の側面は、レジスト・マスク７に向か
って外側に傾斜している。この傾斜の特徴は、レジスト
・マスク７をシリカ・ストライプ16に密着させる再ベー
キングの結果であり、この後に埋め込み層を成長させる
ときに有利である。
リカをエッチングすることにより、シリカ・ストライプ
16の幅をメサ構造の最上面15の幅よりわずかに狭くす
る。ストライプ16の側面は、レジスト・マスク７に向か
って外側に傾斜している。この傾斜の特徴は、レジスト
・マスク７をシリカ・ストライプ16に密着させる再ベー
キングの結果であり、この後に埋め込み層を成長させる
ときに有利である。
第3f図を参照すると、張り出したシリカをエッチング
した後に、インダスト・リケム・ラボラトリ製レジスト
・ストリップJ100およびメタノールを用いてレジスタ・
マスク７を除去する。これにより、上部にシリカのスト
ライプ16が設けられたメサ構造が残り、エッチング端の
部分には、メサ構造の最上面15が少し表面に現れてい
る。
した後に、インダスト・リケム・ラボラトリ製レジスト
・ストリップJ100およびメタノールを用いてレジスタ・
マスク７を除去する。これにより、上部にシリカのスト
ライプ16が設けられたメサ構造が残り、エッチング端の
部分には、メサ構造の最上面15が少し表面に現れてい
る。
比較的浅いメサ構造をエッチングするような異なる条
件では、シリカ・ストライプ16はメサ構造からそれほど
張り出しておらず、張り出した材料を除去するための上
述のエッチング工程は必要ない場合もある。シリカ・ス
トライプ16がメサ構造から少し張り出している場合で
も、埋め込み層８、９を適切に成長させることができる
ことがわかった。すなわちシリカ・ストライプ16は、埋
め込み層８、９を成長させるときに、メサ構造の近傍の
空隙を拡大させることがない。実際上には、シリカ・ス
トライプ16の幅を0.4μｍ以下にするか、またはメサ構
造の最上面15の幅より狭くするべきである。
件では、シリカ・ストライプ16はメサ構造からそれほど
張り出しておらず、張り出した材料を除去するための上
述のエッチング工程は必要ない場合もある。シリカ・ス
トライプ16がメサ構造から少し張り出している場合で
も、埋め込み層８、９を適切に成長させることができる
ことがわかった。すなわちシリカ・ストライプ16は、埋
め込み層８、９を成長させるときに、メサ構造の近傍の
空隙を拡大させることがない。実際上には、シリカ・ス
トライプ16の幅を0.4μｍ以下にするか、またはメサ構
造の最上面15の幅より狭くするべきである。
初期半導体構造を作成する上述した二つの方法、すな
わち第2a図ないし第2f図および第3a図ないし第3f図とそ
れぞれ参照して説明した方法のどちらでも傾斜したメサ
構造が得られるが、メサ構造の側壁が実質的に窪んでい
ないことだけが必要である。例えば側面のどの部分も、
メサ構造の最上面15の幅の10％以上にオーバハングとな
ってはいけない。望ましくは、どのオーバハングもメサ
構造の最上面15の幅の５％以上になってはいけない。メ
サ構造の側壁がオーバハングとなっている場合には、そ
の後のMOVPE工程において、満足な埋め込み層を成長さ
せることができない。
わち第2a図ないし第2f図および第3a図ないし第3f図とそ
れぞれ参照して説明した方法のどちらでも傾斜したメサ
構造が得られるが、メサ構造の側壁が実質的に窪んでい
ないことだけが必要である。例えば側面のどの部分も、
メサ構造の最上面15の幅の10％以上にオーバハングとな
ってはいけない。望ましくは、どのオーバハングもメサ
構造の最上面15の幅の５％以上になってはいけない。メ
サ構造の側壁がオーバハングとなっている場合には、そ
の後のMOVPE工程において、満足な埋め込み層を成長さ
せることができない。
第４図を参照すると、初期半導体構造上に、埋め込み
層８、９、すなわち、ほぼ５×1017cm-3にカドミウムCd
がドープされた0.4μｍの厚さのｐ型InP層８と、ほぼ１
×1017cm-3にイオウＳがドープされた0.8μｍの厚さの
ｎ型InP層９とを二段階に成長させる。成長条件は通常
のMOVPEと同じであるが、成長を開始する前に、標本を
ホスフィンPH3の存在下で650℃で５秒間加熱する。この
処理は、１μｍ程度の幅でもMOVPE成長抑制材料となる
シリカの作用を増大させるためのものである。
層８、９、すなわち、ほぼ５×1017cm-3にカドミウムCd
