KR960039508A - 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960039508A KR960039508A KR1019950009444A KR19950009444A KR960039508A KR 960039508 A KR960039508 A KR 960039508A KR 1019950009444 A KR1019950009444 A KR 1019950009444A KR 19950009444 A KR19950009444 A KR 19950009444A KR 960039508 A KR960039508 A KR 960039508A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- substrate
- laser diode
- ridge
- layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 전류 제한 및 광 제한을 용이하게 구현할 수 있는 신뢰성이 높은 레이저 다이오드를 제조하기 위한 것이다.
본 발명은 제1도전형의 기판을 선택적으로 식각하여 릿지부를 형성하는 단계와, 상기 릿지가 형성된 기판상에 제2도전형의 전류제한층을 형성하는 단계, 상기 릿지부의 기판부위 및 그 상부의 전류제한 층부위를 선택적으로 식각하여 홈을 형성하는 단계, 상기 릿지부 양단부위에서 활성층이 끊어지도록 상기 기판 전면에 DH 접합구조를 형성하는 단계로 이루어지는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드 제조방법을 도시한 공정순서도.
Claims (3)
- 제1도전형의 기판을 선택적으로 식각하여 릿지부를 형성하는 단계와, 상기 릿지가 형성된 기판상에 제2도전형의 전류제한층을 형성하는 단계, 상기 릿지부의 기판부위 및 그 상부의 전류제한층부위를 선택적으로 식각하여 홈을 형성하는 단계, 및 상기 릿지부 양단부위에서 활성층이 끊어지도록 상기 기판 전면에 DH 접합구조를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 DH 접합구조는 제1도전행의 클래드층, 활성층, 제2도전형의 클래드층 및 제2도전형의 캡을 차례로 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제2도전형의 클래드층은 상기 활성층보다 굴절율이 낮은 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950009444A KR960039508A (ko) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950009444A KR960039508A (ko) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960039508A true KR960039508A (ko) | 1996-11-25 |
Family
ID=66523397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950009444A KR960039508A (ko) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960039508A (ko) |
-
1995
- 1995-04-21 KR KR1019950009444A patent/KR960039508A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960039508A (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| KR960019881A (ko) | 반도체 레이저 제조방법 | |
| KR960043391A (ko) | 반도체 레이저다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR920009010A (ko) | 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| KR920009008A (ko) | 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| KR960002984A (ko) | 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR920011003A (ko) | 화합물 반도체 레이저 | |
| KR960002977A (ko) | 반도체 레이저다이오드의 제조방법 | |
| KR950012907A (ko) | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 | |
| KR950012930A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR930005301A (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| KR920007286A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 | |
| KR860003676A (ko) | 발광다이오드의 제조방법 | |
| KR950012894A (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| KR960016034A (ko) | 레이져 다이오드 제조방법 | |
| KR960043308A (ko) | 발광 다이오드 제조방법 | |
| KR940008176A (ko) | 분포 귀환형 레이저 다이오드의 제조방법 및 구조 | |
| KR920020795A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 | |
| KR960039505A (ko) | 광전집적회로용 레이져 다이오드 및 그의 제조방법 | |
| KR950012914A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| KR970018885A (ko) | 레이저 다이오드 제조방법 | |
| KR960043392A (ko) | 갈륨-비소(Ga-As)계 레이저 다이오드(LASER diode) 및 그 제조방법 | |
| KR930003446A (ko) | 반도체 발광소자 제조방법 | |
| KR950012852A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR960002981A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |