KR930015222A - 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전류 차단층의 전류 주입흠을 PR마스크에 의한 애칭으로 조절하여 측면이 식각되는 현상을 방지하고, 크래크나 디펙트가 발생하지 않토록 한 레이저 다이오드를 얻을 수 있도록 한 것이다.

Description

반도체 레이저 다이도드 및 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 (가)도 내지 (마)도는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 제조공정을 나타낸 수직단면도.

Claims (4)

1. n형기판(1)위에 n-버퍼층(2)과 n-클래드층(3)과 액티브층(4)이 적층한대로 식각된 p-클래드층(5)과 산화방지막(6)이 순차적으로 적층되고, 상기 산화방지막(6)상에 전류차단(7)과 p-캡층(8)과 p형 전극(10)이 형성되며, 상기 n형기판(1)에 n형전극(10)을 형성하여서 된것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
2. n형 기판(1) 위에 n-버퍼층(2)과 n-클래드층(3)과 액티브층(4)과 p-클래드층(5)을 MOCVD법으로 이중접합을 성장시킨 다음 그 위에 산화방지막(6)을 성장시키는 공정과, 상기 클래드층(5)과 산화방지막(6)을 식각하는 공정과, 식각된 산화방지막(6) 위에 PR마스크(9)에 의해 애칭되는 산화방지막 까지 전류차단층(7)을 성장시키는 공정과, 상기 기판(1)에 n형 전극(20) 증착하는 공정과, 상기 전류차단층(7)위에 PR마스크(9)를 제거시킨 다음 캡층(8)을 성막하고 p형전극(10)을 증착하는 공정을 포함하도록 한것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 전류차단층(7)위에 PR마스크로 1㎛패턴으로 만들고 애칭 용액으로 산화방지막을 식각한 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 제조방법.
4. 제2항에 있어서, 상기 산화방지막(6)과 클래드층(5)을 식각하는데 클래드층(5)의 두께는 0.4㎛ 이하가 되도록 식각하도록 한것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.