がドープされた0.4μｍの厚さのｐ型InP層８と、ほぼ１
×1017cm-3にイオウＳがドープされた0.8μｍの厚さの
ｎ型InP層９とを二段階に成長させる。成長条件は通常
のMOVPEと同じであるが、成長を開始する前に、標本を
ホスフィンPH3の存在下で650℃で５秒間加熱する。この
処理は、１μｍ程度の幅でもMOVPE成長抑制材料となる
シリカの作用を増大させるためのものである。
ホスフィンPH3の存在下で標本を加熱する時間は、そ
の条件により変化することに注意すべきである。例え
ば、ホスフィンPH3の濃度が増加した場合には、時間を
３分、さらには１分に減らす。
の条件により変化することに注意すべきである。例え
ば、ホスフィンPH3の濃度が増加した場合には、時間を
３分、さらには１分に減らす。
得られた層８、９は、第４図に示すように、第一の層
８がメサ構造の高さに達するように成長し、第二の層９
が、メサ構造の最上面15のむきだしの部分に、シリカ・
ストライプ16に隣接して成長する。しかし、これが重要
であるが、ホスフィンPH3の存在下でシリカ・ストライ
プ16を処理したので、第二の層９がメサ構造を覆うこと
はなく、ストライプ16の両側に外側に傾斜した端面17が
形成され、Ｖ型溝の底にストライプ16がむきだしのまま
残される。
８がメサ構造の高さに達するように成長し、第二の層９
が、メサ構造の最上面15のむきだしの部分に、シリカ・
ストライプ16に隣接して成長する。しかし、これが重要
であるが、ホスフィンPH3の存在下でシリカ・ストライ
プ16を処理したので、第二の層９がメサ構造を覆うこと
はなく、ストライプ16の両側に外側に傾斜した端面17が
形成され、Ｖ型溝の底にストライプ16がむきだしのまま
残される。
シリカ・ストライプ16は、埋め込み層８、９の形成時
に、その表面上のすべての成長を完全に防ぐわけではな
いが、第二の埋め込み層９が朝顔状の溝を形成する量に
対して、シリカ・ストライプ16を次の工程で取り除くこ
とができる程度の量である。
に、その表面上のすべての成長を完全に防ぐわけではな
いが、第二の埋め込み層９が朝顔状の溝を形成する量に
対して、シリカ・ストライプ16を次の工程で取り除くこ
とができる程度の量である。
第５図を参照すると、埋め込み層８、９が完成したと
きに、シリカ・ストライプ16を除去し、二つのエピタキ
シャル層、すなわち被覆層10、11を成長させる。シリカ
・ストライプ16は、フッ化水素HFの40％水溶液内で除去
され、二つの被覆層10、11は、それ以前のエピタキシャ
ル層と同様に、MOVPEにより成長する。このときにも通
常の正常条件で実行する。被覆層10、11は、ほぼ２×10
18cm-3にカドミウムCdがドープされた１μｍの厚さのｐ
型InP層10と、ほぼ４×1019cm-3に亜鉛Znがドープされ
た0.15μｍの厚さのｐ型GaInAs層11とを含む。
きに、シリカ・ストライプ16を除去し、二つのエピタキ
シャル層、すなわち被覆層10、11を成長させる。シリカ
・ストライプ16は、フッ化水素HFの40％水溶液内で除去
され、二つの被覆層10、11は、それ以前のエピタキシャ
ル層と同様に、MOVPEにより成長する。このときにも通
常の正常条件で実行する。被覆層10、11は、ほぼ２×10
18cm-3にカドミウムCdがドープされた１μｍの厚さのｐ
型InP層10と、ほぼ４×1019cm-3に亜鉛Znがドープされ
た0.15μｍの厚さのｐ型GaInAs層11とを含む。
第５図に示されているように、被覆層10、11は、その
最上面が、メサ構造およびその隣接する埋め込み層８、
９の領域で平坦な面20となっている。この平坦な面20の
幅は、メサ構造の活性層の幅の３倍以上になっている
（平坦な面20は、一般には上述した方法により形成され
るが、必ずしもこの方法により形成する必要はない）。
最上面が、メサ構造およびその隣接する埋め込み層８、
９の領域で平坦な面20となっている。この平坦な面20の
幅は、メサ構造の活性層の幅の３倍以上になっている
（平坦な面20は、一般には上述した方法により形成され
るが、必ずしもこの方法により形成する必要はない）。
第６図を参照すると、最終的なレーザ構造は、メサ構
造の上のシリカ層12に電極窓18を設け、この窓18とレー
ザの反対側の面とに電極13、14、19を設ける通常の工程
により完成する。窓18に設けられた電極13、14は、スパ
