JPH05102607A - 埋込み構造半導体レーザの製造方法 - Google Patents
埋込み構造半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH05102607A JPH05102607A JP3285470A JP28547091A JPH05102607A JP H05102607 A JPH05102607 A JP H05102607A JP 3285470 A JP3285470 A JP 3285470A JP 28547091 A JP28547091 A JP 28547091A JP H05102607 A JPH05102607 A JP H05102607A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 メサ構造埋込み成長時にＳｅなどのVI族ドー
パントを用いた高濃度ｎ形ＩｎＰを使用することによ
り、ｎ形ＩｎＰ層がメサ構造上部に成長しない条件を実
現し、選択マスクの無いメサ構造を用いた１回の有機金
属気相成長法による埋込み長によって高性能な半導体レ
ーザを製作する。 【構成】 ｎ形ＩｎＰ半導体基板１ａ上ｎ形ＩｎＰバッ
ファ層１ｂが形成されている基板上に有機金属気相成長
法により活性層２，ｐ形ＩｎＰクラッド層３を堆積す
る。そしてこの基板表面をストライプ状にマスクし、そ
のクラッド層３，活性層３，バッファ層１ｂを選択的に
エッチングしメサ構造を形成する。しかる後メサ構造上
面のマスクを除去し、その基板全面に有機金属気相成長
法によりｐ形ＩｎＰ電流ブロック層５，Ｓｅドーパント
ｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層６，ｐ形ＩｎＰクラッド層７
とｐ形キャップ層８を順次堆積する。
パントを用いた高濃度ｎ形ＩｎＰを使用することによ
り、ｎ形ＩｎＰ層がメサ構造上部に成長しない条件を実
現し、選択マスクの無いメサ構造を用いた１回の有機金
属気相成長法による埋込み長によって高性能な半導体レ
ーザを製作する。 【構成】 ｎ形ＩｎＰ半導体基板１ａ上ｎ形ＩｎＰバッ
ファ層１ｂが形成されている基板上に有機金属気相成長
法により活性層２，ｐ形ＩｎＰクラッド層３を堆積す
る。そしてこの基板表面をストライプ状にマスクし、そ
のクラッド層３，活性層３，バッファ層１ｂを選択的に
エッチングしメサ構造を形成する。しかる後メサ構造上
面のマスクを除去し、その基板全面に有機金属気相成長
法によりｐ形ＩｎＰ電流ブロック層５，Ｓｅドーパント
ｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層６，ｐ形ＩｎＰクラッド層７
とｐ形キャップ層８を順次堆積する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機金属気相成長法を
用いた埋込み構造半導体レーザの製造方法に関するもの
である。
用いた埋込み構造半導体レーザの製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】埋込み構造半導体レーザを製作する場
合、活性領域を含んだメサ構造を埋め込む工程が必要で
ある。この工程を有機金属気相成長法を用いて行う場
合、有機金属気相成長法が非平衡輸送律則であるために
メサ両端に異常成長が発生し、メサ構造を平坦に埋め込
むことが困難であった。
合、活性領域を含んだメサ構造を埋め込む工程が必要で
ある。この工程を有機金属気相成長法を用いて行う場
合、有機金属気相成長法が非平衡輸送律則であるために
メサ両端に異常成長が発生し、メサ構造を平坦に埋め込
むことが困難であった。
【０００３】そのため従来技術においては、図３に示す
ように高さを低く（ｈ＜１μｍ）抑えたメサ構造を用
い、２回の埋込み成長を行うことにより埋込み構造レー
ザ素子を製作したり、また図４に示すように、メサ高の
高いメサ構造を用いたいときはメサ上部の選択マスク１
４に庇を形成してメサ両端の成長を抑えるメサ構造を用
いて埋込み成長を行いレーザ構造を製作したりしてい
た。なお、図３及び図４において、１１ａはｎ形ＩｎＰ
基板、１１ｂはこの基板１１ａ上のＳｅドープｎ形Ｉｎ
Ｐバッファ層、１２はアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性
層、１３はｐ形ＩｎＰクラッド層、１４は選択マスクを
形成するＳｉＯ2 膜である。また、１５はｐ形ＩｎＰ電
流ブロック層、１６はｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層、１７
はｐ形ＩｎＰオーバークラッド層、１８はｐ形ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層である。
ように高さを低く（ｈ＜１μｍ）抑えたメサ構造を用
