KR970018882A - 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판 상에 n-클래드층, n-도파층, 활성층, p-도파층 및 Mg도핑의 InGaP층(클래드층)을 순차적으로 적층 성장하는 단계 ; 상기 Mg도핑의 InGaP층(클래드층) 상에 전류제한층을 형성하고, 채널형성을 위해 소정 패턴의 마스크를 이용한 선택적 에칭을 실시하는 단계; 및 상기 선택적 에칭에 의해 형성된 채널 및 상기 기판의 저면에 전극을 각각 형성하여 소자를 완성하는 단계를 포함한다.
이와 같은 본 발명은 활성층 상부의 클래드층 형성에 있어서, 종래와는 달리 Mg이 도핑된 InGaP층(클래드 층)을 바로 형성하게 되므로, 종래와 같은 Zn확산으로 인한 레이저 발진효율의 저하를 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 비도핑의 InGaP층을 별도로 형성하는 공정을 필요로 하지 않으므로 제조공정을 단순화시킬 수 있다.

Description

반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조과정에 있어서, 1차성장 후의 단면구조도,
제6도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조과정에 있어서, 1차 성장된 구조체 상에 전류제한층을 형성한 후 에칭을 실시하는 상태도.

Claims (3)

  1. 기판과, 상기 기판의 상부에 형성되는 것으로 그 상, 하부에는 도파층이 마련되어 있으며 레이저를 발진시키는 활성층과, 상기 활성층의 상부에 형성되며 전류를 차단하는 전류제한층을 구비하는 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 전류제한층과 상부 도파층 사이에는 마그네슘(Mg)이 도핑된 InGaP층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. 기판 상에 n-클래드층, n-도파층, 활성층, p-도파층 및 Mg 도핑의 InGaP층(클래드층)을 순차적으로 적층성장하는 단계; 상기 Mg도핑의 InGaP층(클래드층) 상에 전류제한층을 형성하고, 채널형성을 위해 소정 패턴의 마스크를 이용한 선택적 에칭을 실시하는 단계; 및 상기 선택적 에칭에 의해 형성된 채널 및 상기 기판의 저면에 전극을 각각 형성하여 소자를 완성하는 단계를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전극의 형성은 금속증착에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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