KR960043391A - 반도체 레이저다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 레이저다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, n형 기판; 상기 기판 위에 성장된 n형 크래드층; 상기 크래드층 위에 성장된 n형 활성층; 상기 활성층 위에 성장된 첫번째 p형 크래드층; 상기 첫번째 p형 크래드층 위에 성장된 습식식각 저지층; 상기 습식식각 저지층 위에 n형 전류흡수층과 p형 전류흡수이 교차 성장된 다층의 전류흡수층; 상기 전류흡수층의 중앙부 및 상단에 성장된 두번째 p형 크랜드 층; 상기 두번재 P형 크래드층 위에 성장된 p형 통전유동층; 그리고 상기 통전유도층 위에 성장된 p형 캡층을 포함한 것을 그 특징으로 하여, 전류흡수의 기능이 강화되어 임계전류를 낮출 뿐만 아니라, 리지 상단부가 평탄함에 따라 다이 접착공정에서 발생되는 결함을 예방할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 굴절률 도파형 반도체 레이저다이오드를 나타낸 개략적 단면도이다.
Claims (3)
- n형 기판; 상기 기판 위에 성장된 n형 크래드층; 상기 크래드층 위에 성장된 n형 활성층; 상기 활성층 위에 성장된 첫번째 p형 크래드층; 상기 첫번째 p형 크래드층 위에 성장된 습식식각 저지층; 상기 습식식각 저지층 위에 n형 전류흡수층과 p형 전류흡수 이 교차 성장된 다층의 전류흡수층; 상기 전류흡수층의 중앙부 및 상단에 성장된 두번째 p형 크랜드 층; 상기 두번째 P형 크래드층 위에 성장된 p형 통전유동층; 그리고 상기 통전유도층 위에 성장된 p형 캡층을 포함한 것을 그 특징으로 하는 반도체 레이저다이오드.
- n형 기판 위에 n형 크래드층, n형 활성층, 첫번째 p형 크래드층, 습식식각 저지층, 그리고 n형과 p형의 층이 교차된 다층의 전류흡수층을 순차적으로 성장시키는 1차 성장과정; 상기 다층의 전류흡수층의 중앙부를 습식 식각시키는 과정; 그리고 두번째; p형 크래드층, p형 통전유동층 및 p형 캡층을 순차적으로 성장시키는 2차 성장과정을 포함한 것을 그 특징으로 하는 반도체 레이저다이오드의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 2차 성장 과정은, 적층의 노출면에 대하여 전면적으로 실시하는 것을 그 특징으로 하는 반도체 레이저다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950013545A KR960043391A (ko) | 1995-05-27 | 1995-05-27 | 반도체 레이저다이오드 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950013545A KR960043391A (ko) | 1995-05-27 | 1995-05-27 | 반도체 레이저다이오드 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR960043391A true KR960043391A (ko) | 1996-12-23 |
Family
ID=66525734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950013545A KR960043391A (ko) | 1995-05-27 | 1995-05-27 | 반도체 레이저다이오드 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960043391A (ko) |
-
1995
- 1995-05-27 KR KR1019950013545A patent/KR960043391A/ko not_active Application Discontinuation
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