KR960002977A - 반도체 레이저다이오드의 제조방법 - Google Patents

반도체 레이저다이오드의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 레이저다이오드의 제조방법에 관한 것으로, LPE 성장특성을 이용하여 반도체 레이저다이오드의 제조공정을 단순화시킨 것이다.본 발명은 제1도전형의 기판 소정부분을 사진식각공정을 통해 에칭하여 메사부와 채널부를 형성하는 단계와,상기 기판 전면에 액상에피택시 성장공정을 이용하여 제1도전형의 클래드층,활성층,제2도전형의 클래드층,전류차단층 및 캡층을 연속적으로 성장시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저다이오드 제조방법을 제공한다.

Description

반도체 레이저다이오드의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 레이저다이오드의 제조방법을 도시한 공정순서도.

Claims (4)

  1. 제1도전형의 기판 소정부분을 사진식각공정을 통해 에칭하여 메사부와 채널부를 형성하는 단계와, 상기 기판 전면에 액상에피택시 성장공정을 이용하여 제1도전형의 클래드층, 활성층, 제2도전형의 클래드층,전류차단층 및 캡층을 연속적으로 성장시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저다이오드의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,상기 활성층을 채널부와 메사부 상부에 끊어지도록 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저다이오드의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,상기 전류차단층을 메사부 상부에 끊어지도록 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저다이오드의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,상기 캡층은 그 표면을 평탄하게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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