い、２回の埋込み成長を行うことにより埋込み構造レー
ザ素子を製作したり、また図４に示すように、メサ高の
高いメサ構造を用いたいときはメサ上部の選択マスク１
４に庇を形成してメサ両端の成長を抑えるメサ構造を用
いて埋込み成長を行いレーザ構造を製作したりしてい
た。なお、図３及び図４において、１１ａはｎ形ＩｎＰ
基板、１１ｂはこの基板１１ａ上のＳｅドープｎ形Ｉｎ
Ｐバッファ層、１２はアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性
層、１３はｐ形ＩｎＰクラッド層、１４は選択マスクを
形成するＳｉＯ2 膜である。また、１５はｐ形ＩｎＰ電
流ブロック層、１６はｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層、１７
はｐ形ＩｎＰオーバークラッド層、１８はｐ形ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述した従来技
術では、高さを低く抑えたメサ構造を用いた場合（図
３）、ｐ形ＩｎＰ電流ブロック層５，ｎ形ＩｎＰ電流閉
じ込め層６からなる埋込み層でｐ−ｎ逆バイアスにより
十分な電流ブロックを行うためには１．５〜２．０μｍ
程度の膜厚が必要であり、図３に示すようにメサ両端の
埋込み層が大きく盛り上がる（１．０μｍ以上）ことに
なる。そのため、２回目の埋込み成長で基板全面に成長
を行って素子表面の平坦化を行うことが困難であり、そ
の後の電極分離，素子間分離の工程に支障をきたすこと
になる。
術では、高さを低く抑えたメサ構造を用いた場合（図
３）、ｐ形ＩｎＰ電流ブロック層５，ｎ形ＩｎＰ電流閉
じ込め層６からなる埋込み層でｐ−ｎ逆バイアスにより
十分な電流ブロックを行うためには１．５〜２．０μｍ
程度の膜厚が必要であり、図３に示すようにメサ両端の
埋込み層が大きく盛り上がる（１．０μｍ以上）ことに
なる。そのため、２回目の埋込み成長で基板全面に成長
を行って素子表面の平坦化を行うことが困難であり、そ
の後の電極分離，素子間分離の工程に支障をきたすこと
になる。
【０００５】また、庇付き選択マスクを用いる場合は
（図４）、メサ構造形成にウェットエッチングを用いる
必要があり、メサ形状の制御性という点で問題があっ
た。そのため、レーザ特性の均一性，制御性の低下，レ
ーザ製作の歩留まりの低下の原因になっていた。
（図４）、メサ構造形成にウェットエッチングを用いる
必要があり、メサ形状の制御性という点で問題があっ
た。そのため、レーザ特性の均一性，制御性の低下，レ
ーザ製作の歩留まりの低下の原因になっていた。
【０００６】本発明は以上の点に鑑み、上記のような課
題を解決するためになされたもので、その目的は、メサ
構造埋込み成長時にVI族のドーパントを用いた高濃度ｎ
形ＩｎＰを使用することにより、ｎ形ＩｎＰ層がメサ構
造上部に成長しない条件を実現し、選択マスクの無いメ
サ構造を用いた１回の有機金属気相成長法による埋込み
成長によって高性能な半導体レーザが製作できる製造方
法を提供することにある。
題を解決するためになされたもので、その目的は、メサ
構造埋込み成長時にVI族のドーパントを用いた高濃度ｎ
形ＩｎＰを使用することにより、ｎ形ＩｎＰ層がメサ構
造上部に成長しない条件を実現し、選択マスクの無いメ
サ構造を用いた１回の有機金属気相成長法による埋込み
成長によって高性能な半導体レーザが製作できる製造方
法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明は、有機金属気相成長法を用いたメサ構造埋込
み工程においてｎ形ＩｎＰ埋込み層にＳｅなどのVI族ド
ーパントを用い、このVI族ドーパント高濃度ドーピング
ｎ形ＩｎＰに特徴的な（１００）微小領域の成長抑制機
構を利用して、メサ構造を選択マスク無しに埋め込むこ
とを最も主要な特徴とするものである。
め本発明は、有機金属気相成長法を用いたメサ構造埋込
み工程においてｎ形ＩｎＰ埋込み層にＳｅなどのVI族ド
ーパントを用い、このVI族ドーパント高濃度ドーピング
ｎ形ＩｎＰに特徴的な（１００）微小領域の成長抑制機
構を利用して、メサ構造を選択マスク無しに埋め込むこ
とを最も主要な特徴とするものである。
【０００８】
【作用】したがって本発明によれば、選択成長マスクの
ないメサ構造を１回の有機金属気相成長法により埋め込
むことができる。すなわち、従来の技術では有機金属気
相成長法で埋込み成長を行う場合は、メサ構造領域以外
を埋め込む場合メサ構造上部に選択マスクが必要であっ
た。この選択マスクを用いた埋込み成長では異常成長を
抑えるために、低いメサを用い２回の埋込み成長工程で
埋め込んだり、庇付き選択マスクを用いたりしていた。
しかし、メサを低く抑えた場合は平坦な結晶表面を得る
ことが困難であり、また、庇を製作するためにはウェッ
トエッチングを用いるため、メサ形状の制御性に問題が
