KR950012859A - 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는 그루브가 형성되어 있는 제1도전형 GaAs 기판의 상부에 제1도전형 InGaP 버퍼층, 제1도전형 InGaAlP 클래드층, InGaP 활성층 및 제2도전형 InGaAlP 클래드층이 순차적으로 성장되어 있으며, 제2도전형 InGaAlP 클래드층중 그루브에는 이를 채우면서 제2도전형 GaAs 캡층이 형성되어 있다. 제2도전형 InGaAlP 클래드층 및 제2도전형 GaAs 캡층으로 이루어진 표면의 상부에는 제2도전형 금속 전극이 형성되어 있고, 제1도전형 GaAs 기판의 하부에는 제1도전형 금속 전극이 형성되어 있다. 이의 제조 방법은 제1도전형 GaAs 기판을 식각하여 그루브를 형성한 후, 이어서 제1도전형 InGaP 버퍼층으로부터 제2도전형 GaAs 캡층까지를 순차적으로 기상성장법과 같은 결정성장법을 통하여 성장시킨다. 그런 다음, 제2도전형 GaAs 캡층중 채널부위가 아닌 부위를 식각하여 평탄화한 후 제2도전형 금속전극 및 제1도전형 금속 전극을 형성한다. 이와 같이 반도체 레이저 다이오드는 1회의 결정성장으로 소자의 제작이 완료되면서도, 상기 제2도전형 GaAs 캡층과 제2도전형 금속 전극은 오믹 접촉이 되어 전류가 흐르고 제2도전형 InGaAlP 클래드층과 제2도전형 금속 전극의 계면에는 숏키 장벽이 형성되어 전류를 차단하게 되어 효과적으로 전류의 제한이 이루어지게 되는 잇점을 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 단면도이다.
Claims (5)
- 채널부위에 바닥면 및 양 경사면을 갖는 그루브가 형성되어 있는 제1도전형 GaAs 기판; 상기 제1도전형 GaAs 기판 상부에, 기판이 가지는 형태를 따르면서 순차적으로 형성되어 있는 제1도전형 InGaAlP 클래드층, InGaP 활성층 및 제2도전형 InGaAlP 클래드층; 상기 제2도전형 InGaAlP 클래드층상의 그루브를 채우면서 형성되어 있는 제2도전형 GaAs 캡층; 및 상기 제2도전형 InGaAlP 클래드층 및 제2도전형 GaAs 캡층으로 이루어진 표면의 상부에 형성되어 있는 제2도전형 금속 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 GaAs 기판과 상기 제1도전형 InGaAlP 클래드층 사이에 제1도전형 InGaP 버퍼층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 GaAs 기판의 하부에 형성되어 있는 제1도전형 금속전극을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 소정 제1도전형 GaAs 기판을 선택적으로 식각하여 채널부위에 바닥면 및 양 경사면을 갖는 그루브를 형성하는 제1공정; 상기 제1도전형 GaAs 기판의 상부에 기판의 형태를 따르도록 하면서, 제1도전형 InGaAlP 클래드층, InGaP 활성층, 제2도전형 InGaAlP 클래드층 및 상기 제2도전형 GaAs 캡층을 순차적으로 결정성장시키는 제2공정; 상기 제2도전형 GaAs 캡층중 채널부위를 제외한 나머지 부위를 선택적으로 식각하여 상기 그루브에만 제2도전형 GaAs 캡층을 남기는 제3공정; 및 상기 제3공정을 통하여 노출되는 제2도전형 InGaAlP 클래드층 및 상기 제2도전형 GaAs 캡층으로 이루어진 표면의 상부에 제2도전형 금속전극을 형성하는 제4공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제2공정은 기상성장법을 통하여 각 층들은 결정성장하는 공정인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930021182A KR100284760B1 (ko) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930021182A KR100284760B1 (ko) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012859A true KR950012859A (ko) | 1995-05-17 |
| KR100284760B1 KR100284760B1 (ko) | 2001-04-02 |
Family
ID=66825039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930021182A KR100284760B1 (ko) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100284760B1 (ko) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0567836A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Sharp Corp | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子 |
-
1993
- 1993-10-13 KR KR1019930021182A patent/KR100284760B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100284760B1 (ko) | 2001-04-02 |
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