KR930007018A - 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고출력 작동시 발생하는 COD-문제를 해결하고 공정을 단순화하기 위한 반도체 레이져 다이오드 제조방법에 관한 것으로, 그 방법은 p형 기판(1)에 포토 에칭고정을 수행하여 1차 메사를 형성하고 그 위에 전류체 한층(2)를 1차 메사가 함몰되게 성장키는 공정과, 상기 전류제한층(2)을 식각하여 1차 메사 표면의중앙부위가 V-채널이 되고 1차 메사 표면의 양측에 2차 메사를 형성하는 공정과 그 위에 DH층을 벽개면 부위의 n형 크래드층(5)과 소자 내부의 탈성층(4)이 수평이 되도록 형성하는 공정으로 이루어져 활성층(4)을 얇게 하여 수반되는 불이익 즉 발진임계 전류가 높아지고 광효율이 낮아져 고출력 레이저 다이오드를 얻기 위해 필요한 고전류 문제를 해결하는 특징이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 레이저다이오드의 제조공정 단면도,
제2도는 본 발명의 레이저 다이오드의 제조공정 사시도,
제3도는 제2도에 따른 종단면도.
Claims (1)
- 제1도전형 GaAs기판에 1차 메사를 형성하고 상기 메사가 형성된 기판상에 전류 제한층을 1차 메사가 메몰되도록 성장하는 공정과, 상기 전류제한층위에 1차 메사부위가 V-채널 부분이 되도록 2차 메사를 형성하되 벽개면 부금이 함몰되도록 메사를 형성하는 공정과, 상기 메사가 형성된 전류제한층위에 제1도전형 크래드층, 제1도전형 AlGaAs 활성층, 제2도전형 크래드층, 제2도전형 GaAs 층을 형성하는 공정으로 제조함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910017103A KR930007018A (ko) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910017103A KR930007018A (ko) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930007018A true KR930007018A (ko) | 1993-04-22 |
Family
ID=67433474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910017103A KR930007018A (ko) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930007018A (ko) |
-
1991
- 1991-09-30 KR KR1019910017103A patent/KR930007018A/ko not_active Application Discontinuation
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