残る。
ないメサ構造を１回の有機金属気相成長法により埋め込
むことができる。すなわち、従来の技術では有機金属気
相成長法で埋込み成長を行う場合は、メサ構造領域以外
を埋め込む場合メサ構造上部に選択マスクが必要であっ
た。この選択マスクを用いた埋込み成長では異常成長を
抑えるために、低いメサを用い２回の埋込み成長工程で
埋め込んだり、庇付き選択マスクを用いたりしていた。
しかし、メサを低く抑えた場合は平坦な結晶表面を得る
ことが困難であり、また、庇を製作するためにはウェッ
トエッチングを用いるため、メサ形状の制御性に問題が
残る。
【０００９】これに対して本発明では、選択マスクのな
いメサ構造を用いて埋込み成長を行うことが可能であ
り、１回の埋込み成長でメサ構造を埋め込むことができ
る。また、選択マスクを成長面に堆積し、その状態で高
温中で成長する必要がないので、基板に与えるダメージ
も低減する。このことにより、埋込み構造レーザの作製
方法を簡素化できると共に、成長層のダメージの低減に
もつながる。
いメサ構造を用いて埋込み成長を行うことが可能であ
り、１回の埋込み成長でメサ構造を埋め込むことができ
る。また、選択マスクを成長面に堆積し、その状態で高
温中で成長する必要がないので、基板に与えるダメージ
も低減する。このことにより、埋込み構造レーザの作製
方法を簡素化できると共に、成長層のダメージの低減に
もつながる。
【００１０】
【実施例】実施例１ 図１は本発明による半導体レーザの製造方法の一実施例
を示す工程断面図である。図１において、まず同図(a)
に示すように、（１００）面ｎ形ＩｎＰ基板１ａ上にＳ
ｅドープｎ形ＩｎＰバッファ層１ｂ（膜厚ｄ＝２．０μ
ｍ），アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層２（ｄ＝０．１
μｍ）及びｐ形ＩｎＰクラッド層３（ｄ＝０．３μｍ）
を有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法によって成長す
る。
を示す工程断面図である。図１において、まず同図(a)
に示すように、（１００）面ｎ形ＩｎＰ基板１ａ上にＳ
ｅドープｎ形ＩｎＰバッファ層１ｂ（膜厚ｄ＝２．０μ
ｍ），アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層２（ｄ＝０．１
μｍ）及びｐ形ＩｎＰクラッド層３（ｄ＝０．３μｍ）
を有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法によって成長す
る。
【００１１】次に図１(b)に示すように、成長面にスパ
ッタリング法によってＳｉＯ2膜を堆積し、フォトリソ
グラフィ技術によって＜０１１＞方向にストライプ幅
１．５μｍのＳｉＯ2 ストライプマスク４を形成する。
そして、塩素アルゴン系のリアクティブイオンエッチン
グ（ＲＩＥ）装置を使用して高さ１．０μｍ程度のメサ
構造を形成する。さらに、ＨＦによってメサ上面のＳｉ
Ｏ2膜４を除去する。
ッタリング法によってＳｉＯ2膜を堆積し、フォトリソ
グラフィ技術によって＜０１１＞方向にストライプ幅
１．５μｍのＳｉＯ2 ストライプマスク４を形成する。
そして、塩素アルゴン系のリアクティブイオンエッチン
グ（ＲＩＥ）装置を使用して高さ１．０μｍ程度のメサ
構造を形成する。さらに、ＨＦによってメサ上面のＳｉ
Ｏ2膜４を除去する。
【００１２】次に図１(c) に示すように、ＭＯＶＰＥ法
を用いてＺｎドープｐ形ＩｎＰ電流ブロック層５，Ｓｅ
ドープｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層６を成長する。ｐ形Ｉ
ｎＰ層５，ｎ形ＩｎＰ層６は電流狭窄及び光閉じ込め層
として働く。この時、ｎ形ＩｎＰ層６のＳｅドープ量を
５×１０18ｃｍ-3以上にするとメサ構造上部のｎ形Ｉｎ
Ｐ埋込み層６は成長が抑制され、メサ構造上部はｐ形Ｉ
ｎＰ層５（ｄ＝（メサ外×０．８５）μｍ）のみが成長
した層構造になる。
を用いてＺｎドープｐ形ＩｎＰ電流ブロック層５，Ｓｅ
ドープｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層６を成長する。ｐ形Ｉ
ｎＰ層５，ｎ形ＩｎＰ層６は電流狭窄及び光閉じ込め層
として働く。この時、ｎ形ＩｎＰ層６のＳｅドープ量を
５×１０18ｃｍ-3以上にするとメサ構造上部のｎ形Ｉｎ
Ｐ埋込み層６は成長が抑制され、メサ構造上部はｐ形Ｉ
ｎＰ層５（ｄ＝（メサ外×０．８５）μｍ）のみが成長
した層構造になる。
【００１３】その後連続して、図１(d) に示すように、
基板全面にｐ形ＩｎＰオーバークラッド層７（ｄ＝１．
０μｍ），ｐ形ＩｎＧａＡｓＰキャップ層８（ｄ＝０．
５μｍ）をＭＯＶＰＥ法により成長する。ｐ形ＩｎＰ層
７，ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ層８はメサ構造上部にも成長し
