KR950012787A - 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
고출력동작과 비점수차 거리가 단축된 반도체 레이저소자와 그 제조방법을 개시한다. 기판 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상하부에 마련되는 상,하부클래드층과, 상기 활성층에 전류를 제한적으로 공급하는 전류제한층과, 상기 각 층들의 직각방향인 레이저 출사 전후방에 벽개면을 갖는다. 상기 기판은 2개의 U자형 채널이 형성되고, 채널의 사이에는 돌출부가 마련되고, 상기 전류제한층은 상기 기판상에 형성되어 상기 채널을 매몰시키면서, 상기 벽개면에서 일정거리 떨어진 기판의 중앙부위에 상기 기판의 돌출부를 노출시키는 웰을 구비한다. 본 발명은 벽개면에서 소정거리 떨어진 내측영역에만 전류주입이 이루어지는 구조에 의해 고출력특성이 향상되고 COD(Catastrohic Optical Damage)수준을 높일 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도, 제6도, 및 제8도는 본 발명에 따른 반도체 레이저소자의 제작단계별 가공상태를 도시한 단면도.
Claims (5)
- 기판 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상하부에 마련되는 상, 하부클래드층과, 상기 활성층에 전류를 제한적으로 공급하는 전류제한층과, 상기 각 층들의 직각방향인 레이저 출사 전후방에 벽개면을 구비한 반도체 레이저 소자에 있어서, 상기 기판은 2개의 U자형 채널이 형성되고, 채널의 사이에는 돌출부가 마련되고, 상기 전류제한층은 상기 기판상에 형성되어 상기 채널을 매몰시키면서, 상기 벽개면에서 일정거리 떨어진 기판의 중앙부위에 상기 기판의 돌출부를 노출시키는 웰을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 웰의 폭은 상기 채널의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 중앙 부위는 상기 벽개면에서 10-20㎛ 떨어진 내측영역인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
- 기판에 2개의 U자형태의 채널을 형성하는 단계; 상기 기판상에 전류제한층을 성장시켜 상기 채널을 채우는 단계; 상기 식각된 기판의 중앙영역에 형성된 상기 전류제한층의 일부를 웰 형태로 식각하여 상기 채널 사이의 기판의 돌출부를 노출시키는 단계; 및 상기 기판과 상기 전류제한층의 상면에 하부 클래드층, 활성층 및 상부클래드층을 순차적으로 적층하여 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 전류 제한층은 LPE법의 플래나(pLANER) 성장 방법에 의해 평탄한 표면을 갖도록 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930021289A KR950012787A (ko) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930021289A KR950012787A (ko) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012787A true KR950012787A (ko) | 1995-05-17 |
Family
ID=66824675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930021289A KR950012787A (ko) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950012787A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100735490B1 (ko) * | 2006-01-02 | 2007-07-04 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-10-14 KR KR1019930021289A patent/KR950012787A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100735490B1 (ko) * | 2006-01-02 | 2007-07-04 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 |
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