KR960043384A - 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

전류제한층으로 브래그 반사기층을 형성한 레이저 다이오드 및 그 제조방법이 개시되어 있다.
개시된 레이저 다이오드는 기판의 상부에 버퍼층, 하부 크래드층, 제1웨이브가이드층, 활성층 및 제2웨이브가이드층이 순차로 적층 형성되고, 그 상부에 전류제한층과, 상부 크래드층 및 접촉층을 형성 구비하며, 특히 전류제한층은 제2웨이브가이드층 상부에 최초 에피택시 공정과 동일 공정으로 형성되며 전류가 흐를 수 있는 소정 위치에 공동을 가지는 브래그 반사기층이고, 그 상부에 상부 크래드층 및 접촉층이 순차로 형성되어 있는 점에 그 특징이 있다. 따라서, 상부 크래드층을 식각할 필요가 없으며, 2회의 에피택시 공정 및 식각 공정으로 레이저 다이오드를 제조할 수 있다.

Description

레이저 다이오드 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 레이저 다이오드를 나타낸 개략적인 단면도.

Claims (5)

  1. 기판의 상부에 버퍼층, 하부 크래드층, 제1웨이브가이드층, 활성층 및 제2웨이브가이드층이 순차로 적층 형성되고, 그 상부에 전류제한층과, 상부 크래드층 및 접촉층이 형성 구비되어 있는 레이저 다이오드에 있어서, 상기 전류제한층은 상기제2웨이브가이드층 상부에 최초 에피택시 공정과 동일 공정으로 형성되며 전류가 흐를 수 있는 소정 위치에 공동을 가지는 브래그 반사기층이고, 그 상부에 상기 상부크래드층 및 접촉층이 순차로 형성 구비되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 브래그 반사기층은 AlXGa1-XAs 반도체 물질과 AlAs 반도체 물질이 교대로 복수번 적층되어 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 레이저 당이오드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2웨이브가이드층은 상기 브래그 반사기층과 선택적으로 에칭되도록 된 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  4. 기판상에 순차로 버퍼층, 하부 크래드층, 제1웨이브 가이드층, 활성층, 제2웨이브가이드층 및 브래그 반사기층을 에피택시 공정에 의해 형성하는 단계와 상기 브래그 반사기층의 중앙부를 식각하여 제한된 범위로 상기 활성층에 전류를 공급하도록 식각단계; 및 상기 브래그 반사기층의 상부 및 식각된 상부에 상부 크래드층과 p형 접촉층을 순차로 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 브래그 반사기층의 물질로 AlXGa1-XAs 반도체 물질과 AlAs 반도체 물질이 교대로 복수번 적층되어 이루어져 있고, 상기 p형 접촉층은 p-GaAs층인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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