素子構造を形成する。
基板全面にｐ形ＩｎＰオーバークラッド層７（ｄ＝１．
０μｍ），ｐ形ＩｎＧａＡｓＰキャップ層８（ｄ＝０．
５μｍ）をＭＯＶＰＥ法により成長する。ｐ形ＩｎＰ層
７，ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ層８はメサ構造上部にも成長し
素子構造を形成する。
【００１４】このようにして製作した素子は、メサ構造
埋込み構造成長時にＳｅドーパントを用いた高濃度ｎ形
ＩｎＰ層６を使用することにより、そのｎ形ＩｎＰ層６
がメサ構造上部に成長しない条件を実現できるので、選
択マスクを使用することなく、１回のＭＯＶＰＥ法によ
る埋め込み成長で、埋込み構造レーザ素子を製作するこ
とができる。
埋込み構造成長時にＳｅドーパントを用いた高濃度ｎ形
ＩｎＰ層６を使用することにより、そのｎ形ＩｎＰ層６
がメサ構造上部に成長しない条件を実現できるので、選
択マスクを使用することなく、１回のＭＯＶＰＥ法によ
る埋め込み成長で、埋込み構造レーザ素子を製作するこ
とができる。
【００１５】実施例２ 図２は本発明の他の実施例を示す図１相当の工程断面図
であり、同図中図１と同一のものは同一符号を付記して
ある。図２において、まず同図(a) に示すように、（１
００）面ｎ形ＩｎＰ基板１ａ上にＳｅドープｎ形ＩｎＰ
バッファ層１ｂ（ｄ＝２．０μｍ），アンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層２（ｄ＝０．１μｍ）をＭＯＶＰＥ法に
よって成長する。
であり、同図中図１と同一のものは同一符号を付記して
ある。図２において、まず同図(a) に示すように、（１
００）面ｎ形ＩｎＰ基板１ａ上にＳｅドープｎ形ＩｎＰ
バッファ層１ｂ（ｄ＝２．０μｍ），アンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層２（ｄ＝０．１μｍ）をＭＯＶＰＥ法に
よって成長する。
【００１６】その後は上記実施例１と同様に＜１００＞
方向のマスクの無いメサ構造を形成し（図２(b) ）、次
にＭＯＶＰＥ法を用いてＺｎドープｐ形ＩｎＰ電流ブロ
ック層５，Ｓｅドープｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層６を成
長して（図２(c) ）、その後連続して、基板全面にｐ形
ＩｎＰオーバークラッド層７（ｄ＝１．０μｍ），ｐ形
ＩｎＧａＡｓＰキャップ層８（ｄ＝０．５μｍ）を成長
し素子構造を形成する（図２(d)）。
方向のマスクの無いメサ構造を形成し（図２(b) ）、次
にＭＯＶＰＥ法を用いてＺｎドープｐ形ＩｎＰ電流ブロ
ック層５，Ｓｅドープｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層６を成
長して（図２(c) ）、その後連続して、基板全面にｐ形
ＩｎＰオーバークラッド層７（ｄ＝１．０μｍ），ｐ形
ＩｎＧａＡｓＰキャップ層８（ｄ＝０．５μｍ）を成長
し素子構造を形成する（図２(d)）。
【００１７】このようにして製作した素子においても、
選択マスクを使用しないため、実施例１と同様に１回の
埋め込み成長で、埋込み構造レーザ素子を製作すること
ができる。
選択マスクを使用しないため、実施例１と同様に１回の
埋め込み成長で、埋込み構造レーザ素子を製作すること
ができる。
【００１８】実施例３ この実施例では、上記実施例２において、アンドープＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層２の成長後（図２(a) ）、さらに光
導波路層を成長させたのち、この光導波路層に対し回折
格子を形成後、図２(b)の工程と同様にメサ加工を施し
た後、図２(c)及び(d)と同様の工程により、分布帰還形
レーザ素子を製作した。この場合には、回折格子成長後
の再成長工程を省略できる利点がある。
ｎＧａＡｓＰ活性層２の成長後（図２(a) ）、さらに光
導波路層を成長させたのち、この光導波路層に対し回折
格子を形成後、図２(b)の工程と同様にメサ加工を施し
た後、図２(c)及び(d)と同様の工程により、分布帰還形
レーザ素子を製作した。この場合には、回折格子成長後
の再成長工程を省略できる利点がある。
【００１９】なお、上述した実施例の中でメサ構造形成
方法として塩素アルゴン系ドライエッチングを用いた
が、他の方法でメサ構造の形成を行っても良い。また、
上記実施例では、Ｓなどの他のVI族ドーパントであって
も良いことは言うまでもない。
方法として塩素アルゴン系ドライエッチングを用いた
が、他の方法でメサ構造の形成を行っても良い。また、
上記実施例では、Ｓなどの他のVI族ドーパントであって
も良いことは言うまでもない。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、Ｓｅなど
