KR940008178A - 매립형 반도체 레이저 다이오드 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로 선택적 에피택시방법으로 고효율 미 낮은 문턱전류를 갖는 매립형 반도체 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것이다.

종래의 매립형 반도체 레이저 다이오드 제조방법은 기판위에 DH(Double Heterostuctures)를 증착하고 선택적 에칭으로 메시구조를 형성하였다.

따라서, 선택적 에칭에 필요한 용액선택이 어렵고 선택 에칭식 DH구조시 표면이 산화되어 문턱전류가 증가되고 소자특성이 저하되었다.

반면, 본 발명은 기판위에 DH구조를 선택적 성장방법으로 메시구조를 형성하고 ,DH구조 맨위에 산화방지층을 형성하였다.

따라서 고효율 및 낮음 문턱전류를 갖는 레이저 다이오드를 제조할 수 있고 메사형태를 구성하는 구성물질 및 구조에 제한을 받지 않아 다양한 매립형 반도체 레이저 다이오드를 제작할 수 있다.

Description

매립형 반도체 레이저 다이오드

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도는 본 발명의 매립형 반도체 레이저 다이오드 구사시도.

제4도는 본 발명의 매립형 반도체 레이저 다이오드 공정단면도.

Claims (4)

1. 기판(1)위에 제1 절연막(8)을 형성하여 중앙부위를 제거하는 제1 공정과, 상기 제1 절연막(8)이 제거된 중앙부위 버퍼층(2), 제1 도전형 클래드층(3), 활성층(5), 제2 도전형클래드층(5), 제2도전형산화방지층(6)을 차례로 성장시키는 제2 공정과, 상기 제1 절연막(8)을 모두 제거하고 상기 제1 도전형 클래드층(3)과 같은 동일물질층과 제2 도전형 캡층(9)을 차례로 형성하는 제3 공정과, 전면에 제2 절연막(10)을 형성하고 상기 제2 도전형 산화방지층(6) 상측부위의 제2 절연막(10)을 선택적으로 제거하는 제4 공정과, 제2 절연막(10)이 제지된 부위에 제2 도전형 산화방지층(6)까지 아연도피층(11)을 형성하는 제 5공정과, 제2 절연막(10)과 아연도핑층(11)에 걸쳐 전면에 제2 도전형전극(12)을 형성하고 기판(1)하부에 제1 도전형 전극을 형성하는 제 6공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 매립형 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 제1 절연막(8)은 실리콘빌화막으로하고 제2 절연막(10)은 실리콘 산화막으로 형성함을 특징으로 하는 매립형 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 제2 공정은 MOCVD법으로 버퍼층(2), 제1 도전형클래드층(3), 활성층(5), 제2 도전형클래드층(5), 제2 도전형산화방지층(6)을 각각 0.05㎛, 1.2㎛ 0.08㎛, 0.8㎛, 0.01㎛두께로 형성함을 특징으로 하는 매립형 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
4. 제1항에 있어서, 제3공정은 MOCVD법으로 제1 도전형 클래드층(3)과 동일물질층과 제2 도전형 캡층(9)을 각각 2㎛, 0.1㎛두께로 형성함을 특징으로 하는 매립형 반도체 레이저 다이오드 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.