ッタリングにより形成され、Ptバリヤ層を含むTiAuトン
ネリング・ショットキイ電極であり、この一方でレーザ
の反対側の面の電極19は、スパッタリングにより形成さ
れたTi−Au合金電極である。
造の上のシリカ層12に電極窓18を設け、この窓18とレー
ザの反対側の面とに電極13、14、19を設ける通常の工程
により完成する。窓18に設けられた電極13、14は、スパ
ッタリングにより形成され、Ptバリヤ層を含むTiAuトン
ネリング・ショットキイ電極であり、この一方でレーザ
の反対側の面の電極19は、スパッタリングにより形成さ
れたTi−Au合金電極である。
この最終的なレーザ構造は、窓18の電極13、14にヒー
トシンク（図示せず）をろう付けすることにより、この
ヒートシンク上に取り付けられる。表面20が平坦である
ことから、ろう材の必要量は、電極窓18により形成され
た段差を埋める程度でよい。このようにして、ヒートシ
ンクをメサ構造の半導体材料に近接させることができ
る。
トシンク（図示せず）をろう付けすることにより、この
ヒートシンク上に取り付けられる。表面20が平坦である
ことから、ろう材の必要量は、電極窓18により形成され
た段差を埋める程度でよい。このようにして、ヒートシ
ンクをメサ構造の半導体材料に近接させることができ
る。
以上の方法により製造されたレーザの典型的動作特性
の例を第７図に示す。連続発振動作では、20℃において
15mAのしきい電流が得られ、28mWの出力パワーが得られ
た。パルス発振動作では、39mWの出力パワーが得られ
た。
の例を第７図に示す。連続発振動作では、20℃において
15mAのしきい電流が得られ、28mWの出力パワーが得られ
た。パルス発振動作では、39mWの出力パワーが得られ
た。
上述の方法により製造されたレーザをさらに試験した
ところ、上述のしきい値に矛盾しない６Ωを微分抵抗が
測定され、注入電流が埋め込み層８、９を流れることに
よる損失を無視できることが示された。これは、埋め込
み層８、９のpn接合の位置および完全性が良好であるこ
とを直接に証明する。しきい電流の温度依存性は、発振
波長1.5μｍのInGaPレーザに典型的な50Kの温度におけ
るTo値により特徴付けられ、測定されたこのレーザの外
部量子効率は20％であった。接合面と直交する方向に38
゜、平行方向に32゜の円形に近い遠視野像が得られ、本
発明の方法が導波路の大きさを正確に制御できることを
反映している。
ところ、上述のしきい値に矛盾しない６Ωを微分抵抗が
測定され、注入電流が埋め込み層８、９を流れることに
よる損失を無視できることが示された。これは、埋め込
み層８、９のpn接合の位置および完全性が良好であるこ
とを直接に証明する。しきい電流の温度依存性は、発振
波長1.5μｍのInGaPレーザに典型的な50Kの温度におけ
るTo値により特徴付けられ、測定されたこのレーザの外
部量子効率は20％であった。接合面と直交する方向に38
゜、平行方向に32゜の円形に近い遠視野像が得られ、本
発明の方法が導波路の大きさを正確に制御できることを
反映している。
テクトロニクス社製S6サンプリング・ヘッドを使用し
て、速度測定を行った。第８図に示すように、20mAにバ
イアスし、20mAの電流で変調された素子のパルス応答
は、立ち上がり（10％）および立ち下がり（90％）時間
は、それぞれ750ピコ秒および１ナノ秒であった。これ
は、少なくとも565メガビット／秒の装置が可能である
ことを示す。
て、速度測定を行った。第８図に示すように、20mAにバ
イアスし、20mAの電流で変調された素子のパルス応答
は、立ち上がり（10％）および立ち下がり（90％）時間
は、それぞれ750ピコ秒および１ナノ秒であった。これ
は、少なくとも565メガビット／秒の装置が可能である
ことを示す。
本発明の方法を単一のレーザを製造する場合を参照し
て説明したが、実際の製造時には、ダブルヘテロ構造の
共通のウェハを用いて複数のレーザを製造することがで
きる。この方法による大面積化の可能性を研究するため
に、レーザのメサ構造が200μｍの周期で並列に間隔を
あけて設けられたウェハの4cm2の領域から、ランダムに
105個のレーザを選択した。個々のレーザは、劈開およ
びスクライビングにより得られ、素子の典型的な寸法は
幅200μｍ、長さ400μｍであった。81個のレーザが動作