のVI族のドーパントを用いた高濃度のｎ形ＩｎＰの微小
領域（１００）面での成長抑制を使用することにより、
選択成長マスクのないメサ構造を１回の有機金属気相成
長法で埋め込むことが可能となる。そのため、埋込み構
造レーザの製作工程を簡素化することができるという利
点がある。
のVI族のドーパントを用いた高濃度のｎ形ＩｎＰの微小
領域（１００）面での成長抑制を使用することにより、
選択成長マスクのないメサ構造を１回の有機金属気相成
長法で埋め込むことが可能となる。そのため、埋込み構
造レーザの製作工程を簡素化することができるという利
点がある。
【図１】本発明の一実施例を示す工程断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す工程断面図である。
【図３】従来の製造方法を説明するための工程断面図で
ある。
ある。
【図４】従来の別の製造方法を説明するための工程断面
図である。
図である。
１ａ ｎ形ＩｎＰ基板 １ｂ Ｓｅドープｎ形ＩｎＰバッファ層 ２ アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層 ３ ｐ形ＩｎＰクラッド層 ４ ＳｉＯ2膜 ５ ｐ形ＩｎＰ電流ブロック層 ６ Ｓｅドープｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層 ７ ｐ形ＩｎＰオーバークラッド層 ８ ｐ形ＩｎＧａＡｓＰキャップ層
Claims (3)
- 【請求項１】 ｎ形ＩｎＰ半導体基板上または該基板上
にｎ形ＩｎＰバッファ層が形成されている基板上に有機
金属気相成長法により活性層，ｐ形ＩｎＰクラッド層を
堆積する工程と、 この基板表面をストライプ状にマスクし、前記クラッド
層，前記活性層，前記バッファ層または前記半導体基板
を選択的にエッチングしメサ構造を形成する工程と、 このメサ構造上面のマスクを除去し、該基板全面に有機
金属気相成長法によりｐ形ＩｎＰ電流ブロック層，VI族
ドーパントを用いたｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層，ｐ形Ｉ
ｎＰクラッド層とｐ形キャップ層を堆積する工程とを有
することを特徴とする埋込み構造半導体レーザの製造方
法。 - 【請求項２】 ｎ形ＩｎＰ半導体基板上または該基板上
にｎ形ＩｎＰバッファ層が形成されている基板上に有機
金属気相成長法により活性層を堆積する工程と、 この基板表面をストライプ状にマスクし、前記活性層，
前記バッファ層または前記半導体基板を選択的にエッチ
ングしメサ構造を形成する工程と、 このメサ構造上面のマスクを除去し、該基板全面に有機
金属気相成長法によりｐ形ＩｎＰ電流ブロック層，VI族
ドーパントを用いたｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層，ｐ形Ｉ
ｎＰクラッド層とｐ形キャップ層を堆積する工程とを有
することを特徴とする埋込み構造半導体レーザの製造方
法。 - 【請求項３】 ｎ形ＩｎＰ半導体基板上または該基板上
にｎ形ＩｎＰバッファ層が形成されている基板上に有機
金属気相成長法により活性層を堆積する工程と、 この活性層成長後、さらに光導波路層を成長させたの
ち、その光導波路層に対し回折格子を形成する工程と、 この回折格子形成後、その基板表面をストライプ状にマ
スクし、前記光導波路層，前記活性層，前記バッファ層
または前記半導体基板を選択的にエッチングしメサ構造
を形成する工程と、 このメサ構造上面のマスクを除去し、該基板全面に有機
金属気相成長法によりｐ形ＩｎＰ電流ブロック層，VI族
ドーパントを用いたｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層，ｐ形Ｉ
ｎＰクラッド層とｐ形キャップ層を堆積する工程とを有
することを特徴とする埋込み構造半導体レーザの製造方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3285470A JP3047049B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 埋込み構造半導体レーザの製造方法 |
| US07/909,953 US5260230A (en) | 1991-07-12 | 1992-07-07 | Method of manufacturing buried heterostructure semiconductor laser |
