KR960016034A - 레이져 다이오드 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 PBH(planar buried hetero) 구조의 반도체 레이져 다이오드 제조방법에 있어서, 에칭 깊이의 불균일성으로 인해 발생되는 블로킹층의 위치조정의 어려움을 P-InP 블로킹층과N-InP블로킹층을 2단계에 걸쳐 선택적으로 성장시키는 것이다.

Description

레이져 다이오드 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도 내지 제9도는 본 발명의 실시예에 의해 레이져 다이오드를 제조하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (4)

1. 레이져 다이오드 제조방법에 있어서, N-InP기판(1) 상에 N-Inp버퍼층(2), u-InGaAsP활성층(3), P-InP클래드층(4)를 적층하는 단계와, 상기P-InP클래드층(4) 상부에 산화막 마스크(5)를 형성하고, 웰에치로 상기 P-InP클래드층(4), u-InGaAsP활성층(3), N-InP버퍼층(2)과 N-INP 기판(1)의 일부를 식각하여 1차 메사구조를 형성하는 단계와, 상기 메사구조의 측면에 P-InP블록킹층(6)을 성장시키는 단계와, 상기 산화막 마스크(5)을 제거하고, 상기 P-InP블로킹층(6)과 P-InP클래드층(4)의 상부에 P-InP클래드층(7)을 재성장시키는 단계와, 상기 P-InP클래드층(7) 상부에 산화막 마스크(8)를 형성하는 단계와, 웰 에치를 실시하여 상기 P-InP클래드층(7), P-InP블로킹층(6)을 식각하여 2차 메사구조를 형성하는 단계와, 상기 2차 메사구조의 측벽에 N-InP블로킹층(9)을 성장시키고, 상기 산화막 마스크(8)를 제거하는 단계와, P-InGaAsP콘택층(10)을 상기 P-InP클래드층(7)과 N-InP블로킹층(9)의 표면에 성장시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이져 다이오드 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 N-InP버퍼층(2)은 1.2㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이져 다이오드 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 u-InGaAsP활성층(3)은 1.3㎛, 1.5㎛ 발진파장을 갖는 조성으로 하기 위해 0.1-0.2㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이져 다이오드 제조방법.
4. 제1항에 있어서, 상기P-InP클래드층(4)은 0.3㎛ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이져 다이오드 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.