した。これらの81個の動作レーザについて、しきい電流
I0の度数分布を第９図に示す。動作する素子の70％以
上、すなわち105個の標本総数の54％以上は、そのしき
い電流が30mA以下であり、本方法の大規模均一性が明白
である。
て説明したが、実際の製造時には、ダブルヘテロ構造の
共通のウェハを用いて複数のレーザを製造することがで
きる。この方法による大面積化の可能性を研究するため
に、レーザのメサ構造が200μｍの周期で並列に間隔を
あけて設けられたウェハの4cm2の領域から、ランダムに
105個のレーザを選択した。個々のレーザは、劈開およ
びスクライビングにより得られ、素子の典型的な寸法は
幅200μｍ、長さ400μｍであった。81個のレーザが動作
した。これらの81個の動作レーザについて、しきい電流
I0の度数分布を第９図に示す。動作する素子の70％以
上、すなわち105個の標本総数の54％以上は、そのしき
い電流が30mA以下であり、本方法の大規模均一性が明白
である。
以上の説明ではレーザの一つの構造についてのみ説明
した。他の構造でも有効であるものもあり、例えば、種
々の層の厚さを変化させることもできる。特に、最初の
埋め込み層をより浅く成長させることにより、埋め込み
層内のpn接合の位置をメサ構造内のpn接合に近づけるこ
とができる。これは、現実には再現性を得ることが困難
となるが、活性層に対してより有効な電気的閉じ込めを
行うことができる。さらに、層数をより少なくまたは多
く設けることもでき、例えば、活性層の上および下に四
元系層を付加し、分布帰還格子を設けることができる。
付加した層を用いて、埋め込み層内に第二のpn接合を設
けることもできる。
した。他の構造でも有効であるものもあり、例えば、種
々の層の厚さを変化させることもできる。特に、最初の
埋め込み層をより浅く成長させることにより、埋め込み
層内のpn接合の位置をメサ構造内のpn接合に近づけるこ
とができる。これは、現実には再現性を得ることが困難
となるが、活性層に対してより有効な電気的閉じ込めを
行うことができる。さらに、層数をより少なくまたは多
く設けることもでき、例えば、活性層の上および下に四
元系層を付加し、分布帰還格子を設けることができる。
付加した層を用いて、埋め込み層内に第二のpn接合を設
けることもできる。
本発明の方法は、特に、メサ構造の最上面内に簡単に
波型を設けることができるので、分布帰還レーザの製造
に利用して特に便利である。
波型を設けることができるので、分布帰還レーザの製造
に利用して特に便利である。
本発明の方法を用いて光検出器、光導波路等の素子を
製造することができ、本発明の方法は半導体レーザの製
造に限定されるものではない。
製造することができ、本発明の方法は半導体レーザの製
造に限定されるものではない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デブリン ジョン・ダブリュー 英国アイピー２ ９エスエクス・イプス ウィッチ・ローワンヘイズクローズ15番 地 (72)発明者 レントン チャールズ・ジー・ディー 英国アイピー23 ７エイチゼッド・サフ ォーク・アイ・クランレイグランジ（番 地なし) (56)参考文献 特開 昭58−157188（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−62180（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−52080（ＪＰ，Ａ)
Claims (11)
- 【請求項１】〔ｉ〕インジウム・リンInPの最上層
（５）を含む半導体ウェハ（１）上に有機金属気相成長
を抑制する成長抑制材料の層（６）を堆積させる工程
と、 〔ii〕上記成長抑制材料を選択的にエッチングして上記
ウェハ（１）の〈110〉結晶方向に上記成長抑制材料の
ストライプ（16）を形成する工程と、 〔iii〕上記ストライプ（16）の下に、実質的に窪みの
ない側面を有するメサ構造を形成する工程と、 〔iv〕有機金属気相エピタキシにより埋め込み層（８、
９）を成長させて上記メサ構造の側面を埋める工程と、 〔ｖ〕上記成長抑制材料のストライプ（16）を除去する
工程と を含み、 前記〔iv〕の工程の前に、600℃以上の温度で少なくと
も１分以上の時間にわたって、ホスフィンPH3の存在下