| US08/133,507 US5470785A (en) | 1991-07-12 | 1993-10-07 | Method of manufacturing buried heterostructure semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3285470A JP3047049B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 埋込み構造半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102607A true JPH05102607A (ja) | 1993-04-23 |
| JP3047049B2 JP3047049B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=17691938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3285470A Expired - Fee Related JP3047049B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-10-07 | 埋込み構造半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3047049B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5585957A (en) * | 1993-03-25 | 1996-12-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method for producing various semiconductor optical devices of differing optical characteristics |
| US7701993B2 (en) | 2004-05-26 | 2010-04-20 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor optical device and a method of fabricating the same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6132795A (en) | 1998-03-15 | 2000-10-17 | Protein Technologies International, Inc. | Vegetable protein composition containing an isoflavone depleted vegetable protein material with an isoflavone containing material |
| US6544566B1 (en) | 1999-04-23 | 2003-04-08 | Protein Technologies International, Inc. | Composition containing plant sterol, soy protein and isoflavone for reducing LDL cholesterol |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP3285470A patent/JP3047049B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5585957A (en) * | 1993-03-25 | 1996-12-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method for producing various semiconductor optical devices of differing optical characteristics |
| US5689358A (en) * | 1993-03-25 | 1997-11-18 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical functional devices and integrated optical devices having a ridged multi-quantum well structure |
| US7701993B2 (en) | 2004-05-26 | 2010-04-20 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor optical device and a method of fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3047049B2 (ja) | 2000-05-29 |
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