に初期半導体構造を保持する工程を含む 半導体構造の製造方法。 - 【請求項２】前記初期半導体構造を保持する工程は700
℃以下の温度で行う請求項１記載の半導体構造の製造方
法。 - 【請求項３】成長抑制材料のストライプ（16）は、その
幅がメサ構造の最上面（15）の幅と実質的に等しい請求
の範囲第１項または第２項に記載の半導体構造の製造方
法。 - 【請求項４】成長抑制材料のストライプ（16）は、その
幅がメサ構造の最上面（15）の幅より0.4μｍ以上には
広くなく、またはメサ構造の最上面（15）の幅より狭い
請求の範囲第３項に記載の半導体構造の製造方法。 - 【請求項５】前記初期半導体構造を保持する工程を少な
くとも３分にわたり行う請求の範囲第１項または第２項
に記載の半導体構造の製造方法。 - 【請求項６】前記初期半導体構造を保持する工程を少な
くとも５分にわたり行う請求の範囲第１項または第２項
に記載の半導体構造の製造方法。 - 【請求項７】〔ii〕および〔iii〕の工程は、 （ａ） 成長抑制材料の層（６）の上にレジスト材料の
マスク（７）を形成する工程と、 （ｂ） このマスク（７）を用いてこのマスク（７）が
アンダカットされるように上記成長抑制材料の層（６）
をエッチングする工程と、 （ｃ） 上記マスク（７）のアンダカットされた部分が
落下して半導体ウェハに接するように、上記マスク
（７）のレジスト材料を溶融再固化する工程と、 （ｄ） マスク（７′）を用いて半導体ウェハ（１）の
基板をエッチングしてメサ構造を形成する工程と、 （ｅ） 上記レジスト材料のマスク（７′）を除去する
工程と を含む 請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の半導
体構造の製造方法。 - 【請求項８】〔ii〕および〔iii〕の工程は、 （ｆ） 成長抑制材料の層（16）上にレジスト材料のマ
スク（７）を形成する工程と、 （ｇ） 上記成長抑制材料の層（16）を上記レジスト材
料のマスク（７）により選択的にエッチングして二層マ
スク（16、７）を形成する工程と、 （ｈ） この二層マスク（16、７）を用いて半導体ウェ
ハ（１）をエッチングしてメサ構造を形成する工程と、 （ｉ） 上記レジスト材料のマスク（７）を除去する工
程と を含み、 〔ｉ〕の工程の前に、ウェハ（１）の最上面を酸化させ
てこのウエハ（１）の最上面と有機金属成長抑制材料と
の間に生じる界面の完全性を劣化させる 請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに記載の半導
体構造の製造方法。 - 【請求項９】酸化は酸化性の気体または混合気体をウェ
ハ基板（１）上に流すことにより行われる請求の範囲第
８に記載の半導体構造の製造方法。 - 【請求項１０】酸化性の気体または混合気体は窒素N2と
酸素O2との混合気体を含む請求の範囲第９項に記載の半
導体構造の製造方法。 - 【請求項１１】製造される半導体構造は埋め込み型ヘテ
ロ構造のレーザである請求の範囲第１項ないし第10項の
いずれかに記載の半導体構造の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8516853 | 1985-07-03 | ||
| GB858516853A GB8516853D0 (en) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | Manufacture of semiconductor structures |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33601895A Division JP2935415B2 (ja) | 1985-07-03 | 1995-11-29 | 半導体構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63500279A JPS63500279A (ja) | 1988-01-28 |
| JP2547001B2 true JP2547001B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=10581741
Family Applications (2)
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